公开(公告)号：CN103153858B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201180049806.4

申请日：2011-08-16

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： R·凯姆 ,  J·D·斯威尼 ,  O·比尔 ,  S·N·耶德卫 ,  E·E·琼斯 ,  邹鹏 ,  唐瀛 ,  B·L·钱伯斯 ,  R·S·雷

IPC: C01B35/06 ,  C01B9/08

CPC classification number: C01B35/061 ,  C01P2006/88 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/08 ,  H01J2237/31701 ,  Y02P20/134

Abstract: 本文涉及同位素富集的含硼化合物，含有两个或以上的硼原子和至少一个氟原子，其中至少一个硼原子含有所需的硼同位素，所述同位素的浓度或比例高于其天然丰度的浓度或比例。所述化合物可以具有化学式B2F4。本文描述了合成这些化合物的方法和使用这些化合物的离子注入方法，以及描述了贮存和分配容器，其中有利地含有所述同位素富集的含硼化合物用于随后的分配应用。

公开(公告)号：CN103329252B

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201180065637.3

申请日：2011-11-26

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： W·K·奥兰德 ,  R·凯姆 ,  J·D·斯威尼 ,  J·R·德普雷斯

IPC: H01L21/265 ,  H01J37/30

CPC classification number: C23C14/48 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/006 ,  Y10T137/8593

Abstract: 描述了掺杂剂源气体供应布置和方法，其中一个或多个掺杂剂源气体供应容器被包含在离子注入系统的外封罩之内，例如在上述封罩内的一个气体箱之内。在一个实施方式中，掺杂剂源气体供应容器相对于离子注入系统的气体箱以远程关系定位，以及一个掺杂剂源气体本地容器被定位在所述气体箱之内，以及供应线以供应关系将掺杂剂源气体供应容器互连到掺杂剂源气体本地容器，其中所述供应线被适配为仅当离子注入系统处于非运行状态时才使掺杂剂源气体从供应容器流动到本地容器，且所述供应线被适配为当离子注入系统处于运行状态时被抽空或是填充以惰性加压气体。

公开(公告)号：CN105645423A

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201610004212.6

申请日：2011-08-16

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： R·凯姆 ,  J·D·斯威尼 ,  O·比尔 ,  S·N·耶德卫 ,  E·E·琼斯 ,  邹鹏 ,  唐瀛 ,  B·L·钱伯斯 ,  R·S·雷

IPC: C01B35/06

CPC classification number: C01B35/061 ,  C01P2006/88 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/08 ,  H01J2237/31701 ,  Y02P20/134

Abstract: 本文涉及同位素富集的含硼化合物，含有两个或以上的硼原子和至少一个氟原子，其中至少一个硼原子含有所需的硼同位素，所述同位素的浓度或比例高于其天然丰度的浓度或比例。所述化合物可以具有化学式B2F4。本文描述了合成这些化合物的方法和使用这些化合物的离子注入方法，以及描述了贮存和分配容器，其中有利地含有所述同位素富集的含硼化合物用于随后的分配应用。

公开(公告)号：CN105702547B

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN201610048444.1

申请日：2010-10-25

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： E·E·琼斯 ,  S·N·叶德弗 ,  唐瀛 ,  B·L·钱伯斯 ,  R·凯姆 ,  J·D·斯威尼 ,  O·拜尔 ,  邹鹏

IPC: H01J37/08 ,  H01J37/317

Abstract: 一种离子注入系统及方法，提供掺杂气体馈送线路中掺杂气体的冷却，以对抗由于电弧腔室生成的热量而造成掺杂气体的加热与分解,例如使用诸如B2F4的硼源材料，或其它BF3的替代物。在此描述了各种电弧腔室热管理的设置，以及等离子体特性的改变、特定流动设置、清洗处理过程、功率管理、平衡偏移、提取光学器件的最优化、流动通道中的沉积物的探测，以及源寿命的最优化，以实现离子注入系统的有效操作。

公开(公告)号：CN105637616A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201480056978.8

申请日：2014-08-14

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： 唐瀛 ,  J·D·斯威尼 ,  陈天牛 ,  J·J·迈耶 ,  R·S·雷 ,  O·比尔 ,  S·N·耶德卫 ,  R·凯姆

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01L21/265 ,  H01J37/3171 ,  H01J37/32412 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/08 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26546

Abstract: 本发明描述了用于在基板中注入硅和/或硅离子的组合物、系统和方法，包括从相应的硅前体组合物中生成硅和/或硅离子，以及在基板中注入该硅和/或硅离子。

公开(公告)号：CN105431927A

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201480029840.9

申请日：2014-05-21

Applicant: 恩特格里斯公司

Inventor： J·J·迈耶 ,  R·S·雷 ,  R·凯姆 ,  J·D·斯威尼

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/006

Abstract: 公开了同位素富集的硅前体组合物，相对于缺乏该同位素富集的硅前体组合物的相应离子注入，其用在离子注入中以提高离子注入系统性能。该硅掺杂组合物包括至少一种硅化合物，并且可包括含有同种气体和稀释气体中至少一种的补充气体，所述至少一种硅化合物以28Si、29Si和30Si中的至少一种同位素富集至天然丰度以上。公开了用于将硅掺杂组合物提供至离子注入机的掺杂气体供应设备，以及包括掺杂气体供应设备的离子注入系统。