发光装置
    31.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112640234B

    公开(公告)日:2024-05-07

    申请号:CN201980056016.5

    申请日:2019-08-27

    Abstract: 本实施方式涉及能够从S‑iPM激光的输出光除去0次光的发光装置。该发光装置具备活性层和相位调制层。相位调制层包含基本层和多个不同折射率区域。在相位调制层上设定了假想的正方晶格的状态下,各不同折射率区域的重心从对应的晶格点离开,且决定各不同折射率区域的重心的位置的各晶格点周围的旋转角度根据用于光学图像形成的相位分布而设定。晶格间隔和发光波长满足相位调制层的倒易晶格空间中的M点振荡的条件。形成在倒易晶格空间上且分别包含与输出光的角度扩展对应的波数扩展的4个方向的面内波数矢量中的至少1个的大小小于2π/λ。

    发光元件、发光元件的制作方法、及相位调制层设计方法

    公开(公告)号:CN113196598B

    公开(公告)日:2023-12-15

    申请号:CN201980083301.6

    申请日:2019-12-11

    Abstract: 本实施方式所涉及的发光元件抑制光输出效率的降低并且输出清晰的光学图像。该发光元件具备基板、发光部、将基板与发光部接合的接合层。发光部具有被第一电极和第二电极夹持的半导体叠层,半导体叠层包含相位调制层。相位调制层具有基本层和多个差异折射率区域,并且包括与第二电极一致或包含整体的大小的第一区域和该第一区域以外的第二区域。位于第二区域内的各差异折射率区域的重心按照特定的排列条件配置于基准面上。从半导体叠层的表面输出的光为单一光束,关于从基板至半导体叠层的表面的第一距离和从基板至半导体叠层的背面的第二距离,沿着基板上的特定方向变动的第一距离的变动量比第二距离的变动量小。

    发光装置及其制造方法
    33.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111448726B

    公开(公告)日:2023-04-04

    申请号:CN201880078841.0

    申请日:2018-11-28

    Abstract: 本实施方式涉及具备能够将±1次光中的一方的功率相对于另一方的功率降低的构造的发光装置等。该发光装置具备基板、发光部、包含基本层以及多个不同折射率区域的相位调制层。多个不同折射率区域的各个具有由面对基板的第一面、相对于第一面而位于基板的相反侧的第二面、以及侧面规定的立体形状。在该立体形状中,第一面、第二面以及侧面中的至少任一者包含相对于主面倾斜的部分。

    光学器件和发光器件
    34.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115668670A

    公开(公告)日:2023-01-31

    申请号:CN202180038606.2

    申请日:2021-05-27

    Abstract: 一个实施方式的光学器件包括能够输出可见区域这样的短波长区域的光的结构。该光学器件包括UC层、第1光限制层、第2光限制层和共振模式形成层。UC层包含接收第1波长区域的激发光并输出比第1波长区域短的第2波长区域的光的上转换材料。第1光限制层具有将第2波长区域的光的至少一部分反射的光反射特性。第2光限制层具有将第2波长区域的光的一部分反射并使剩余部分透过的光反射特性,并且以UC层位于第1及第2光限制层之间的方式配置。共振模式层设置于UC层与第1光限制层之间、或UC层与第2光限制层之间,包括基本层和多个不同折射率区域,且形成第2波长区域的光的共振模式。

    光源模块
    35.
    发明公开
    光源模块 审中-实审

    公开(公告)号:CN115004491A

    公开(公告)日:2022-09-02

    申请号:CN202180009816.9

    申请日:2021-01-15

    Abstract: 本发明的一个实施方式涉及能够动态地控制光的相位分布的光源模块。该光源模块包括半导体层叠部。半导体层叠部包括由活性层和产生Γ点振荡的光子晶体层构成的层叠体,具有沿作为光子晶体层的共振方向之一的Y方向排列的相位同步部和强度调制部。构成强度调制部的一部分的层叠体具有沿X方向排列的M个(M为2以上的整数)像素。M个像素分别包含N1个(N1为2以上的整数)子像素。由N1个子像素中连续的N2个(N2为2以上N1以下的整数)子像素构成的区域的沿X方向定义的长度小于活性层的发光波长。该光源模块从包含于强度调制部的M个像素分别沿与X方向和Y方向的双方交叉的方向输出激光。

    可变相位器件
    36.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113631994A

    公开(公告)日:2021-11-09

    申请号:CN202080025809.3

    申请日:2020-03-27

    Abstract: 本实施方式涉及具备能够解决各种技术问题的新的器件结构的可变相位器件。该可变相位器件具备排列成一维或二维并且各自进行发光或光调制的M(M为2以上的整数)个像素。M个像素的排列周期低于入射光的波长并且沿着规定方向为恒定。M个像素各自包含分别具有将射出光的相位设为可变的结构的N(N为2以上的整数)个子像素。在M个像素的各个中,从N个子像素输出的N条部分光束在远场被合成为具有单一相位的光。

    三维测量装置
    37.
    发明公开
    三维测量装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN113295110A

    公开(公告)日:2021-08-24

    申请号:CN202110187715.2

    申请日:2021-02-18

    Abstract: 三维测量装置(101)具备:一个或多个光源部(102),其对被测量物(SA)照射具有规定图案的测量光(105);一个或多个摄像部(103),其对被照射了测量光(105)的被测量物(SA)进行摄像;测量部(104),其基于摄像部(103)的摄像结果测量被测量物(SA)的三维形状,光源部(102)由M点振荡的S-iPMSEL(1)构成。

    发光装置
    38.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109565152B

    公开(公告)日:2020-11-03

    申请号:CN201780049076.5

    申请日:2017-08-10

    Abstract: 本实施方式涉及一种具有能够从S-iPM激光器的输出光中除去0次光的结构的发光装置。该发光装置包括半导体发光元件和光遮蔽部件。半导体发光元件包括活性层、一对覆盖层和相位调制层。相位调制层包括基本层和分别个别地配置于特定位置的多个不同折射率区域。光遮蔽部件具有如下功能:使沿倾斜方向输出的特定的光像通过,而遮蔽沿发光面的法线方向输出的0次光。

    发光装置
    39.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109565152A

    公开(公告)日:2019-04-02

    申请号:CN201780049076.5

    申请日:2017-08-10

    Abstract: 本实施方式涉及一种具有能够从S-iPM激光器的输出光中除去0次光的结构的发光装置。该发光装置包括半导体发光元件和光遮蔽部件。半导体发光元件包括活性层、一对覆盖层和相位调制层。相位调制层包括基本层和分别个别地配置于特定位置的多个不同折射率区域。光遮蔽部件具有如下功能:使沿倾斜方向输出的特定的光像通过,而遮蔽沿发光面的法线方向输出的0次光。

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