公开(公告)号：CN108206206A

公开(公告)日：2018-06-26

申请号：CN201710766837.0

申请日：2017-08-31

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 上杉谦次郎 ,  彦坂年辉 ,  布上真也

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L21/28273 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/44 ,  H01L23/482 ,  H01L23/53295

Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法，提供能够提高性能的半导体装置的制造方法。根据实施方式，半导体装置的制造方法包括：通过使用了包含第1元素的气体的干法蚀刻去除设置于包含Alx1Ga1－x1N(0≤x1

公开(公告)号：CN103985800B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201410046022.1

申请日：2014-02-08

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 胜野弘 ,  三木聪 ,  伊藤俊秀 ,  布上真也

IPC: H01L33/10 ,  H01L33/02

CPC classification number: H01L33/405 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/38 ,  H01L33/46 ,  H01L2933/0016

Abstract: 根据一个实施方式，一种半导体发光器件包含：第一金属层、第二金属层、第三金属层、半导体发光单元以及绝缘单元。半导体发光单元在第一方向上与第一金属层分离。第二金属层被设置在第一金属层和半导体发光单元之间以电连接到第一金属层，并且该第二金属层是反光的。第二金属层包含接触金属部分和外周金属部分。第三金属层是反光的。第三金属层包含内部分、中间部分以及外部分。绝缘单元包含第一绝缘部分、第二绝缘部分以及第三绝缘部分。

公开(公告)号：CN102790165B

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201210017796.2

申请日：2012-01-19

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 勝野弘 ,  三木聪 ,  岡俊行 ,  布上真也

IPC: H01L33/64 ,  H01L33/38

CPC classification number: H01L33/20 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32 ,  H01L33/36 ,  H01L33/382 ,  H01L33/387 ,  H01L33/405 ,  H01L33/44 ,  H01L33/62 ,  H01L33/647 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明涉及半导体发光器件。根据一个实施例，一种半导体发光器件包括层叠结构体、第一电极、第二电极以及介电体部件。所述层叠结构体包括第一半导体层，所述第一半导体层具有第一部分和与所述第一部分并置的第二部分、在所述第二部分上提供的发光层、在所述发光层上提供的第二半导体层。所述第一电极包括设置在所述第一部分上并与所述第一层接触的接触部件。所述第二电极包括第一部件和第二部件，所述第一部件设置在所述第二半导体层上并与所述第二层接触，所述第二部件与所述第一部件电连接并包括当从所述第一层向所述第二层的方向看时覆盖所述接触部件的部分。所述介电体部件被设置在所述接触部件和所述第二部件之间。

公开(公告)号：CN102800770B

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201210048490.3

申请日：2012-02-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 彦坂年辉 ,  原田佳幸 ,  菅井麻希 ,  布上真也

IPC: H01L33/20 ,  H01L33/00 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L33/20 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  H01L33/48

Abstract: 本发明涉及半导体发光器件、氮化物半导体层以及形成氮化物半导体层的方法。根据实施例，一种半导体发光器件包括基础层、第一半导体层、发光层以及第二半导体层。所述基础层具有不平坦部，所述不平坦部具有凹部、侧部和凸部。所述基础层的第一主表面具有覆盖区。所述基础层具有多个位错，所述位错包括其一端到达所述凹部的第一位错和其一端到达所述凸部的第二位错。到达所述第一主表面的所述第二位错的数目对所有所述第二位错的数目的比例小于到达所述第一主表面的所述第一位错的数目对所有所述第一位错的数目的比例。到达所述第一主表面的所述覆盖区的位错的数目小于所有所述第一位错的数目。

公开(公告)号：CN102668138B

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN200980163090.3

申请日：2009-12-21

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 名古肇 ,  橘浩一 ,  冈俊行 ,  木村重哉 ,  布上真也

IPC: H01L33/32

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007 ,  H01L33/025 ,  H01L33/06

Abstract: 本发明提供能够得到充分的光输出的氮化物半导体发光元件及其制造方法。具备：具有n型氮化物半导体的第1包覆层（13）；形成于第1包覆层（13）上的、具有包括In的氮化物半导体的有源层（14）；形成于有源层（14）上的GaN层（17）；形成于GaN层（17）上的、具有第一Al组成比（x1）的第一AlGaN层（18）；形成于第一AlGaN层（18）上的、具有比第一Al组成比（x1）高的第二Al组成比（x2）且含有比GaN层（17）及第一AlGaN层（18）多的Mg的p型第二AlGaN层（19）；以及形成于第二AlGaN层（19）上的、具有p型氮化物半导体的第2包覆层（20）。

公开(公告)号：CN104465908A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410411993.1

