-
公开(公告)号：CN104732987A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201410165545.8
申请日：2014-04-23
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11B5/84
CPC classification number: G11B5/8408 , C25D1/10 , G03F1/00 , G03F7/00 , G11B5/855 , H01L21/263 , H01L21/2633 , H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/31116
Abstract: 本发明的目的在于得到图案尺寸精度良好的图案形成方法。根据实施方式，可得到一种图案形成方法，其中，包含：在基板上形成被加工层的工序；将含有金属微粒与溶剂的金属微粒涂敷液涂敷到被加工层上以形成金属微粒层的工序；通过第1蚀刻降低金属微粒周围的保护基量的工序；暴露于包含C与F的气体中并使气体吸附于金属微粒周围而形成保护层的工序；以及通过第2蚀刻将凸图案向该被加工层复制的工序。
-
公开(公告)号：CN104700849A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201410068180.7
申请日：2014-02-27
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 岩崎刚之
CPC classification number: G11B5/66 , G11B5/732 , G11B5/7325
Abstract: 本发明提供能得到磁性粒子的良好结晶取向性和低粒径分散、且具有良好的记录再现特性、并能进行高密度记录的垂直磁记录介质及使用其的磁记录再现装置。该装置具备：取向控制层，其由具有fcc结构的镍合金所构成；非磁性缓冲层，其包括具有fcc结构的银；非磁性种子层，其由具有fcc结构的银粒子和设置于银粒子间的非晶质的锗晶界所构成；非磁性中间层，其且由钌或钌合金所构成；以及垂直磁记录层，取向控制层和非磁性缓冲层、非磁性缓冲层和非磁性种子层接触地形成。
-
公开(公告)号：CN1802697B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200480015635.3
申请日：2004-04-07
Abstract: 一种磁记录介质，其在非磁性基片上提供至少：取向控制层，用来控制直接形成于其上的层取向、垂直磁性层，具有取向基本垂直于非磁性基片的易磁化轴、以及保护层，垂直磁性层包括多个磁性层，其中包括上下接触的第一磁性层和第二磁性层，第一磁性层是主要成分为Co、还包含Pt且包含氧化物的下层，并且第二磁性层是主要成分为Co、还包含Cr且不包含氧化物的上层。下层具有散布在其中的磁性晶体颗粒，磁性晶体颗粒的周围离析出氧化物以对磁性晶体颗粒进行磁性隔离和精细划分，并且磁性晶体颗粒以柱状形式贯穿层，下层的柱状磁性晶体颗粒的上面外延生长有上层的磁性晶体颗粒且与其一对一、一对多或多对一对应。
-
公开(公告)号：CN100505045C
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200480038388.9
申请日：2004-12-24
CPC classification number: G11B5/7325 , C23C14/0688 , C23C14/185 , G11B5/65 , G11B5/656 , G11B5/712 , G11B5/85
Abstract: 一种磁记录介质62，其中包括：衬底11；在衬底11上形成的底涂层13和14；以及磁记录层15，其包括磁性晶粒和包围所述晶粒的晶粒间界区域。晶粒间界区域包括钛氧化物，且磁记录层15中的钛氧化物的物质含量的比率为5mol%至15mol%之间，所述钛氧化物包括至少TiO和/或Ti2O3。
-
公开(公告)号：CN100421155C
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200480027438.3
申请日：2004-09-22
Abstract: 通过使垂直磁记录层的结构更加精细，而使得可以进行高密度记录。垂直磁记录介质(10)包括在非磁性基底(1)上层叠的至少非磁性下层(2)、垂直磁性层(3)以及保护层，其中垂直磁性层包括铁磁性晶粒和非磁性晶粒间界区域，其中晶粒间界区域包括至少两种氧化物，其选自于：钇氧化物、钨氧化物、镁氧化物、铝氧化物、锆氧化物、铪氧化物、钛氧化物、铈氧化物、硅氧化物、铬氧化物、镍氧化物以及钽氧化物，其中所述磁性层的形成所述晶粒间界区域的氧化物含量为0.1mol%到30mol%。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100343903C
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN200510059497.5
申请日：2005-03-25
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/7325 , G11B5/656
Abstract: 本发明公开了一种垂直磁记录媒体，该垂直磁记录媒体包括：非磁性衬底；第一垫层，形成在该非磁性衬底上，主要由从包括Fe2O3、Co3O4、MgO、MoO3、Mn3O4、SiO2、Al2O3、TiO2以及ZrO2的组中选择的至少两种构成，而且具有以柱形生长的晶粒和包围该晶粒的晶粒边界；非磁性第二垫层，形成在第一垫层上，而且具有生长在第一垫层的晶粒上、具有面心立方晶格结构和六方紧密堆积结构之一的晶粒；磁性层，形成在第二垫层上；以及保护层，形成在该磁性层上。
-
公开(公告)号：CN1275232C
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200410045124.8
申请日：2004-03-17
IPC: G11B5/708
Abstract: 本文公开的是一种磁记录介质，其包括一衬底(11)，一底层(13，14)，以及一垂直磁记录层(15)，其中这个垂直磁记录层包括磁性晶粒和环绕该磁性晶粒的基质，并且该基质包含从Zn，Cd，Al，Ga和In中选出的一种元素，以及从P，As，Sb，S，Se和Te中选出的一种元素。
-
公开(公告)号：CN1802697A
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN200480015635.3
申请日：2004-04-07
Abstract: 一种磁记录介质，其在非磁性基片1上提供至少：取向控制层3，用来控制直接形成于其上的层的取向、垂直磁性层4，具有取向基本垂直于非磁性基片1的易磁化轴、以及保护层5，其特征在于，垂直磁性层4包括两个或更多个磁性层，所述磁性层中的至少一个是主要成分为Co、还包含Pt且包含氧化物的层4a，并且所述磁性层的至少另一个是主要成分为Co、还包含Cr且不包含氧化物的层4b。
-
公开(公告)号：CN1551123A
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：CN200410007300.9
申请日：2004-02-27
Abstract: 本申请公开了一种磁记录介质和磁记录/再现设备。其中形成一个多层(4)，其包括磁记录层(2)和高磁致形变层(3)，后者具有大于磁记录层(10)的磁致形变常数。
-
公开(公告)号：CN1538391A
公开(公告)日：2004-10-20
申请号：CN200410031901.3
申请日：2004-03-31
CPC classification number: G11B5/667 , G11B5/656 , G11B5/66 , G11B5/7325
Abstract: 公开了一种垂直磁记录介质(10)，包括非磁性基板(1)、包括具有39.5kA/m或更小的垂直矫顽力的铁磁底层(2)和具有50到150emu/cc的饱和磁化Ms的弱磁性底层(3)的多层底层(4)以及垂直磁记录层(5)。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
40
records
(took 0.026 seconds)
