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公开(公告)号：CN106663918B
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201580044945.6
申请日：2015-08-28
Applicant: 国立大学法人京都大学 , 罗姆股份有限公司 , 浜松光子学株式会社 , 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够提高射出的光的特性特别是光输出的二维光子晶体面发射激光器。二维光子晶体面发射激光器(10X)具有：在板状的母材(121)上将折射率与其不同的异折射率区域(122)周期性地配置为二维状而成的二维光子晶体(123)；设置于二维光子晶体(123)的一侧的活性层(11)；和夹着二维光子晶体(123)以及所述活性层(11)设置的向活性层(11)供给电流的第1电极(15A)以及覆盖与其相同或更大的范围的第2电极(16)，将第1电极(15A)形成为以根据第1电极(15A)的面内位置而不同的密度向活性层(11)供给电流。
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公开(公告)号：CN106663918A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201580044945.6
申请日：2015-08-28
Applicant: 国立大学法人京都大学 , 罗姆股份有限公司 , 浜松光子学株式会社 , 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够提高射出的光的特性特别是光输出的二维光子晶体面发射激光器。二维光子晶体面发射激光器(10X)具有：在板状的母材(121)上将折射率与其不同的异折射率区域(122)周期性地配置为二维状而成的二维光子晶体(123)；设置于二维光子晶体(123)的一侧的活性层(11)；和夹着二维光子晶体(123)以及所述活性层(11)设置的向活性层(11)供给电流的第1电极(15A)以及覆盖与其相同或更大的范围的第2电极(16)，将第1电极(15A)形成为以根据第1电极(15A)的面内位置而不同的密度向活性层(11)供给电流。
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公开(公告)号：CN105191028A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201480013107.8
申请日：2014-03-07
Applicant: 国立大学法人京都大学 , 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01S5/0092 , G02F1/3544 , G02F1/3551 , G02F1/3558 , G02F1/37 , G02F2001/3548 , H01S5/02248 , H01S5/02446 , H01S5/105 , H01S5/18 , H01S5/187
Abstract: 在激光装置中，光子晶体层的不同折射率区域(6B)被配置于正方格子的格子点位置，各个不同折射率区域(6B)的平面形状为大致等腰直角三角形的情况下，构成其直角的2边沿着正方格子的纵以及横格子线，平行或者垂直于该三角形的斜边的方向与非线性光学晶体(NL)的周期极化反转结构中的极化的方向一致。
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公开(公告)号：CN103988379A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201280060429.9
申请日：2012-12-05
Applicant: 国立大学法人京都大学 , 浜松光子学株式会社
IPC: H01S5/50
CPC classification number: H01S5/105 , H01S5/0425 , H01S5/06243 , H01S5/1085 , H01S5/1218 , H01S5/323 , H01S5/34313 , H01S5/4056
Abstract: 对应于第1以及第2周期结构中的各个排列周期(a1、a2)的倒数的差分，在从半导体激光元件的厚度方向看的情况下，相对于第1驱动电极(E2)的长边方向成为规定的角度(δθ)的2个以上的激光束在半导体激光元件内部被生成，这些激光束的一方以在光出射端面上进行全反射的方式被设定，另一方的折射角(θ3)以小于90度的方式被设定。
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公开(公告)号：CN115388809A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202211213682.5
申请日：2021-02-18
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 三维测量装置(101)具备：一个或多个光源部(102)，其对被测量物(SA)照射具有规定图案的测量光(105)；一个或多个摄像部(103)，其对被照射了测量光(105)的被测量物(SA)进行摄像；测量部(104)，其基于摄像部(103)的摄像结果测量被测量物(SA)的三维形状，光源部(102)由M点振荡的S－iPMSEL(1)构成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112930631A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201980069730.8
