公开(公告)号：CN106716661B

公开(公告)日：2019-07-09

申请号：CN201580045837.0

申请日：2015-11-17

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 大岭俊平 ,  大坊忠臣 ,  加藤侑志 ,  长谷直基 ,  伊藤顺一

IPC: H01L43/08 ,  H01F10/16 ,  H01F10/30 ,  H01F10/32 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L43/10

CPC classification number: H01L43/02 ,  H01F10/16 ,  H01F10/30 ,  H01F10/32 ,  H01L27/105 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

Abstract: 提供即使将存储层薄膜化，也能降低底基层中所含元素的扩散的影响的磁阻元件和磁存储器。根据本实施方案的磁阻元件具备：包含Ni和Co中的至少一种元素及Al的具有CsCl结构的第1层、第1磁性层、所述第1层和所述第1磁性层之间的第1非磁性层、以及所述第1层和所述第1非磁性层之间的包含Mn和Ga的第2磁性层。

公开(公告)号：CN107689416A

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201710109879.7

申请日：2017-02-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 齐藤好昭 ,  与田博明 ,  加藤侑志 ,  石川瑞惠 ,  及川壮一

IPC: H01L43/08 ,  G11C11/16 ,  H01L29/82

Abstract: 本发明涉及磁存储器。提供一种改善了写入效率的SOT写入方式的磁存储器。根据本实施方案的磁存储器具备：第1至第3端子；导电性的第1非磁性层，具有第1至第3部分，所述第1部分位于所述第2部分与所述第3部分之间，所述第2部分与所述第1端子电连接，所述第3部分与所述第2端子电连接；第1磁阻元件，具有与所述第3端子电连接的第1磁性层、配置在所述第1磁性层与所述第1部分之间的第2磁性层、以及配置在所述第1磁性层与所述第2磁性层之间的第2非磁性层；和第1层，至少配置在所述第1部分与所述第2磁性层之间，包含Mg、Al、Si、Hf和稀土元素中的至少一种元素、以及氧和氮中的至少一种元素。

公开(公告)号：CN107078210A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580045843.6

申请日：2015-11-12

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 长谷直基 ,  落合隆夫 ,  大坊忠臣 ,  加藤侑志 ,  大岭俊平 ,  伊藤顺一

IPC: H01L43/08 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L43/10

Abstract: 本实施方案提供能降低漏磁场的磁阻效应元件和使用其的磁存储器。根据本实施方案的磁阻元件具备第1磁性层、第2磁性层以及设置于所述第1磁性层和所述第2磁性层之间的第1非磁性层，所述第2磁性层具备包含选自由Mn、Fe、Co和Ni组成的第1组的至少一种元素、选自由Ru、Rh、Pd、Ag、Os、Ir、Pt和Au组成的第2组的至少一种元素、以及选自由Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu组成的第3组的至少一种元素的磁性体。

公开(公告)号：CN106716661A

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201580045837.0

申请日：2015-11-17

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 大岭俊平 ,  大坊忠臣 ,  加藤侑志 ,  长谷直基 ,  伊藤顺一

IPC: H01L43/08 ,  H01F10/16 ,  H01F10/30 ,  H01F10/32 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L43/10

CPC classification number: H01L43/02 ,  H01F10/16 ,  H01F10/30 ,  H01F10/32 ,  H01L27/105 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

Abstract: 提供即使将存储层薄膜化，也能降低底基层中所含元素的扩散的影响的磁阻元件和磁存储器。根据本实施方案的磁阻元件具备：包含Ni和Co中的至少一种元素及Al的具有CsCl结构的第1层、第1磁性层、所述第1层和所述第1磁性层之间的第1非磁性层、以及所述第1层和所述第1非磁性层之间的包含Mn和Ga的第2磁性层。