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公开(公告)号：CN113261073B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN201980082496.2
申请日：2019-12-13
Applicant: 恩特格里斯公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/16 , H01J37/08
Abstract: 本发明描述用于氟离子植入的系统和方法，其包括用以产生供植入到个体中的氟离子物质的氟气体源和包括一或多种非钨材料(石墨、碳化物、氟化物、氮化物、氧化物、陶瓷)的电弧室。所述系统在系统操作期间最小化氟化钨的形成，由此延长源寿命且促进经改良的系统性能。此外，所述系统可包括氢和/或氢化物气体源，且这些气体可与氟气一起使用以改良源寿命和/或束电流。
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公开(公告)号：CN113261074B
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN201980082573.4
申请日：2019-12-13
Applicant: 恩特格里斯公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/08
Abstract: 本发明描述用于氟离子植入的方法和系统，其中将能够形成多种氟离子物质的氟化合物在预定流速下引入到离子植入机中。氟离子物质是在预定电弧功率和源磁场下产生，从而提供用于所需氟离子物质的优化束电流。将所需氟离子物质(如具有多个氟原子的离子物质)在所选择的操作条件下植入到衬底中。
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公开(公告)号：CN114245930A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202080057911.1
申请日：2020-06-17
Applicant: 恩特格里斯公司
IPC: H01J37/317
Abstract: 本发明描述一种用于离子植入的系统及方法，其包含：气体或包含至少一种可离子化气体的气体混合物，其用来产生离子物种；及电弧室，其包含两种或更多种不同电弧室材料。使用所述系统，在具有衬垫组合的所述电弧室中产生离子物种，且一或多个所要离子物种显示所述经产生的离子物种当中的更高束电流，这通过使用所述不同材料来促进。继而可实现将所述所要离子物种改进地植入到衬底中。此外，所述系统可在系统操作期间最小化金属沉积物的形成，由此延长源寿命且促成改进的系统性能。
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公开(公告)号：CN114709121A
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202210352677.6
申请日：2019-09-11
Applicant: 恩特格里斯公司
IPC: H01J37/317 , H01L21/265
Abstract: 本申请实施例涉及使用镓的离子植入工艺及设备。本发明描述一种用于离子植入的离子源设备，其包含：离子源腔；及可消耗结构，其在所述离子源腔中或与所述离子源腔相关联，其中所述可消耗结构包含固体掺杂剂源材料，所述固体掺杂剂源材料易于与反应气体反应以将掺杂剂以气态形式释放到所述离子源腔，其中所述固体掺杂剂源材料包括氮化镓、氧化镓或其组合，其中的任一者可关于镓同位素富含同位素。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109195910B
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN201780033136.4
申请日：2017-03-27
Applicant: 恩特格里斯公司
IPC: C01B35/06 , H01J37/08 , H01J37/317
Abstract: 本发明涉及一种氢化且富含三氟化硼(BF3)同位素的掺杂剂来源气体组合物。所述组合物含有(i)三氟化硼，其富含高于天然丰度的同位素原子质量11的硼(11B)；和(ii)氢气，以所述组合物中三氟化硼和氢气的总体积计，所述氢气的量是2体积％到6.99体积％。还描述使用所述掺杂剂来源气体组合物的方法，和其对应的相关设备。
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公开(公告)号：CN113261074A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN201980082573.4
申请日：2019-12-13
Applicant: 恩特格里斯公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/08
Abstract: 本发明描述用于氟离子植入的方法和系统，其中将能够形成多种氟离子物质的氟化合物在预定流速下引入到离子植入机中。氟离子物质是在预定电弧功率和源磁场下产生，从而提供用于所需氟离子物质的优化束电流。将所需氟离子物质(如具有多个氟原子的离子物质)在所选择的操作条件下植入到衬底中。
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公开(公告)号：CN109196617B
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN201780028783.6
申请日：2017-05-10
Applicant: 恩特格里斯公司
IPC: H01J37/02 , H01J37/317
Abstract: 本发明描述用于实施氮离子植入的组合物、方法和设备，其在所述氮离子植入后进行易于发生故障的另一离子植入操作，例如植入砷和/或磷离子物种时避免发生严重故障。所述氮离子植入操作有利地利用引入离子植入系统的离子源室或在所述离子源室中形成的氮离子植入组合物实施，其中所述氮离子植入组合物包括氮(N2)掺杂剂气体和故障抑制气体，所述故障抑制气体包括选自由以下组成的群组中的一或多种：NF3、N2F4、F2、SiF4、WF6、PF3、PF5、AsF3、AsF5、CF4和CxFy(x≥1，y≥1)通式的其它氟化烃、SF6、HF、COF2、OF2、BF3、B2F4、GeF4、XeF2、O2、N2O、NO、NO2、N2O4和O3，以及任选地含氢气体，例如包括选自由以下组成的群组的一或多种的含氢气体：H2、NH3、N2H4、B2H6、AsH3、PH3、SiH4、Si2H6、H2S、H2Se、CH4和CxHy(x≥1，y≥1)通式的其它烃和GeH4。
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公开(公告)号：CN109196617A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201780028783.6
申请日：2017-05-10
Applicant: 恩特格里斯公司
IPC: H01J37/02 , H01J37/317
Abstract: 本发明描述用于实施氮离子植入的组合物、方法和设备，其在所述氮离子植入后进行易于发生故障的另一离子植入操作，例如植入砷和/或磷离子物种时避免发生严重故障。所述氮离子植入操作有利地利用引入离子植入系统的离子源室或在所述离子源室中形成的氮离子植入组合物实施，其中所述氮离子植入组合物包括氮(N2)掺杂剂气体和故障抑制气体，所述故障抑制气体包括选自由以下组成的群组中的一或多种：NF3、N2F4、F2、SiF4、WF6、PF3、PF5、AsF3、AsF5、CF4和CxFy(x≥1，y≥1)通式的其它氟化烃、SF6、HF、COF2、OF2、BF3、B2F4、GeF4、XeF2、O2、N2O、NO、NO2、N2O4和O3，以及任选地含氢气体，例如包括选自由以下组成的群组的一或多种的含氢气体：H2、NH3、N2H4、B2H6、AsH3、PH3、SiH4、Si2H6、H2S、H2Se、CH4和CxHy(x≥1，y≥1)通式的其它烃和GeH4。
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公开(公告)号：CN114245930B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202080057911.1
申请日：2020-06-17
Applicant: 恩特格里斯公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/16 , H01J37/08
Abstract: 本发明描述一种用于离子植入的系统及方法，其包含：气体或包含至少一种可离子化气体的气体混合物，其用来产生离子物种；及电弧室，其包含两种或更多种不同电弧室材料。使用所述系统，在具有衬垫组合的所述电弧室中产生离子物种，且一或多个所要离子物种显示所述经产生的离子物种当中的更高束电流，这通过使用所述不同材料来促进。继而可实现将所述所要离子物种改进地植入到衬底中。此外，所述系统可在系统操作期间最小化金属沉积物的形成，由此延长源寿命且促成改进的系统性能。
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