申请日：2019-10-23
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01S5/183
Abstract: 本发明的一方式涉及具备形成共振模式的层的发光元件等。该发光元件具备基板和由半导体层叠体构成的结构体，半导体层叠体包含第一包覆层、第二包覆层、活性层及共振模式形成层。共振模式形成层包含基本层和多个不同折射率区域。在结构体的一个面，设置有激光输出区域，在另一个面设置有金属电极膜。金属电极膜包含相对于结构体构成欧姆接触的第一层、反射来自共振模式形成层的光的第二层、第三层、和焊料接合用的第四层。第三层具有与第二层及第四层的组成不同的组成，并且关于焊料材料的扩散程度，具有比第二层及第四层低的扩散程度。
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公开(公告)号：CN101019284A
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200580030931.5
申请日：2005-09-13
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01S5/22
CPC classification number: H01S5/10 , H01S5/0655 , H01S5/101 , H01S5/1085 , H01S5/4031
Abstract: 半导体激光元件(3)具有n型包层(13)、活性层(15)及p型包层(17)。p型包层(17)具有在活性层(15)中形成波导管(4)的脊形部(9)。波导管(4)沿着以大致一定的曲率(曲率半径R)弯曲的中心轴线(B)延伸。在这样的波导管(4)中，在波导管(4)内共振的光中的空间横向模式的次数越高的光损失就越大。因此，可以维持横向低次模式的激光振荡而抑制横向高次模式的激光振荡。由此实现了可以使较大强度的激光出射而抑制横向高次模式的半导体激光元件及半导体激光元件阵列。
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公开(公告)号：CN112930631B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN201980069730.8
申请日：2019-10-23
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01S5/183
Abstract: 本发明的一方式涉及具备形成共振模式的层的发光元件等。该发光元件具备基板和由半导体层叠体构成的结构体，半导体层叠体包含第一包覆层、第二包覆层、活性层及共振模式形成层。共振模式形成层包含基本层和多个不同折射率区域。在结构体的一个面，设置有激光输出区域，在另一个面设置有金属电极膜。金属电极膜包含相对于结构体构成欧姆接触的第一层、反射来自共振模式形成层的光的第二层、第三层、和焊料接合用的第四层。第三层具有与第二层及第四层的组成不同的组成，并且关于焊料材料的扩散程度，具有比第二层及第四层低的扩散程度。
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公开(公告)号：CN104106184B
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201280069122.5
申请日：2012-11-07
Applicant: 国立大学法人京都大学 , 浜松光子学株式会社
IPC: H01S5/183
CPC classification number: H01L33/105 , H01L2933/0083 , H01S5/0425 , H01S5/105 , H01S5/18 , H01S5/183 , H01S2301/02 , H01S2301/176
Abstract: 本发明的半导体发光元件，具备电极(8)、活性层(3)、光子晶体层(4)、电极(9)，活性层(3)和电极(8)之间、以及活性层(3)和电极(9)之间彼此导电类型不同，电极(8)具有开口部(8a)，电极(8)、活性层(3)、光子晶体层(4)、电极(9)沿X轴层叠，X轴通过从该X轴的轴线方向看到的开口部(8a)的中央部(8a2)，电极(9)具有从X轴的轴线方向看位于Y轴方向的相反方向的端部(9e1)、和位于Y轴方向的端部(9e2)，开口部(8a)具有从X轴看位于Y轴方向的相反方向的端部(8e1)和位于Y轴方向的端部(8e2)，电极(9)的端部(9e1)和开口部(8a)的端部(8e1)，从X轴的轴线方向看大致一致。
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公开(公告)号：CN105960744A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201480074880.5
申请日：2014-11-10
Applicant: 国立大学法人京都大学 , 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01S5/0683 , H01S5/022 , H01S5/105 , H01S5/18 , H01S5/187
Abstract: 本发明涉及半导体激光模块，具备能够射出主光束和副光束的面发光激光元件、能够检测副光束的光强度的监测用光检测元件，面发光激光元件是PCSEL，主光束和副光束被射出至面发光激光元件的上方，仅以预先确定的角度互相倾斜，相对于面发光激光元件的驱动电流值的主光束的峰值光强度以及副光束的峰值光强度的各个的变动互相相关。因此，如果使用表示副光束的峰值光强度的监测用光检测元件的输出的话，则能够推定主光束的峰值光强度。
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