相位分布设计方法、相位分布设计装置、相位分布设计程序以及记录介质

    公开(公告)号:CN118901171A

    公开(公告)日:2024-11-05

    申请号:CN202380026095.1

    申请日:2023-02-27

    Abstract: 本发明提供一种相位分布设计方法,在第二步骤中,将振幅分布(211)替换为目标振幅分布(214)后的实空间的函数(213)通过傅立叶变换(B6),变换为包含振幅分布(221)以及相位分布(222)的波数空间的函数(223)。在第三步骤中,使函数(223)的相位分布(222)与两个以上的相位调制区域中的一个相位调制区域中的函数(223)的相位分布(222)一致,将函数(223)的振幅分布(221)替换为目标振幅分布(204),将函数(223)通过傅立叶逆变换(B2),变换为包含振幅分布(231)以及相位分布(232)的实空间的函数(233)。之后,一边将第二步骤的函数(213)替换为函数(233)一边重复第二步骤以及第三步骤。将由最后的第三步骤进行傅立叶逆变换的函数(233)的相位分布(232)设为各相位调制区域的相位分布。

    反射型动态超颖表面
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112136077B

    公开(公告)日:2024-09-06

    申请号:CN201980031940.8

    申请日:2019-05-14

    Abstract: 一实施方式所涉及的反射型动态超颖表面具备用于在至少构成一维排列的多个像素的各个中能够进行相位调制的结构。该超颖表面具备具有透明导电层及电介质层的层叠结构体;设置于层叠结构体的一方的面上的第1金属膜、设置于层叠结构体的另一方的面上的第2金属膜、及控制向第1及第2金属膜间施加的电压的驱动电路。第1及第2金属膜以夹着构成一维排列的多个像素的方式配置。第1金属膜以在1个像素中露出一对窗区域的方式配置,第2金属膜包含规定像素各自的形状并且相互分离的多个部分金属膜。驱动电路通过个别地控制部分金属膜各自的电位,而在每个像素调制所输入的光的相位。

    空间光调制器和发光装置
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114868074A

    公开(公告)日:2022-08-05

    申请号:CN202080089846.0

    申请日:2020-12-23

    Abstract: 本公开涉及具备可动态地控制光的相位分布并且像素的排列周期更小且适于高速动作的结构的空间光调制器等。该空间光调制器具备基板。基板具有:表面;背面;和多个贯通孔,其配置为一维状或二维状并且将表面与背面之间贯通。空间光调制器还具备:分别覆盖多个贯通孔的内壁的多个层叠结构。各层叠结构包括:设置在内壁上的第一导电层;电介质层,其设置在第一导电层上并且具有光透过性;和第二导电层,其设置在电介质层上并且具有光透过性。第一和第二导电层中的至少一个,对每一个由一个或一个以上贯通孔构成的组,电气分离。

    半导体发光元件和包含其的发光装置

    公开(公告)号:CN109690890B

    公开(公告)日:2021-09-24

    申请号:CN201780054735.4

    申请日:2017-08-31

    Abstract: 本实施方式涉及一种具有能够从S-iPM激光器的输出光中除去0次光的结构的半导体发光元件等。该半导体发光元件包括活性层、一对覆盖层和相位调制层。相位调制层包括基本层和各自单独地配置于特定位置的多个差异折射率区域。一对覆盖层的一层具有分布布拉格反射层,其具有对相对于光出射面的倾斜方向的特定光像的透过特性和对沿光出射面的法线方向输出的0次光的反射特性。

    半导体发光元件
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111247705B

    公开(公告)日:2021-08-24

    申请号:CN201880067956.X

    申请日:2018-10-02

    Abstract: 本发明提供一种能够形成有用的光束图案的半导体发光元件。该半导体激光元件(LD)具备活性层(4)、夹持活性层(4)的一对包层(2、7)、以及与活性层(4)光学耦合的相位调制层(6)。相位调制层(6)具备基本层(6A)、以及与基本层(6A)的折射率不同的多个差异折射率区域(6B),通过使相位调制层(6)中的差异折射率区域(6B)为期望的配置,可以出射包含有不伴随0次光的暗线的激光。

    发光元件、发光元件的制作方法、及相位调制层设计方法

    公开(公告)号:CN113196598A

    公开(公告)日:2021-07-30

    申请号:CN201980083301.6

    申请日:2019-12-11

    Abstract: 本实施方式所涉及的发光元件抑制光输出效率的降低并且输出清晰的光学图像。该发光元件具备基板、发光部、将基板与发光部接合的接合层。发光部具有被第一电极和第二电极夹持的半导体叠层,半导体叠层包含相位调制层。相位调制层具有基本层和多个差异折射率区域,并且包括与第二电极一致或包含整体的大小的第一区域和该第一区域以外的第二区域。位于第二区域内的各差异折射率区域的重心按照特定的排列条件配置于基准面上。从半导体叠层的表面输出的光为单一光束,关于从基板至半导体叠层的表面的第一距离和从基板至半导体叠层的背面的第二距离,沿着基板上的特定方向变动的第一距离的变动量比第二距离的变动量小。

    发光装置及其制造方法
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111448725A

    公开(公告)日:2020-07-24

    申请号:CN201880078807.3

    申请日:2018-11-28

    Abstract: 本实施方式涉及一种分别关联的不同折射率区域的重心位置与晶格点的位置关系与现有的发光装置不同的发光装置及其制造方法。在该发光装置中,在基板上设置有包含发光部和与该发光部光学耦合的相位调制层的层叠体。相位调制层包含基本层和设置于该基本层内的多个不同折射率区域。各不同折射率区域的重心位置配置于通过设定于基本层的设计面上的假想的正方晶格的晶格点中的对应的基准晶格点的假想直线上。另外,基准晶格点与不同折射率区域的重心的沿该假想直线的距离以从该发光装置输出形成光学图像的光的方式对多个不同折射率区域的各个个别地设定。

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