公开(公告)号：CN100539231C

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200610141248.5

申请日：2006-09-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 池川纯夫 ,  中山昌彦 ,  甲斐正 ,  北川英二 ,  与田博明

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12 ,  H01F10/00 ,  H01F10/32

CPC classification number: G11C11/1657 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1655 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675

Abstract: 根据本发明一个方面的一种磁阻元件包括其磁化状态改变的自由层和其磁化状态固定的钉扎层。所述自由层包括第一和第二铁磁性层以及设置在所述第一和第二铁磁性层之间的非磁性层。设定所述第一和第二铁磁性层之间的交换耦合强度，以使星形曲线沿难磁化方向开口。

公开(公告)号：CN101399312A

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200810215231.9

申请日：2008-09-22

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 永瀬俊彦 ,  吉川将寿 ,  北川英二 ,  西山胜哉 ,  大坊忠臣 ,  岸达也 ,  与田博明

IPC: H01L43/08 ,  H01L27/22 ,  H01F10/32 ,  G11C11/16 ,  G11C11/15

CPC classification number: H01L43/10 ,  B82Y25/00 ,  G11C11/161 ,  H01F10/123 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3286 ,  H01L27/228

Abstract: 磁阻元件(10)包含：基底层(23)，其由具有NaCl构造、并且取向于(001)面的氮化物构成；第一磁性层(14)，其被设置在上述基底层(23)上，且具有垂直于膜面的方向的磁各向异性，并且由具有L10构造、并且取向于(001)面的铁磁性合金构成；非磁性层(16)，其被设置在上述第一磁性层(14)上；以及第二磁性层(17)，其被设置在上述非磁性层(16)上，并且具有垂直于膜面的方向的磁各向异性。

公开(公告)号：CN100470664C

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN02151651.0

申请日：2002-12-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 天野実 ,  岸達也 ,  与田博明 ,  斉藤好昭 ,  高桥茂树 ,  上田知正 ,  西山胜哉 ,  浅尾吉昭 ,  岩田佳久

IPC: G11C11/15 ,  G11C5/00

CPC classification number: G11C11/15

Abstract: 提供一种磁存储装置，即使提高存储密度，也能提高在存储单元中使用的磁效应元件存储层的存储维持状态稳定性，且可靠性高。存储单元在选择与第一写入布线对应的第二写入布线时分别被选择，且具有：磁阻效应元件，其具有通过在第一及第二写入布线上分别流过电流产生磁场而存储应写入的信息的存储层；第一结构部件，设置成包围第一写入布线，在记录层磁化容易轴方向上配置记录层和形成磁闭路的两端部；和第二结构部件，设置成包围第二写入布线，在记录层磁化困难的轴方向上配置使记录层磁化困难轴方向磁场强化的两端部。第一结构部件的两端部配置成比第二结构部件的两端部更接近记录层。

公开(公告)号：CN100419905C

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN200410061664.5

申请日：2004-06-23

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 永濑俊彦 ,  与田博明 ,  吉川将寿 ,  甲婓正 ,  岸达也 ,  相川尚德 ,  上田知正

IPC: G11C11/15

CPC classification number: G11C11/16

Abstract: 本发明的磁随机存取存储器设备使“0”、“1”的信息与具有非磁性层和2层磁性层的MTJ元件的因2层磁性层的磁化排列状态而变化的电阻值对应。在与MTJ元件接近配置的写入布线中流过电流而产生感应磁通，并使MTJ元件的2层磁性层中的一个的记录层的磁化变化而写入信息的MRAM中，MTJ元件是2层磁性层的磁化方向朝向膜面垂直方向的垂直型的MTJ元件。写入布线被配置在与MTJ元件的厚度方向垂直的方向上，在MTJ元件的磁性层的磁化方向上施加产生的磁场。磁轭从厚度方向夹着MTJ元件，向MTJ元件的磁性层施加基于写入布线而产生的磁场。

公开(公告)号：CN101202103A

公开(公告)日：2008-06-18

申请号：CN200710160031.3

申请日：2004-04-09

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 梶山健 ,  福住嘉晃 ,  与田博明 ,  宮本顺一

IPC: G11C11/16 ,  G06F13/00

CPC classification number: G06K19/06187 ,  G11C11/16

Abstract: 提供能缩短数据传输时间的数据复制方法等，此方法包括经由网络连接数据复制装置与服务器的步骤、从此服务器的数据库中选择第一数据的步骤、将此第一数据下载到上述复制装置中的步骤、将此下载的上述第一数据写入第一磁存储器中的步骤、将第二磁存储器设于上述数据复制装置中的步骤、使上述第一磁存储器与第二磁存储器靠近以对上述第二磁存储器进行磁性复制而由此将第二数据写入上述第二磁存储器中的步骤。

公开(公告)号：CN101162756A

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN200710141632.X

申请日：2007-08-17

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 北川英二 ,  永濑俊彦 ,  吉川将寿 ,  西山胜哉 ,  岸达也 ,  与田博明

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L27/22 ,  G11C11/15 ,  G11C11/16 ,  H01F10/32

