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公开(公告)号：CN102644098B
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201210119052.1
申请日：2012-04-20
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明涉及一种无氰Au-Sn合金的电镀液，属于电镀领域。一种无氰Au-Sn合金电镀液，包含下述组分：非氰可溶性一价金盐，亚硫酸盐，有机多元酸，可溶性二价锡盐，焦磷酸盐，锡离子氧化抑制剂，磷酸氢二盐，钴盐。本发明镀液稳定、镀速快、操作简单、Au-Sn合金成分易于控制，适用于生产。
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公开(公告)号：CN115213514A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210910966.3
申请日：2022-07-29
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明提供一种铜核金属间化合物焊点及制备方法，所述铜核金属间化合物焊点内部为铜或铜基合金核，其外部为覆于核表面的金属间化合物壳层，所述铜核金属间化合物焊点中金属间化合物壳层的厚度与铜或铜基合金核的直径的比值小于1/4。制备方法为在第一金属焊盘上植入铜核钎料球后，回流形成铜核钎料凸点，再将第二金属焊盘与铜核钎料凸点对准、接触，施以回流焊工艺，直至钎料完全转换为具有一定厚度的金属间化合物。本发明的制备工艺简单，成本低廉，导电性优良，强度高，与现有封装技术有着良好的兼容性，可实现低温连接高温服役这一技术难点，减少回流焊过程中的热应力，提高焊点的可靠性与服役性能。
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公开(公告)号：CN108315780B
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN201810188241.1
申请日：2018-03-07
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 一种高反射率锡银复合镀层的制备方法，其属于半导体照明技术领域。该方法包括以下步骤：（1）利用硫酸亚锡和浓硫酸将锡镀层电沉积在铜基板表面；（2）利用烟酸体系将银镀层电沉积在已得的锡镀层表面；（3）对所得的锡银复合镀层进行退火处理，使锡银原子在锡银固固界面扩散从而得到高反射率的Ag3Sn薄膜。本复合镀层经退火后，镀层分布均匀，镀层间结合强度提高，并且在镀层最表面形成了Ag3Sn薄膜，从而得到了高反射率、抗氧化及硫化性能优异的HRBE。
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公开(公告)号：CN108315780A
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：CN201810188241.1
申请日：2018-03-07
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 一种高反射率锡银复合镀层的制备方法，其属于半导体照明技术领域。该方法包括以下步骤：（1）利用硫酸亚锡和浓硫酸将锡镀层电沉积在铜基板表面；（2）利用烟酸体系将银镀层电沉积在已得的锡镀层表面；（3）对所得的锡银复合镀层进行退火处理，使锡银原子在锡银固固界面扩散从而得到高反射率的Ag3Sn薄膜。本复合镀层经退火后，镀层分布均匀，镀层间结合强度提高，并且在镀层最表面形成了Ag3Sn薄膜，从而得到了高反射率、抗氧化及硫化性能优异的HRBE。
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公开(公告)号：CN105609450B
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201610154070.1
申请日：2016-03-17
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L21/67 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种三维封装垂直通孔的填充装置，包括金属液喷射装置和填充工作区，其特征在于：坩埚为内外嵌套圆环式结构，填充材料填入到内容纳腔与外容纳腔之间的腔内，通过与压电陶瓷相连的传动杆带动压片挤压中心孔内的金属液使金属液从喷射孔喷出；坩埚通过连接有三维运动控制器的坩埚支架与腔体上部相连，使坩埚运动自如，与填充工作区的衬底配合，完成填充。本发明还公开了应用上述装置填充三维封装垂直通孔的方法。本发明通过金属液喷射装置和填充工作区的工作平台的协同配合，可形成均一液滴且频率可控，也可以形成稳流液线，实现三维封装垂直通孔的金属化填充，尺寸精度高、气孔率低、填充效率高、成本低、工艺简单、可自动化生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104651898B
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201510065103.0
申请日：2015-02-09
Applicant: 大连理工大学
IPC: C25D11/00
