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公开(公告)号：CN106513890B
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201611024965.X
申请日：2016-11-17
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明涉及一种电子封装微焊点的制备方法，包括：在第一基底上依次制备第一金属焊盘、第一可焊层和微凸点；在第二基底上依次制备第二金属焊盘和第二可焊层；将微凸点和第二金属焊盘一一对准、接触放置，形成一个组合体，选择所需的回流曲线对组合体进行钎焊回流，依次经历预热区、回流区和冷却区，在冷却区内使第一金属焊盘和第二金属焊盘之间形成温度梯度，至微凸点由液态全部转变为固态形成微焊点。本发明能够实现微焊点钎料基体中的Sn晶粒取向可调控，形成的单一择优取向微焊点，与半导体和封装技术工艺有良好的兼容性，具有良好的抗电迁移和热迁移可靠性，能够实现第一基底和第二基底之间的互连，提高微焊点或者具有以上材料组织及结构特征的器件的服役寿命。
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公开(公告)号：CN104674335B
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201510065020.1
申请日：2015-02-09
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 一种金属间化合物薄膜的制备方法，是在第一金属基底上制备第一钎料金属层，可以在第二金属基底上制备第二钎料金属层，再将涂覆焊剂的第一钎料金属层和第二钎料金属层对准接触放置，形成一个组合体；或将第一钎料金属层第二金属基底对准接触放置，形成一个组合体；组合体加热至所需温度下进行钎焊回流，使第一金属基底的温度与第二金属基底之间形成温度梯度，直至钎料金属层熔化后发生钎焊反应全部转变为金属间化合物，去除残余第二金属基底，得到金属间化合物薄膜。本发明在钎焊回流时形成温度梯度，加速了金属间化合物的形成速率，且形成的金属间化合物可为单晶或具有单一取向；实现金属间化合物薄膜的低温制备，薄膜致密表面平整，成膜质量好。
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公开(公告)号：CN107498068A
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201710868958.6
申请日：2017-09-22
Applicant: 大连理工大学
CPC classification number: B22F9/24 , B22F1/0018 , B22F1/0044 , B22F2001/0037 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 一种花状纳米铜的制备方法，属于微/纳材料制备技术领域。具体步骤为：配制可溶性二价铜盐溶液与次亚磷酸钠溶液，用表面活性剂分散剂和防护剂防止纳米铜在制备过程团聚和氧化，然后在30℃-150℃水浴条件下预热，达到预定温度后将二者混合均匀，反应一段时间溶液呈现酒红色即为有花状纳米铜颗粒生成，洗涤离心后于50℃在真空干燥箱中干燥4-6小时即为成品。本发明以反应温和的次亚磷酸钠为还原剂，避免了使用过强还原剂带来的安全隐患，并且本工艺简单且重复性好，制备的花状纳米铜材料具有结构新颖，形貌大小均匀，分散性好，纯度高，且具有一定抗氧化能力，可应用于大规模生产，适合做催化剂、导电填料、防腐抗菌材料以及导热抗磨损材料等。
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公开(公告)号：CN104716059B
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201510069934.5
申请日：2015-02-09
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L21/60 , H01L23/488 , B23K1/00
Abstract: 本发明公开了一种三维封装芯片堆叠用金属间化合物键合方法及结构，所述方法包括对钎料和钎料两侧的金属凸点进行加热处理以进行钎焊反应形成金属间化合物的过程，所述加热处理时，在所述钎料两侧的金属凸点之间形成温度梯度。利用所述方法制备的三维封装芯片堆叠用金属间化合物键合结构，所述金属凸点为单晶或具有择优取向时，所述形成的金属间化合物沿温度梯度方向具有单一取向。本发明键合时引入温度梯度促使金属原子发生热迁移，加速界面金属间化合物的形成、生长，显著提高键合效率；金属间化合物由温度相对较低的冷端向温度相对较高的热端连续生长，可有效避免形成的金属化合物中出现孔洞。
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公开(公告)号：CN105671473A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610157120.1
申请日：2016-03-17
Applicant: 大连理工大学
