发光元件、发光元件的制作方法、及相位调制层设计方法

    公开(公告)号:CN113196598B

    公开(公告)日:2023-12-15

    申请号:CN201980083301.6

    申请日:2019-12-11

    Abstract: 本实施方式所涉及的发光元件抑制光输出效率的降低并且输出清晰的光学图像。该发光元件具备基板、发光部、将基板与发光部接合的接合层。发光部具有被第一电极和第二电极夹持的半导体叠层,半导体叠层包含相位调制层。相位调制层具有基本层和多个差异折射率区域,并且包括与第二电极一致或包含整体的大小的第一区域和该第一区域以外的第二区域。位于第二区域内的各差异折射率区域的重心按照特定的排列条件配置于基准面上。从半导体叠层的表面输出的光为单一光束,关于从基板至半导体叠层的表面的第一距离和从基板至半导体叠层的背面的第二距离,沿着基板上的特定方向变动的第一距离的变动量比第二距离的变动量小。

    量子级联激光器元件
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113629491A

    公开(公告)日:2021-11-09

    申请号:CN202110490126.1

    申请日:2021-05-06

    Abstract: 本发明的量子级联激光器具备半导体基板、设置于半导体基板上的活性层、和设置于活性层的半导体基板侧的相反侧、杂质掺杂浓度小于1×1017cm‑3的上部包覆层。活性层中含有的各单位层叠体在其子带能级结构中具有第一发光上位能级、第二发光上位能级、和至少一个发光下位能级。活性层被构成为,在各单位层叠体中,由发光层中的第一发光上位能级、第二发光上位能级、及至少一个发光下位能级中的至少两个能级间的电子跃迁生成中心波长为10μm以上的光。

    量子级联激光器
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113471815A

    公开(公告)日:2021-10-01

    申请号:CN202110332923.7

    申请日:2021-03-29

    Abstract: QCL具备半导体基板和设置于半导体基板上的活性层。活性层具有级联结构,该级联结构层叠多级包括使光产生的发光层和电子从发光层被输送的注入层的单位层叠体而成。发光层及注入层分别具有量子阱层及势垒层交替层叠的量子阱结构。在单位层叠体中的发光层和注入层之间设置有分离层,该分离层包括具有比发光层中所含的量子阱层的平均层厚小且比注入层中所含的量子阱层的平均层厚小的层厚的分离量子阱层。

    面发光激光元件
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117178447A

    公开(公告)日:2023-12-05

    申请号:CN202280029667.7

    申请日:2022-03-02

    Abstract: 本公开的面发光激光元件具备:第1电极;下部包层;活性层;上部包层;缓和层;接触层,其具有与上部包层不同的带隙;第2电极;以及光子晶体层,其设置于下部包层和活性层之间、或者活性层和上部包层之间,包含基本区域、以及与基本区域折射率不同且在与厚度方向垂直的面内二维状地分布的多个异折射率区域,并且在面内形成光的共振模式。缓和层具有上部包层的带隙和接触层的带隙之间的大小的带隙。

    光检测模块及拍频分光装置
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116137890A

    公开(公告)日:2023-05-19

    申请号:CN202180063311.0

    申请日:2021-05-26

    Abstract: 本公开提供了一种光检测模块(1),具备光检测器(10)和固定部件(50)。光检测器(10)具有:半导体基板(11);台面部(12);第1接触层(13);第2接触层(14);以及第1电极(15),在半导体基板(11)的主面(11a)上形成为平面状、电连接于第1接触层(13)和第2接触层(14)的一方。固定部件(50)具有:绝缘基板(51);以及第1配线(52),在绝缘基板(51)的主面(51a)上形成为平面状。在绝缘基板(51)的主面中形成凹部(54),并且台面部(12)的至少一部分配置于凹部(54)内。第1电极(15)在面接触于第1配线(52)的状态下,电连接于第1配线(52)。

    光检测器和光拍分光装置
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116195073A

    公开(公告)日:2023-05-30

    申请号:CN202180063266.9

    申请日:2021-05-26

    Abstract: 本发明的光检测器(10)具备:半导体基板(11)、以沿着光波导方向(A)延伸的方式形成在半导体基板(11)的主面(11a)上的台面部(12)、第1接触层(13)、第2接触层(14)、第1电极(15)、以及与第1接触层(13)和第1电极(15)电连接的空气桥配线(16)。在从与半导体基板(11)的主面(11a)垂直的方向观察的情况下,台面部(12)的在光波导方向(A)上的长度(L1)比台面部的在与光波导方向(A)垂直的方向上的长度(L2)长。空气桥配线(16),从第1接触层(13)向与光波导方向(A)垂直的方向上的一侧引出,并架设在第1接触层(13)与第1电极(15)之间。

    发光元件、发光元件的制作方法、及相位调制层设计方法

    公开(公告)号:CN113196598A

    公开(公告)日:2021-07-30

    申请号:CN201980083301.6

    申请日:2019-12-11

    Abstract: 本实施方式所涉及的发光元件抑制光输出效率的降低并且输出清晰的光学图像。该发光元件具备基板、发光部、将基板与发光部接合的接合层。发光部具有被第一电极和第二电极夹持的半导体叠层,半导体叠层包含相位调制层。相位调制层具有基本层和多个差异折射率区域,并且包括与第二电极一致或包含整体的大小的第一区域和该第一区域以外的第二区域。位于第二区域内的各差异折射率区域的重心按照特定的排列条件配置于基准面上。从半导体叠层的表面输出的光为单一光束,关于从基板至半导体叠层的表面的第一距离和从基板至半导体叠层的背面的第二距离,沿着基板上的特定方向变动的第一距离的变动量比第二距离的变动量小。

    流体分析器
    8.
    外观设计

    公开(公告)号:CN305411993S

    公开(公告)日:2019-11-01

    申请号:CN201930113800.8

    申请日:2019-03-19

    Abstract: 1.本外观设计产品的名称:流体分析器。
    2.本外观设计产品的用途:本产品是用于分析诸如气体和液体的流体分析器。
    3.本外观设计产品的设计要点:本外观设计的设计要点在于产品的形状。
    4.最能表明本外观设计设计要点的图片或照片:设计1立体图1。
    5.指定基本设计:设计1是基本设计。
    6.其他:设计7、设计8和设计9的参考图中为了示出反射部或半反射镜部而省去了盖部。

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