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公开(公告)号：CN1551122A
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：CN200410007277.3
申请日：2004-02-27
CPC classification number: G11B5/732 , G11B5/667 , G11B5/7325
Abstract: 磁记录介质和包含该磁记录介质的磁记录/再现装置，其中磁记录介质包含具有粒状结构的取向控制层(3)，该取向控制层在衬底(1)和磁记录层(4)之间形成并包含基底材料和分散在基底材料上的颗粒并且具有小于颗粒粒径的厚度。
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公开(公告)号：CN1487507A
公开(公告)日：2004-04-07
申请号：CN03154627.7
申请日：2003-07-11
Abstract: 一种磁记录介质包括非磁性基片，在这个基片上有至少一层软磁性下膜、一层控制直接在其上的膜定向的定向控制膜、一层具有基本上垂直于基片的易磁化轴的垂直磁记录膜，和一层保护膜，其中定向控制膜具有形成C11b结构的材料组成。该磁记录介质采用一种方法生产，该生产方法包括按顺序实施以下步骤：至少一个在非磁性基片上形成软磁性下膜的步骤、形成控制直接在其上的膜定向的定向控制膜的步骤、形成具有基本上与基片垂直的易磁化轴的垂直磁记录膜的步骤，和形成保护膜的步骤。一种磁记录和再现设备包括磁记录介质和在磁记录介质上记录和再现信息的磁头，其中磁头是磁单极头。
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公开(公告)号：CN1275232C
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200410045124.8
申请日：2004-03-17
IPC: G11B5/708
Abstract: 本文公开的是一种磁记录介质，其包括一衬底(11)，一底层(13，14)，以及一垂直磁记录层(15)，其中这个垂直磁记录层包括磁性晶粒和环绕该磁性晶粒的基质，并且该基质包含从Zn，Cd，Al，Ga和In中选出的一种元素，以及从P，As，Sb，S，Se和Te中选出的一种元素。
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公开(公告)号：CN1735932A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200480002118.2
申请日：2004-01-14
IPC: G11B5/64
CPC classification number: G11B5/667 , G11B5/65 , G11B5/656 , G11B5/7325 , G11B5/8404
Abstract: 一种磁记录介质，其在非磁性基片上提供软磁性底涂膜、第一底涂膜、第二底涂膜、垂直磁记录膜、以及保护膜，并且所述第一底涂膜由Pt、Pd或包括Pt和Pd中至少一种的合金构成，所述第二底涂膜由Ru或Ru合金构成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1275231C
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200410031899.X
申请日：2004-03-31
IPC: G11B5/62
CPC classification number: G11B5/7325 , G11B5/656
Abstract: 本文公开了垂直磁记录介质和磁记录/再现装置。一种垂直磁记录介质(10)，在垂直磁记录层(4)之下形成了一个内涂层(3)，它具有若干晶体颗粒和一种含有碳化物或硼化物的颗粒边界材料，在上述内涂层(3)之下形成了另一个内涂层(2)，它含有形成晶体颗粒的元素之一。通过进一步缩小垂直磁记录层(4)的颗粒尺寸，它能够进行高密度记录。
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公开(公告)号：CN1538392A
公开(公告)日：2004-10-20
申请号：CN200410045124.8
申请日：2004-03-17
IPC: G11B5/708
Abstract: 本文公开的是一种磁记录介质，其包括一衬底(11)，一底层(13，14)，以及一垂直磁记录层(15)，其中这个垂直磁记录层包括磁性晶粒和环绕该磁性晶粒的基质，并且该基质包含从Zn，Cd，Al，Ga和In中选出的一种元素，以及从P，As，Sb，S，Se和Te中选出的一种元素。
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公开(公告)号：CN1282163C
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：CN200410007277.3
申请日：2004-02-27
CPC classification number: G11B5/732 , G11B5/667 , G11B5/7325
Abstract: 磁记录介质和包含该磁记录介质的磁记录/再现装置，其中磁记录介质包含具有粒状结构的取向控制层(3)，该取向控制层在衬底(1)和磁记录层(4)之间形成并包含基底材料和分散在基底材料上的颗粒并且具有小于颗粒粒径的厚度。
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公开(公告)号：CN1270294C
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN03154627.7
申请日：2003-07-11
Abstract: 一种磁记录介质包括非磁性基片，在这个基片上有至少一层软磁性下膜、一层控制直接在其上的膜定向的定向控制膜、一层具有基本上垂直于基片的易磁化轴的垂直磁记录膜，和一层保护膜，其中定向控制膜具有形成C11b结构的材料组成。该磁记录介质采用一种方法生产，该生产方法包括按顺序实施以下步骤：至少一个在非磁性基片上形成软磁性下膜的步骤、形成控制直接在其上的膜定向的定向控制膜的步骤、形成具有基本上与基片垂直的易磁化轴的垂直磁记录膜的步骤，和形成保护膜的步骤。一种磁记录和再现设备包括磁记录介质和在磁记录介质上记录和再现信息的磁头，其中磁头是磁单极头。
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公开(公告)号：CN1538390A
公开(公告)日：2004-10-20
申请号：CN200410031899.X
申请日：2004-03-31
IPC: G11B5/62
CPC classification number: G11B5/7325 , G11B5/656
Abstract: 本文公开了垂直磁记录介质和磁记录/再现装置。一种垂直磁记录介质(10)，在垂直磁记录层(4)之下形成了一个内涂层(3)，它具有若干晶体颗粒和一种含有碳化物或硼化物的颗粒边界材料，在上述内涂层(3)之下形成了另一个内涂层(2)，它含有形成晶体颗粒的元素之一。通过进一步缩小垂直磁记录层(4)的颗粒尺寸，它能够进行高密度记录。
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