CPC classification number: G11C11/16 ,  B82Y25/00 ,  H01F10/123 ,  H01F10/3236 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3286 ,  H01F10/329 ,  H01L43/08 ,  Y10S977/935

Abstract: 本发明涉及磁阻元件和磁存储器。一种磁阻元件(10)包括：包含磁性材料并具有(001)面取向的fct晶体结构的自由层(12)，该自由层(12)具有与膜面垂直并具有可通过自旋极化电子改变的方向的磁化；夹住自由层(12)并具有四方晶体结构和立方晶体结构中的一个的第一非磁性层(13)和第二非磁性层(14)；和仅被设置在自由层(12)的一侧和第一非磁性层(13)的与具有自由层(12)的表面相对的表面上并包含磁性材料的固定层(11)，该固定层(11)具有与膜面垂直并具有固定方向的磁化。

公开(公告)号：CN101131866A

公开(公告)日：2008-02-27

申请号：CN200710141062.4

申请日：2007-08-16

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 北川英二 ,  吉川将寿 ,  岸达也 ,  与田博明

IPC: G11C11/16

CPC classification number: G11C11/1693 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675

Abstract: 本发明公开了一种磁性存储元件、磁性存储器和驱动磁性存储器的方法。在执行读取时可以防止不经意的写入。用于在磁性存储层中写入信息的写入电流脉冲的持续时间比用于从磁性存储层读取信息的读取电流脉冲的持续时间长。

公开(公告)号：CN107689416A

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201710109879.7

申请日：2017-02-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 齐藤好昭 ,  与田博明 ,  加藤侑志 ,  石川瑞惠 ,  及川壮一

IPC: H01L43/08 ,  G11C11/16 ,  H01L29/82

Abstract: 本发明涉及磁存储器。提供一种改善了写入效率的SOT写入方式的磁存储器。根据本实施方案的磁存储器具备：第1至第3端子；导电性的第1非磁性层，具有第1至第3部分，所述第1部分位于所述第2部分与所述第3部分之间，所述第2部分与所述第1端子电连接，所述第3部分与所述第2端子电连接；第1磁阻元件，具有与所述第3端子电连接的第1磁性层、配置在所述第1磁性层与所述第1部分之间的第2磁性层、以及配置在所述第1磁性层与所述第2磁性层之间的第2非磁性层；和第1层，至少配置在所述第1部分与所述第2磁性层之间，包含Mg、Al、Si、Hf和稀土元素中的至少一种元素、以及氧和氮中的至少一种元素。

公开(公告)号：CN103069564A

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201180039960.3

申请日：2011-09-16

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 中山昌彦 ,  与田博明 ,  岸达也 ,  小濑木淳一 ,  甲斐正 ,  相川尚德 ,  池川纯夫

IPC: H01L21/8246 ,  G11C11/15 ,  H01L27/105 ,  H01L29/82 ,  H01L43/08

CPC classification number: H01L43/02 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1655 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/1693 ,  H01F10/123 ,  H01F10/325 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3272 ,  H01F10/3286 ,  H01F10/329 ,  H01L27/224 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08

Abstract: 本发明的磁阻效应元件具备:第1铁磁性层(12)，磁化相对于膜面大致垂直且可变；第2铁磁性层(16)，磁化相对于膜面大致垂直且不变；第1非磁性层(14)，设于第1铁磁性层与第2铁磁性层之间；第3铁磁性层(20)，设于相对于第2铁磁性层的与第1非磁性层的相反侧，具有与膜面大致平行的磁化，通过注入被自旋极化后的电子来产生旋转磁场；以及第2非磁性层(18)，设于第2铁磁性层与第3铁磁性层之间，使第1电流沿着从第3铁磁性层经由第2铁磁性层朝向第1铁磁性层的方向以及从第1铁磁性层经由第2铁磁性层朝向第3铁磁性层的方向中的一个方向流过，由此，通过由第3铁磁性层产生的旋转磁场，第1铁磁性层的磁化能够反转，并使具有与第1电流不同的电流密度的第2电流向一个方向流过，借助于通过第2铁磁性层被自旋极化后的电子，第1铁磁性层的磁化能够向与流过第1电流的情况不同的方向反转。

公开(公告)号：CN101546807B

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN200910127673.2

申请日：2009-03-23

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 北川英二 ,  吉川将寿 ,  永瀬俊彦 ,  大坊忠臣 ,  长岭真 ,  西山胜哉 ,  岸达也 ,  与田博明

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  G11C11/15

CPC classification number: H01L43/08 ,  G11C11/161 ,  H01L27/222

Abstract: 一种磁阻元件(10)包括：底层(12)，具有取向在(001)面的立方或四方晶体结构；第一磁性层(13)，设于底层(12)上，具有垂直的磁各向异性，并且具有取向在(001)面的fct结构；非磁性层(14)，设于第一磁性层(13)上；以及第二磁性层(15)，设于该非磁性层(14)上，并且具有垂直的磁各向异性。底层(12)的面内晶格常数a1和第一磁性层(13)的面内晶格常数a2满足下式，其中b是第一磁性层(13)的Burgers矢量的幅度，ν是第一磁性层(13)的弹性模量，hc是第一磁性层(13)的厚度：