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公开(公告)号：CN1802697B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200480015635.3
申请日：2004-04-07
Abstract: 一种磁记录介质，其在非磁性基片上提供至少：取向控制层，用来控制直接形成于其上的层取向、垂直磁性层，具有取向基本垂直于非磁性基片的易磁化轴、以及保护层，垂直磁性层包括多个磁性层，其中包括上下接触的第一磁性层和第二磁性层，第一磁性层是主要成分为Co、还包含Pt且包含氧化物的下层，并且第二磁性层是主要成分为Co、还包含Cr且不包含氧化物的上层。下层具有散布在其中的磁性晶体颗粒，磁性晶体颗粒的周围离析出氧化物以对磁性晶体颗粒进行磁性隔离和精细划分，并且磁性晶体颗粒以柱状形式贯穿层，下层的柱状磁性晶体颗粒的上面外延生长有上层的磁性晶体颗粒且与其一对一、一对多或多对一对应。
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公开(公告)号：CN1802697A
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN200480015635.3
申请日：2004-04-07
Abstract: 一种磁记录介质，其在非磁性基片1上提供至少：取向控制层3，用来控制直接形成于其上的层的取向、垂直磁性层4，具有取向基本垂直于非磁性基片1的易磁化轴、以及保护层5，其特征在于，垂直磁性层4包括两个或更多个磁性层，所述磁性层中的至少一个是主要成分为Co、还包含Pt且包含氧化物的层4a，并且所述磁性层的至少另一个是主要成分为Co、还包含Cr且不包含氧化物的层4b。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1735932A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200480002118.2
申请日：2004-01-14
IPC: G11B5/64
CPC classification number: G11B5/667 , G11B5/65 , G11B5/656 , G11B5/7325 , G11B5/8404
Abstract: 一种磁记录介质，其在非磁性基片上提供软磁性底涂膜、第一底涂膜、第二底涂膜、垂直磁记录膜、以及保护膜，并且所述第一底涂膜由Pt、Pd或包括Pt和Pd中至少一种的合金构成，所述第二底涂膜由Ru或Ru合金构成。
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公开(公告)号：CN1194718A
公开(公告)日：1998-09-30
申请号：CN97190590.8
申请日：1997-05-21
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01J1/22 , H01J1/26 , H01J1/20 , H01J1/24 , H01J3/02 , H01J29/04 , H01J31/20 , H01J31/00 , H01J9/08 , H01J9/04
CPC classification number: H01J1/22 , H01J1/24 , H01J9/04 , H01J29/04 , H01J29/485 , H01J2201/2878 , H01J2231/1255
Abstract: 一种阴极组件,配有:带有一对相对的面的、具有热传导性的绝缘基板(21);和装在绝缘基板(21)的一个表面上的阴极基体(24)。在绝缘基板(21)的另一表面上,形成加热阴极基体(24)的发热体(25)。通过介入的导电层(26a)把电极端子(26)固定在发热体(25)的电极上。把第1栅极(30)固定在绝缘基板(21)上,使栅极(30)与阴极基体(24)之间构成预定的间隙。
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公开(公告)号：CN1190488A
公开(公告)日：1998-08-12
申请号：CN96195427.2
申请日：1996-06-06
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01J23/087 , H01J1/28 , H01J9/042 , H01J23/04 , H01J2223/04
Abstract: 一种以浸渍电子发射物使用浸渍型阴极基体的浸渍型阴极组件,它包括:大粒径低孔隙率区域;和小粒径高孔隙率区域,其平均粒径小于大粒径低孔隙率区域的平均粒径、其孔隙率大于大粒径低孔隙率区域的孔隙率。
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公开(公告)号：CN1115705C
公开(公告)日：2003-07-23
申请号：CN97190590.8
申请日：1997-05-21
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01J1/22 , H01J1/26 , H01J1/20 , H01J1/24 , H01J3/02 , H01J29/04 , H01J31/20 , H01J31/00 , H01J9/08 , H01J9/04
CPC classification number: H01J1/22 , H01J1/24 , H01J9/04 , H01J29/04 , H01J29/485 , H01J2201/2878 , H01J2231/1255
Abstract: 一种阴极组件，配有：带有一对相对的面的、具有热传导性的绝缘基板(21)；和装在绝缘基板(21)的一个表面上的阴极基体(24)。在绝缘基板(21)的另一表面上，形成加热阴极基体(24)的发热体(25)。通过介入的导电层(26a)把电极端子(26)固定在发热体(25)的电极上。把第1栅极(30)固定在绝缘基板(21)上，使栅极(30)与阴极基体(24)之间构成预定的间隙。
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公开(公告)号：CN1099125C
公开(公告)日：2003-01-15
申请号：CN96195427.2
申请日：1996-06-06
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01J23/087 , H01J1/28 , H01J9/042 , H01J23/04 , H01J2223/04
Abstract: 一种以浸渍电子发射物使用浸渍型阴极基体的浸渍型阴极组件，它包括：大粒径低孔隙率区域；和小粒径高孔隙率区域，其平均粒径小于大粒径低孔隙率区域的平均粒径、其孔隙率大于大粒径低孔隙率区域的孔隙率。
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