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公开(公告)号：CN102067325A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200980123940.7
申请日：2009-07-08
Applicant: 三菱重工业株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L27/1423 , H01L31/046 , H01L31/0463 , H01L31/076 , H01L31/077 , H01L31/1804 , H01L31/1824 , Y02E10/545 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供使开路电压增加并且改善n层与背面侧透明电极层或n层与中间接触层的接触性而提高形状因子的光电转换装置及其制造方法。一种在基板(1)上具备层叠p层(41)、i层(42)和n层而成的光电转换层(3)的光电转换装置(100)，在该光电转换装置(100)中，所述n层包括含氮n层(43)和在该含氮n层(43)的与所述基板(1)相反一侧的面上形成的界面处理层(44)，所述含氮n层(43)以1％以上且20％以下的原子浓度含有氮原子，并且结晶化率为0以上且小于3，所述界面处理层(44)为结晶化率1以上且6以下。
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公开(公告)号：CN101981431A
公开(公告)日：2011-02-23
申请号：CN200980111369.7
申请日：2009-07-02
Applicant: 三菱重工业株式会社
CPC classification number: G01N21/9501 , G01N21/3563 , G01N21/55 , G01N21/8422 , G01R31/2831 , H01L31/1884 , Y10T29/53126
Abstract: 以非破坏、非接触、高效率且高精度计测透明导电膜的电阻率为目的。提供一种电阻率检查装置，具备：光照射装置(3)，其将具有通过事先进行的检查条件选定方法选定的波长的P偏振光的照明光以通过该方法选定的入射角对在制造生产线上输送的透光性基板上成膜的透明导电膜从膜面侧进行照射；光检测装置(2)，其检测在透明导电膜反射的反射光；信息处理装置(7)，其基于检测到的光的强度，算出与该波长有关的反射光的光量的评价值，使用将评价值与电阻率预先建立关联的相关特性，由算出的所述评价值求出电阻率。
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公开(公告)号：CN101395721B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200780007262.9
申请日：2007-04-03
Applicant: 三菱重工业株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/03687 , H01L31/1816 , Y02E10/548
Abstract: 本发明目的在于提供一种在光电转换层中具有微结晶锗硅且电池特性提高了的光电转换装置及其制造方法。在基板侧杂质添加层和具有微结晶锗硅的i层之间具有微结晶硅或者微结晶锗硅，并设有具有预定的拉曼峰值比的缓冲层。
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公开(公告)号：CN101807617A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN201010126706.4
申请日：2007-04-03
Applicant: 三菱重工业株式会社
IPC: H01L31/075 , H01L31/20
CPC classification number: H01L31/03687 , H01L31/1816 , Y02E10/548
Abstract: 本发明目的在于提供一种在光电转换层中具有微结晶锗硅且电池特性提高了的光电转换装置及其制造方法。在基板侧杂质添加层和具有微结晶锗硅的i层之间具有微结晶硅或者微结晶锗硅，并设有具有预定的拉曼峰值比的缓冲层。
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公开(公告)号：CN101656187A
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200910170895.2
申请日：2004-05-31
Applicant: 三菱重工业株式会社
Abstract: 本发明的目的在于防止或抑制决定光学设备寿命的光学系统的衰减，其中所述光学设备实现例如光线透射、衍射、反射、光谱产生、以及干涉和其组合的效果。采用上述方式，可以降低维修操作频率如窗口更换并降低此操作的成本。本发明的特征在于通过以下步骤实现：产生具有活性能量存在的近真空区，以激发碳的氧化反应，其中所述近真空区面对所述光学系统的所述光线表面；在所述近真空区产生负离子或基团，例如含有氧原子的不稳定的基团如OH基、OH - 离子、臭氧、O 2 - 离子、O - 基；并通过沉积的碳与负离子或基团进行反应，消除或减少积聚在所述照明表面上的积聚的碳。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101622719A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200880006731.X
申请日：2008-02-08
Applicant: 三菱重工业株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/076 , H01L31/0463 , Y02E10/548
Abstract: 本发明提供一种能够以低成本获得更高性能的光电变换装置及其制造方法。具备被层叠的至少二层光电变换层、和介于所述二层光电变换层之间且对该二层光电变换层进行电连接及光学连接的中间层(93)的光电变换装置(90)，在所述中间层(93)表面上具有等离子体抗性保护层(93A)。
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公开(公告)号：CN1638153A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200510003971.2
申请日：2005-01-05
Applicant: 三菱重工业株式会社
IPC: H01L31/04 , H01L31/0224 , H01L31/075
CPC classification number: H01L31/1884 , H01L31/022483 , H01L31/075 , H01L31/076 , Y02E10/548
Abstract: 一种光电转换装置，使用具有最合适的电阻率和透过率之间关系的透明电极或者透明导电膜来实现高光电转换率。在透明绝缘性基板上至少依次层积有：第一透明电极，由p型硅层、i型硅层以及n型硅层构成的pin结构或者nip结构的微结晶硅层，第二透明电极以及背侧电极，其中，所述第一透明电极以及所述第二透明电极的至少某一项是添加Ga的ZnO层，所述Ga的含量相对于Zn为小于或等于15原子％。
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公开(公告)号：CN101656187B
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN200910170895.2
申请日：2004-05-31
Applicant: 三菱重工业株式会社
Abstract: 本发明的目的在于防止或抑制决定光学设备寿命的光学系统的衰减，其中所述光学设备实现例如光线透射、衍射、反射、光谱产生、以及干涉和其组合的效果。采用上述方式，可以降低维修操作频率如窗口更换并降低此操作的成本。本发明的特征在于通过以下步骤实现：产生具有活性能量存在的近真空区，以激发碳的氧化反应，其中所述近真空区面对所述光学系统的所述光线表面；在所述近真空区产生负离子或基团，例如含有氧原子的不稳定的基团如OH基、OH-离子、臭氧、O2-离子、O-基；并通过沉积的碳与负离子或基团进行反应，消除或减少积聚在所述照明表面上的积聚的碳。
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公开(公告)号：CN102067325B
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN200980123940.7
申请日：2009-07-08
Applicant: 三菱重工业株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L27/1423 , H01L31/046 , H01L31/0463 , H01L31/076 , H01L31/077 , H01L31/1804 , H01L31/1824 , Y02E10/545 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供使开路电压增加并且改善n层与背面侧透明电极层或n层与中间接触层的接触性而提高形状因子的光电转换装置及其制造方法。一种在基板(1)上具备层叠p层(41)、i层(42)和n层而成的光电转换层(3)的光电转换装置(100)，在该光电转换装置(100)中，所述n层包括含氮n层(43)和在该含氮n层(43)的与所述基板(1)相反一侧的面上形成的界面处理层(44)，所述含氮n层(43)以1％以上且20％以下的原子浓度含有氮原子，并且结晶化率为0以上且小于3，所述界面处理层(44)为结晶化率1以上且6以下。
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公开(公告)号：CN102105992B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN200980128959.0
申请日：2009-08-18
Applicant: 三菱重工业株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/1804 , H01L31/046 , H01L31/0463 , H01L31/0745 , H01L31/077 , H01L31/202 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种通过高速制成覆盖良好的n层来同时实现高生产性和高转换效率的光电转换装置的制造方法。光电转换装置(100)的制造方法包含利用等离子体CVD法在基板(1)上形成硅系的光电转换层(3)的工序，其特征在于，形成所述光电转换层(3)的工序包含形成由晶质硅构成的i层(42)的工序和在该i层(42)上以氢稀释率0倍以上且10倍以下的条件形成n层(43)的工序。
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