基于逆阻型IGCT的固态开关
    32.
    实用新型

    公开(公告)号:CN213152023U

    公开(公告)日:2021-05-07

    申请号:CN202021206704.1

    申请日:2020-06-24

    Abstract: 本公开提供一种基于逆阻型IGCT的固态开关,包括并联的开关模块和吸收保护模块;其中,所述开关模块包括反向并联的第一逆阻型IGCT和第二逆阻型IGCT,所述第一逆阻型IGCT的阳极为所述开关模块的第一端,所述第一逆阻型IGCT的阴极为所述开关模块的第二端,所述第二逆阻型IGCT的阳极连接所述第一逆阻型IGCT的阴极,所述第二逆阻型IGCT的阴极连接所述第一逆阻型IGCT的阳极;所述吸收保护模块,用于保护所述开关模块。无需在IGCT器件两端反并联二极管或者采用二极管桥式电路结构就可实现双向导通和关断,简化了固态开关的结构,减小了固态开关内部的杂散电感。而且降低了固态开关的损耗,提高了固态开关的电流关断速度。

    一种功率半导体器件驱动保护电路

    公开(公告)号:CN213152022U

    公开(公告)日:2021-05-07

    申请号:CN202021177333.9

    申请日:2020-06-22

    Abstract: 本实用新型公开了一种功率半导体器件驱动保护电路,涉及电子电路技术领域,该驱动保护电路包括:驱动模块、启停模块以及保护模块,驱动模块连接在功率半导体器件的门极与阴极之间,启停模块的一端与功率半导体器件的门极连接,启停模块的另一端与保护模块的一端连接,且启停模块的控制端连接触发控制信号,保护模块的另一端与所述功率半导体器件的阴极连接。本实用新型的有益效果是:能够在该启停模块失效后造成的功率半导体器件门阴极短路的情况下,防止功率半导体器件损坏。不仅降低了驱动电路的复杂程度,还节约成本,可广泛应用于功率半导体型器件的驱动电路中。

    高位取能电路
    34.
    实用新型

    公开(公告)号:CN216490256U

    公开(公告)日:2022-05-10

    申请号:CN202122587046.6

    申请日:2021-10-26

    Abstract: 本实用新型公开了一种高位取能电路,包括主晶闸管、正向充电模块、负向充电模块和RC吸收模块;所述正向充电模块包括第一二极管、第二二极管、第一维持晶闸管、第一维持信号单元和第一充电电容;所述负向充电模块包括第三二极管、第四二极管、第二维持晶闸管、第二维持信号单元和第二充电电容;所述RC吸收模块包括吸收电阻和吸收电容;当主晶闸管的阳极为正电压时,端电压加在第一维持晶闸管、吸收电阻、吸收电容、第三二极管形成的回路;当主晶闸管V1的阳极为负电压时,端电压加在第二维持晶闸管、吸收电阻、吸收电容、第一二极管形成的回路,这样,整个周期内控制单元均能够从RC吸收回路取电,延长了取电时间,提高了取电功率。

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