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公开(公告)号：CN118901171A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202380026095.1
申请日：2023-02-27
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 本发明提供一种相位分布设计方法，在第二步骤中，将振幅分布(211)替换为目标振幅分布(214)后的实空间的函数(213)通过傅立叶变换(B6)，变换为包含振幅分布(221)以及相位分布(222)的波数空间的函数(223)。在第三步骤中，使函数(223)的相位分布(222)与两个以上的相位调制区域中的一个相位调制区域中的函数(223)的相位分布(222)一致，将函数(223)的振幅分布(221)替换为目标振幅分布(204)，将函数(223)通过傅立叶逆变换(B2)，变换为包含振幅分布(231)以及相位分布(232)的实空间的函数(233)。之后，一边将第二步骤的函数(213)替换为函数(233)一边重复第二步骤以及第三步骤。将由最后的第三步骤进行傅立叶逆变换的函数(233)的相位分布(232)设为各相位调制区域的相位分布。
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公开(公告)号：CN112262508B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN201980038651.0
申请日：2019-06-04
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01S5/18
Abstract: 本发明一个实施方式涉及的发光装置降低S‑iPM激光器的输出中包含的0次光。该发光装置具备发光部和相位调制层，相位调制层具有基本层和分别包含多个异折射率要素的多个异折射率区域。以设定于相位调制层上的假想的正方晶格的晶格点为中心的各单位构成区域中，从对应的晶格点至异折射率要素的各重心的距离大于晶格间隔的0.30倍且为0.50倍以下。此外，从对应的晶格点至异折射率要素整体的重心的距离大于0且为晶格间隔的0.30倍以下。
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公开(公告)号：CN112272906B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN201980038069.4
申请日：2019-06-05
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01S5/18
Abstract: 本实施方式涉及主要包含氮化物半导体且具备形成共振模式的层的面发光型的发光元件。该发光元件提高形成共振模式的层的光限制系数，具备活性层、相位调制层和1个或其以上的高折射率层，还具备夹着活性层、相位调制层和高折射率层的第一包覆层和第二包覆层。相位调制层包含基本层和多个不同折射率区域。多个不同折射率区域的重心在假想的正方晶格的各晶格点中，配置在通过该晶格点且相对于正方晶格倾斜的直线上。各不同折射率区域的重心与晶格点的距离根据光像个别地设定。
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公开(公告)号：CN116779701A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310248150.3
申请日：2023-03-15
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0216 , H01L31/102 , H01L31/18
Abstract: 半导体器件(1A)具备：在一面(2a)侧具有包含凹部(4)而构成的凹凸结构(K)的半导体层(2)、设置于半导体层(2)的一面(2a)的第一电极膜(第一蒸镀膜)(3A)、以及设置于凹部(4)的底面(4c)的第二电极膜(第二蒸镀膜)(3B)，并设置有截面积相对于凹部(4)的开口部分(4b)侧的部分扩大的扩大部分(J)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116325393A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202180067411.0
申请日：2021-09-28
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01S5/12
Abstract: 本公开提供了一种能够减小一维局部振荡的半导体激光元件，该半导体激光元件具备基板、活性层和相位调制层。相位调制层包括基本层和二维地配置于基准面上的多个差异折射率区域。在设定于基准面上的假想的正方形格子中，各差异折射率区域的重心离开对应的格子点而配置，对于各差异折射率区域，单独设定连结对应的格子点和重心的矢量的角度。假想的正方形格子的格子间隔和活性层的发光波长满足Γ点振荡的条件。各差异折射率区域的重心以使各差异折射率区域以对应的格子点作为中心旋转而得到的圆环形或圆形的傅立叶系数的绝对值为0.01以下的方式配置。
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公开(公告)号：CN115967011A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202310108428.7
申请日：2018-11-28
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 本实施方式涉及具备能够将±1次光中的一方的功率相对于另一方的功率降低的构造的发光装置等。该发光装置具备基板、发光部、包含基本层以及多个不同折射率区域的相位调制层。多个不同折射率区域的各个具有由面对基板的第一面、相对于第一面而位于基板的相反侧的第二面、以及侧面规定的立体形状。在该立体形状中，第一面、第二面以及侧面中的至少任一者包含相对于主面倾斜的部分。
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公开(公告)号：CN110574247B
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN201880026749.X
申请日：2018-05-25
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 本实施方式涉及半导体发光元件，其具有用于抑制因从相位调制层输出的光的一部分被电极遮挡而导致的光学像的质量降低。该半导体发光元件包括具有基层和多个异折射率区域的相位调制层，相位调制层包括沿层叠方向至少一部分与电极重叠的第一区域和除第一区域外的第二区域。以多个异折射率区域之中仅第二区域内的1个或其以上的异折射率区域对光学像的形成有贡献的方式进行配置。
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公开(公告)号：CN118891792A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202380026117.4
申请日：2023-03-06
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 半导体发光元件(1)具备半导体层叠(20)、电极(16)以及电极(17)。半导体层叠(20)包含活性层(12)及相位调制层(15)。相位调制层(15)具有多个相位调制区域(151)。各相位调制区域(151)包含具有第一折射率的基本区域(15a)和具有与第一折射率不同的第二折射率且呈二维状分布的多个不同折射率区域(15b)。电极(16)包含从半导体层叠(20)的层叠方向观察与多个相位调制区域(151)分别重叠的多个电极部分(161)。多个电极部分(161)相互电分离。在多个相位调制区域(151)的各个中谐振的激光(L)成为与多个不同折射率区域(15b)的配置对应的光像而向共同的照射区域照射。从多个相位调制区域(151)分别输出的光像相互相位同步。
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公开(公告)号：CN112335145B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN201980040825.7
申请日：2019-06-19
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 一个实施方式所涉及的发光元件具备用于提高形成共振模式的层的光限制系数的结构。该发光元件具备第一包覆层、活性层、第二包覆层、共振模式形成层和高折射率层。第一包覆层、活性层、第二包覆层、共振模式形成层和高折射率层主要包含氮化物半导体。高折射率层具有比第一包覆层、活性层、第二包覆层和共振模式形成层的任一者的折射率高的折射率，并且具备具有彼此不同的折射率的二个以上的层重复层叠而成的超晶格结构。
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