申请日：2014-08-20

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 木村重哉 ,  布上真也

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/06 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/025 ,  H01L29/15 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7783 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  H01L33/382

Abstract: 本发明涉及半导体发光器件及其制造方法。根据一个实施例，半导体发光器件包括第一和第二半导体层和发光单元。所述发光单元被提供在所述第一和第二半导体层之间，并且包括阱层和垒层。所述垒层包括p侧和n侧垒层以及第一中间垒层。所述n侧垒层被提供在所述p侧垒层和所述第一半导体层之间。所述第一中间垒层被提供在所述垒层之间。所述阱层包括p侧和n侧阱层以及第一中间阱层。所述p侧阱层被提供在所述p侧垒层和所述第二半导体层之间。所述n侧阱层被提供在所述n侧垒层和所述第一中间垒层之间。所述第一中间阱层被提供在所述第一中间垒层和所述p侧垒层之间。

公开(公告)号：CN102194986B

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN201010275105.X

申请日：2010-09-06

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 后藤田徹 ,  名古肇 ,  冈俊行 ,  财满康太郎 ,  布上真也

IPC: H01L33/54

CPC classification number: H01L33/0079 ,  H01L33/22 ,  H01L33/44 ,  H01L33/60 ,  H01L2224/11 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/005

Abstract: 本发明涉及半导体发光器件以及半导体发光器件的制造方法。一种半导体发光器件具有支撑衬底、发光元件和底部填充材料。所述发光元件包括在所述支撑衬底上通过凸起而接触的基于氮化物的III-V族化合物半导体层。所述底部填充材料被设置在所述支撑衬底与所述发光元件之间，所述底部填充材料包括肋部，所述肋部被设置在所述发光元件的端面的外侧以围绕所述发光元件的所述端面。

公开(公告)号：CN104037286A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201410080036.5

申请日：2014-03-06

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 木村重哉 ,  名古肇 ,  布上真也

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01L33/00 ,  H01S5/34

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/08 ,  H01L33/32 ,  H01L33/382

Abstract: 根据一个实施方式，半导体发光元件包括n型的第一半导体层、p型的第二半导体层和发光单元。第一半导体层包括氮化物半导体。第二半导体层包括氮化物半导体。发光单元被设置在第一半导体层和第二半导体层之间。发光单元包括多个阱层和多个势垒层，所述多个阱层与所述多个势垒层交替堆叠。阱层包括最接近第二半导体层的第一p侧阱层、以及第二最接近第二半导体层的第二p侧阱层。第一p侧阱层的激子的定域能小于第二p侧阱层的激子的定域能。

公开(公告)号：CN103943743A

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201410190978.9

申请日：2010-09-08

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 木村重哉 ,  名古肇 ,  岡俊行 ,  橘浩一 ,  彦坂年輝 ,  布上真也

IPC: H01L33/04 ,  H01L33/06 ,  B82Y20/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/04 ,  H01L33/06 ,  H01S5/3216 ,  H01S5/34333

Abstract: 本发明涉及半导体发光器件及其制造方法。根据一个实施例，一种半导体发光器件包括包含氮化物半导体的n型半导体层、包含氮化物半导体的p型半导体层、发光部以及层叠体。所述发光部被设置在所述n型半导体层与所述p型半导体层之间并包括势垒层和阱层。所述阱层与所述势垒层层叠。所述层叠体被设置在所述发光部与所述n型半导体层之间并包括第一层和第二层。所述第二层与所述第一层层叠。所述层叠体的平均In组成比高于所述发光部的平均In组成比的0.4倍。所述势垒层的层厚度tb为10nm或更小。

公开(公告)号：CN103840040A

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201310388586.9

申请日：2013-08-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 山田真嗣 ,  胜野弘 ,  三木聪 ,  布上真也

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/02 ,  H01L33/36 ,  H01L33/64

CPC classification number: H01L33/50 ,  H01L33/36 ,  H01L33/38 ,  H01L33/382 ,  H01L33/385 ,  H01L33/44 ,  H01L33/486 ,  H01L33/505 ,  H01L33/647 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0075 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体发光器件及其制造方法。根据一个实施例，一种半导体发光器件包括：层叠体、波长转换层、第一金属层和第一绝缘部分。所述层叠体包括：第一和第二半导体层；以及第一发光层，被提供在所述第一和第二半导体层之间。所述波长转换层被配置为转换从所述第一发光层发射的光的波长。所述第一半导体层被设置在所述第一发光层和所述波长转换层之间。所述第一金属层电连接到所述第二半导体层。所述第一绝缘部分被提供在第一侧表面和所述第一金属层的第一侧表面部分之间以及在所述波长转换层和所述第一侧表面部分之间。