-
公开(公告)号：CN105047591B
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201510518383.6
申请日：2011-06-18
Applicant: 恩特格里斯公司
IPC: H01L21/67
CPC classification number: F17D3/01 , F17D3/00 , G05D7/0635 , H01J37/3171 , H01J2237/006 , H01J2237/30466 , H01L21/67017 , H01L21/67253 , Y10T137/0324 , Y10T137/86389
Abstract: 用于确定流体供应容器的终点的装置和方法，其中当建立流体流动时采用一个静态流动限制设备和一个选择性可致动阀元件，控制流体流动通过位于所述流体供应容器的内部容积中的流动通道。终点确定可用于终止来自所述流体供应容器的流体供应和/或从一个流体耗尽供应容器切换至一个新容器，以继续或更新流体供应操作。所述装置和方法适用于与例如离子植入器的流体利用装置一同使用。
-
公开(公告)号：CN107408271A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201680015492.9
申请日：2016-02-12
Applicant: 恩特格里斯公司
CPC classification number: F17C13/026 , F17C11/00 , F17C13/003 , F17C13/02 , F17C2205/0338 , F17C2205/0391 , F17C2205/05 , F17C2205/054 , F17C2205/058 , F17C2250/0439 , F17C2270/0518 , G06K19/06037 , G06K19/0723 , G06Q50/04 , G06K17/00 , G06K2017/0083 , G06Q50/10
Abstract: 本发明描述一种流体供应封装，所述流体供应封装包含流体存储与施配容器，及耦合到所述容器且经配置以达成在施配条件下从所述容器排放流体的流体施配组合件，其中所述流体供应封装在其上包含信息扩充装置，例如，快速读取QR码及RFID标签中的至少一者，以用于所述封装的信息扩充。本发明描述工艺系统，所述工艺系统包含工艺工具及上述类型的一或多个流体供应封装，其中所述工艺工具经配置以用于与所述流体供应封装进行通信交互。本发明描述各种通信布置，所述通信布置有效地用以增强其中采用上述类型的流体供应封装的工艺系统的效率及操作。
-
-
公开(公告)号：CN105637616A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201480056978.8
申请日：2014-08-14
Applicant: 恩特格里斯公司
IPC: H01L21/265
CPC classification number: H01L21/265 , H01J37/3171 , H01J37/32412 , H01J2237/006 , H01J2237/08 , H01L21/26506 , H01L21/26546
Abstract: 本发明描述了用于在基板中注入硅和/或硅离子的组合物、系统和方法，包括从相应的硅前体组合物中生成硅和/或硅离子，以及在基板中注入该硅和/或硅离子。
-
公开(公告)号：CN105431927A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201480029840.9
申请日：2014-05-21
Applicant: 恩特格里斯公司
IPC: H01L21/265
CPC classification number: H01L21/26506 , H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J2237/006
Abstract: 公开了同位素富集的硅前体组合物，相对于缺乏该同位素富集的硅前体组合物的相应离子注入，其用在离子注入中以提高离子注入系统性能。该硅掺杂组合物包括至少一种硅化合物，并且可包括含有同种气体和稀释气体中至少一种的补充气体，所述至少一种硅化合物以28Si、29Si和30Si中的至少一种同位素富集至天然丰度以上。公开了用于将硅掺杂组合物提供至离子注入机的掺杂气体供应设备，以及包括掺杂气体供应设备的离子注入系统。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105047591A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510518383.6
申请日：2011-06-18
Applicant: 恩特格里斯公司
IPC: H01L21/67
CPC classification number: F17D3/01 , F17D3/00 , G05D7/0635 , H01J37/3171 , H01J2237/006 , H01J2237/30466 , H01L21/67017 , H01L21/67253 , Y10T137/0324 , Y10T137/86389
Abstract: 用于确定流体供应容器的终点的装置和方法，其中当建立流体流动时采用一个静态流动限制设备和一个选择性可致动阀元件，控制流体流动通过位于所述流体供应容器的内部容积中的流动通道。终点确定可用于终止来自所述流体供应容器的流体供应和/或从一个流体耗尽供应容器切换至一个新容器，以继续或更新流体供应操作。所述装置和方法适用于与例如离子植入器的流体利用装置一同使用。
-
公开(公告)号：CN118941406A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410927030.0
申请日：2016-02-12
Applicant: 恩特格里斯公司
Abstract: 本申请涉及智能封装。本申请描述一种流体供应封装，所述流体供应封装包含流体存储与施配容器，及耦合到所述容器且经配置以达成在施配条件下从所述容器排放流体的流体施配组合件，其中所述流体供应封装在其上包含信息扩充装置，例如，快速读取QR码及RFID标签中的至少一者，以用于所述封装的信息扩充。本申请描述工艺系统，所述工艺系统包含工艺工具及上述类型的一或多个流体供应封装，其中所述工艺工具经配置以用于与所述流体供应封装进行通信交互。本申请描述各种通信布置，所述通信布置有效地用以增强其中采用上述类型的流体供应封装的工艺系统的效率及操作。
-
公开(公告)号：CN112655066B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN201980057575.8
申请日：2019-09-11
Applicant: 恩特格里斯公司
IPC: H01J27/20 , H01J37/08 , H01J37/317
Abstract: 本发明描述一种用于离子植入的离子源设备，其包含：离子源腔；及可消耗结构，其在所述离子源腔中或与所述离子源腔相关联，其中所述可消耗结构包含固体掺杂剂源材料，所述固体掺杂剂源材料易于与反应气体反应以将掺杂剂以气态形式释放到所述离子源腔，其中所述固体掺杂剂源材料包括氮化镓、氧化镓或其组合，其中的任一者可关于镓同位素富含同位素。
-
公开(公告)号：CN108367269B
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN201680073124.X
申请日：2016-11-04
Applicant: 恩特格里斯公司
Inventor： L·H·杜波依斯 , J·D·卡拉瑟斯 , M·A·彼特鲁斯卡 , E·A·斯特姆 , S·M·威尔逊 , S·M·卢尔寇特 , B·C·亨德里克斯 , J·D·斯威尼 , M·J·沃德珍斯奇 , O·比尔 , 唐瀛 , J·R·德斯普雷斯 , M·T·马洛 , C·斯坎内尔 , D·埃尔策 , K·默西
Abstract: 本发明描述不同类型及形式的吸附剂，如有用地用于气体供应包装中，所述气体供应包装包含盛放此吸附剂以将吸附气体存储于其上的气体存储及施配容器，及固定于所述容器以在其施配条件下从所述气体供应包装排放所述吸附气体的气体施配组合件。同样描述对应气体供应包装，及处理所述吸附剂，及制造所述气体供应包装的各种方法。
-
公开(公告)号：CN113261073A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN201980082496.2
申请日：2019-12-13
Applicant: 恩特格里斯公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/16 , H01J37/08
Abstract: 本发明描述用于氟离子植入的系统和方法，其包括用以产生供植入到个体中的氟离子物质的氟气体源和包括一或多种非钨材料(石墨、碳化物、氟化物、氮化物、氧化物、陶瓷)的电弧室。所述系统在系统操作期间最小化氟化钨的形成，由此延长源寿命且促进经改良的系统性能。此外，所述系统可包括氢和/或氢化物气体源，且这些气体可与氟气一起使用以改良源寿命和/或束电流。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
53
records
(took 0.024 seconds)
