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公开(公告)号：CN104465935A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410602442.3
申请日：2012-01-19
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/0079 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/36 , H01L33/382 , H01L33/387 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L33/62 , H01L33/647 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L33/0075 , H01L33/38 , H01L33/46 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及半导体发光器件。根据一个实施例，一种半导体发光器件包括层叠结构体、第一电极、第二电极以及介电体部件。所述层叠结构体包括第一半导体层，所述第一半导体层具有第一部分和与所述第一部分并置的第二部分、在所述第二部分上提供的发光层、在所述发光层上提供的第二半导体层。所述第一电极包括设置在所述第一部分上并与所述第一层接触的接触部件。所述第二电极包括第一部件和第二部件，所述第一部件设置在所述第二半导体层上并与所述第二层接触，所述第二部件与所述第一部件电连接并包括当从所述第一层向所述第二层的方向看时覆盖所述接触部件的部分。所述介电体部件被设置在所述接触部件和所述第二部件之间。
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公开(公告)号：CN105810789A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610016248.6
申请日：2016-01-11
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/0008 , H01L33/0079 , H01L33/145 , H01L33/38 , H01L33/62 , H01L33/36 , H01L33/641
Abstract: 本发明的实施方式提供一种改善了发光效率的半导体发光元件。实施方式的半导体发光元件具备：半导体层，包含第1导电型的第1半导体层、第2导电型的第2半导体层、及设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间的发光层；电极垫，与所述半导体层相邻而设置；第1电极，一端连接在所述电极垫，从所述电极垫线状地延伸而连接在所述第1半导体层；第2电极，与所述第2半导体层连接；以及设置在所述第1半导体层的一部分与所述第1电极的一部分之间的层，该层具有比所述第1电极的导电率低的导电率。所述第1电极随着远离所述电极垫，而与所述延伸的方向垂直的方向的长度即电极宽度变短且与所述第1电极的连接面积减少。
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公开(公告)号：CN103985800B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410046022.1
申请日：2014-02-08
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/0079 , H01L33/38 , H01L33/46 , H01L2933/0016
Abstract: 根据一个实施方式，一种半导体发光器件包含：第一金属层、第二金属层、第三金属层、半导体发光单元以及绝缘单元。半导体发光单元在第一方向上与第一金属层分离。第二金属层被设置在第一金属层和半导体发光单元之间以电连接到第一金属层，并且该第二金属层是反光的。第二金属层包含接触金属部分和外周金属部分。第三金属层是反光的。第三金属层包含内部分、中间部分以及外部分。绝缘单元包含第一绝缘部分、第二绝缘部分以及第三绝缘部分。
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公开(公告)号：CN102790165B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201210017796.2
申请日：2012-01-19
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/0079 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/36 , H01L33/382 , H01L33/387 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L33/62 , H01L33/647 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及半导体发光器件。根据一个实施例，一种半导体发光器件包括层叠结构体、第一电极、第二电极以及介电体部件。所述层叠结构体包括第一半导体层，所述第一半导体层具有第一部分和与所述第一部分并置的第二部分、在所述第二部分上提供的发光层、在所述发光层上提供的第二半导体层。所述第一电极包括设置在所述第一部分上并与所述第一层接触的接触部件。所述第二电极包括第一部件和第二部件，所述第一部件设置在所述第二半导体层上并与所述第二层接触，所述第二部件与所述第一部件电连接并包括当从所述第一层向所述第二层的方向看时覆盖所述接触部件的部分。所述介电体部件被设置在所述接触部件和所述第二部件之间。
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公开(公告)号：CN103840040A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201310388586.9
申请日：2013-08-30
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/50 , H01L33/36 , H01L33/38 , H01L33/382 , H01L33/385 , H01L33/44 , H01L33/486 , H01L33/505 , H01L33/647 , H01L2924/0002 , H01L2933/0075 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及半导体发光器件及其制造方法。根据一个实施例，一种半导体发光器件包括：层叠体、波长转换层、第一金属层和第一绝缘部分。所述层叠体包括：第一和第二半导体层；以及第一发光层，被提供在所述第一和第二半导体层之间。所述波长转换层被配置为转换从所述第一发光层发射的光的波长。所述第一半导体层被设置在所述第一发光层和所述波长转换层之间。所述第一金属层电连接到所述第二半导体层。所述第一绝缘部分被提供在第一侧表面和所述第一金属层的第一侧表面部分之间以及在所述波长转换层和所述第一侧表面部分之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104465935B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410602442.3