Abstract: 一种金属间化合物薄膜的制备方法，是在第一金属基底上制备第一钎料金属层，可以在第二金属基底上制备第二钎料金属层，再将涂覆焊剂的第一钎料金属层和第二钎料金属层对准接触放置，形成一个组合体；或将涂覆焊剂的第一钎料金属层第二金属基底对准接触放置，形成一个组合体；组合体加热至所需温度下进行钎焊回流，同时施加电流密度I/S的直流电流，直至钎料金属层熔化后发生钎焊反应全部转变为金属间化合物，去除残余第二金属基底，得到金属间化合物薄膜。本发明在钎焊回流时施加直流电流形成电流密度，加速了金属间化合物的形成速率，且形成的金属间化合物可为单晶或具有单一取向；实现金属间化合物薄膜的低温制备，薄膜致密表面平整，成膜质量好。
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公开(公告)号：CN104701283B
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201510069932.6
申请日：2015-02-09
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L23/48 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了金属间化合物填充三维封装垂直通孔及其制备方法，所述制备方法包括对通孔中钎料和钎料外侧的金属进行加热处理以进行钎焊反应，在所述通孔内形成金属间化合物的过程，所述加热处理时，在所述通孔中钎料外侧的金属之间施加直流电流，在钎料内形成电流密度。利用所述方法制备的金属间化合物填充三维封装垂直通孔，所述金属为单晶或具有择优取向时，所述通孔内形成的金属间化合物沿电流方向具有单一取向。本发明在钎焊回流处理过程中施加直流电流，加速金属间化合物的形成生长速率，显著提高了制作效率；金属间化合物从阳极金属层向阴极金属片连续生长，可有效避免形成的金属化合物中孔洞的出现。
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公开(公告)号：CN104701249B
公开(公告)日：2017-08-22
申请号：CN201510069933.0
申请日：2015-02-09
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L21/768 , H01L23/48 , B23K1/00
CPC classification number: H01L2224/11
Abstract: 本发明公开了一种金属间化合物填充的三维封装垂直通孔及其制备方法，所述制备方法包括对通孔中钎料和钎料外侧的金属进行加热处理以进行钎焊反应，在所述通孔内形成金属间化合物的过程，所述加热处理时，在所述通孔中钎料外侧的金属之间形成温度梯度。利用所述方法制备的金属间化合物填充的三维封装垂直通孔，所述金属为单晶或具有择优取向时，所述通孔内形成的金属间化合物沿温度梯度方向具有单一取向。本发明在一定温度梯度下进行钎焊反应，加速金属间化合物的形成和生长速率；金属间化合物由温度相对较低的冷端向温度相对较高的热端连续生长，可有效避免形成的金属化合物中孔洞的出现。
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公开(公告)号：CN106735663A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710030468.9
申请日：2017-01-17
Applicant: 大连理工大学
IPC: B23K1/00 , B23K3/00 , B23K101/40
CPC classification number: B23K1/00 , B23K1/0008 , B23K3/00 , B23K2101/40
Abstract: 本发明提供一种全金属间化合物窄间距微焊点的制备方法及结构，在芯片上制备至少一个第一金属焊盘和钎料凸点或钎料层，在载板上制备至少一个第二金属焊盘和可焊层；在可焊层的表面涂覆焊剂；将钎料凸点或钎料层和可焊层对准放置后加热，钎焊回流，使第一金属焊盘温度低于第二金属焊盘温度，钎料凸点或钎料层熔化后全部转变为三元金属间化合物。本发明选取Cu和Ni作为金属焊盘，在温度梯度作用下，Cu‑Ni形成的耦合作用，会同时加速金属间化合物在第一和第二金属焊盘上的生长，提高金属间化合物总的生长速率；具有择优取向的Cu‑Sn‑Ni三元金属间化合物，能够提高微焊点的可靠性和力学性能；与现有半导体及封装工艺兼容性好，工艺简单，实现低温互连高温服役。
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公开(公告)号：CN105826207A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201610153647.7
申请日：2016-03-17
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L21/48 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/4853 , H01L21/76838
Abstract: 本发明公开了一种核壳结构凸点制备装置，包括液滴喷射装置和凸点形成装置，所述液滴喷射装置包括并排设置在腔体上部的核心液滴喷射装置和外层液滴喷射装置，核心液滴喷射装置和外层液滴喷射装置的坩埚分别通过各自的三维运动控制器与腔体上部相连，再通过压电陶瓷、传动杆和加热带等的配合喷射液滴；凸点形成装置包括用于承接液滴喷射装置喷射出的液滴的基板和基板承载部。本发明还公开了应用上述装置制备核壳结构凸点的方法。本发明可制备均一液滴且频率可控，实现焊球制备和凸点制备一次完成，尺寸精度高，具有结构简单实用性强，制备工艺温度低，可自动化生产等优点。
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