申请日：2012-01-19
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/0079 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/36 , H01L33/382 , H01L33/387 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L33/62 , H01L33/647 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及半导体发光器件。根据一个实施例，一种半导体发光器件包括层叠结构体、第一电极、第二电极以及介电体部件。所述层叠结构体包括第一半导体层，所述第一半导体层具有第一部分和与所述第一部分并置的第二部分、在所述第二部分上提供的发光层、在所述发光层上提供的第二半导体层。所述第一电极包括设置在所述第一部分上并与所述第一层接触的接触部件。所述第二电极包括第一部件和第二部件，所述第一部件设置在所述第二半导体层上并与所述第二层接触，所述第二部件与所述第一部件电连接并包括当从所述第一层向所述第二层的方向看时覆盖所述接触部件的部分。所述介电体部件被设置在所述接触部件和所述第二部件之间。
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公开(公告)号：CN105990480A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201610007222.5
申请日：2016-01-06
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 三木聪
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/145
Abstract: 实施方式的半导体发光元件具备：第一导电型的第一半导体层；包含铜及含有铜的合金中的至少任一者的第一电极；设置在所述第一电极与所述第一半导体层之间、包含银及铝中的至少任一者的第一金属层；第二导电型的第二半导体层；及设置在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的第三半导体层。
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公开(公告)号：CN105098010A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510098499.9
申请日：2015-03-05
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/005 , H01L33/145 , H01L2933/0016 , H01L33/0075
Abstract: 本发明的实施方式涉及一种半导体发光元件及其制造方法。实施方式的半导体发光元件包含积层体、第一电极、第二电极、及第一层。所述积层体包含：第一半导体层、第二半导体层、及发光层。所述第一半导体层具有第一导电型。所述第二半导体层具有第二导电型。所述发光层设置在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间。所述第一电极连接在所述第一半导体层。所述第一电极包含：线状部分、及转向部分。所述线状部分相连在所述转向部分。所述第二电极连接在所述第二半导体层。所述第一层设置在所述第一半导体层的一部分与所述第一电极的所述转向部分之间。
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公开(公告)号：CN103985800A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201410046022.1
申请日：2014-02-08
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/0079 , H01L33/38 , H01L33/46 , H01L2933/0016 , H01L33/44
Abstract: 根据一个实施方式，一种半导体发光器件包含：第一金属层、第二金属层、第三金属层、半导体发光单元以及绝缘单元。半导体发光单元在第一方向上与第一金属层分离。第二金属层被设置在第一金属层和半导体发光单元之间以电连接到第一金属层，并且该第二金属层是反光的。第二金属层包含接触金属部分和外周金属部分。第三金属层是反光的。第三金属层包含内部分、中间部分以及外部分。绝缘单元包含第一绝缘部分、第二绝缘部分以及第三绝缘部分。
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公开(公告)号：CN102790165A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201210017796.2
申请日：2012-01-19
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/0079 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/36 , H01L33/382 , H01L33/387 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L33/62 , H01L33/647 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及半导体发光器件。根据一个实施例，一种半导体发光器件包括层叠结构体、第一电极、第二电极以及介电体部件。所述层叠结构体包括第一半导体层，所述第一半导体层具有第一部分和与所述第一部分并置的第二部分、在所述第二部分上提供的发光层、在所述发光层上提供的第二半导体层。所述第一电极包括设置在所述第一部分上并与所述第一层接触的接触部件。所述第二电极包括第一部件和第二部件，所述第一部件设置在所述第二半导体层上并与所述第二层接触，所述第二部件与所述第一部件电连接并包括当从所述第一层向所述第二层的方向看时覆盖所述接触部件的部分。所述介电体部件被设置在所述接触部件和所述第二部件之间。
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