IPC: C23C4/12 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76877
Abstract: 本发明公开了一种填充垂直通孔的方法及装置，包括金属液喷射装置和填充工作区，其特征在于：坩埚是以中心线为轴的圆筒形结构，坩埚通过连接有三维运动控制器的坩埚支架与腔体上部相连，腔体中部两侧还设有维持腔体温度的腔体温度控制器；填充工作区包括用于承接金属液喷射装置喷射出的均匀液滴或稳流液线的衬底和用于放置衬底的衬底承载部。本发明还公开了应用上述装置填充垂直通孔的方法。本发明通过金属液喷射装置和填充工作区的工作平台的协同配合，可形成均一液滴且频率可控，也可以形成稳流液线，实现垂直通孔的金属化填充，尺寸精度高、气孔率低、填充效率高、成本低、工艺简单、可自动化生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103132113B
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201310074729.9
申请日：2013-03-08
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明涉及一种弱碱性锡基无铅钎料复合镀液及利用该复合镀液制备合金镀层的工艺，属于电镀技术领域。该复合电镀液由锡基镀液和金属微粒分散液组成。锡基镀液由焦磷酸亚锡、柠檬酸钾、焦磷酸钾、均苯三酚、磷酸氢二钾和硫酸钴组成；金属微粒分散液由金属微粒和表面活性剂组成。该复合镀液为弱碱性，在35～65℃的施镀温度下，通以直流或脉冲电流电镀即可获得不同合金体系的锡基无铅钎料复合镀层。本发明的复合镀液环保无毒、稳定性好、腐蚀性小、工艺简单、成本低，可以用来制备锡基无铅可焊性镀层和锡基无铅凸点，应用于微电子和光电子工业中，如芯片的连接与封装、电子器件表面焊盘或图案的形成等。
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公开(公告)号：CN104716059A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201510069934.5
申请日：2015-02-09
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L21/60 , H01L23/488 , B23K1/00
Abstract: 本发明公开了一种三维封装芯片堆叠用金属间化合物键合方法及结构，所述方法包括对钎料和钎料两侧的金属凸点进行加热处理以进行钎焊反应形成金属间化合物的过程，所述加热处理时，在所述钎料两侧的金属凸点之间形成温度梯度。利用所述方法制备的三维封装芯片堆叠用金属间化合物键合结构，所述金属凸点为单晶或具有择优取向时，所述形成的金属间化合物沿温度梯度方向具有单一取向。本发明键合时引入温度梯度促使金属原子发生热迁移，加速界面金属间化合物的形成、生长，显著提高键合效率；金属间化合物由温度相对较低的冷端向温度相对较高的热端连续生长，可有效避免形成的金属化合物中出现孔洞。
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公开(公告)号：CN104701249A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201510069933.0
申请日：2015-02-09
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L21/768 , H01L23/48 , B23K1/00
CPC classification number: H01L2224/11
Abstract: 本发明公开了一种金属间化合物填充的三维封装垂直通孔及其制备方法，所述制备方法包括对通孔中钎料和钎料外侧的金属进行加热处理以进行钎焊反应，在所述通孔内形成金属间化合物的过程，所述加热处理时，在所述通孔中钎料外侧的金属之间形成温度梯度。利用所述方法制备的金属间化合物填充的三维封装垂直通孔，所述金属为单晶或具有择优取向时，所述通孔内形成的金属间化合物沿温度梯度方向具有单一取向。本发明在一定温度梯度下进行钎焊反应，加速金属间化合物的形成和生长速率；金属间化合物由温度相对较低的冷端向温度相对较高的热端连续生长，可有效避免形成的金属化合物中孔洞的出现。
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公开(公告)号：CN103132113A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201310074729.9
申请日：2013-03-08
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明涉及一种弱碱性锡基无铅钎料复合镀液及利用该复合镀液制备合金镀层的工艺，属于电镀技术领域。该复合电镀液由锡基镀液和金属微粒分散液组成。锡基镀液由焦磷酸亚锡、柠檬酸钾、焦磷酸钾、均苯三酚、磷酸氢二钾和硫酸钴组成；金属微粒分散液由金属微粒和表面活性剂组成。该复合镀液为弱碱性，在35～65℃的施镀温度下，通以直流或脉冲电流电镀即可获得不同合金体系的锡基无铅钎料复合镀层。本发明的复合镀液环保无毒、稳定性好、腐蚀性小、工艺简单、成本低，可以用来制备锡基无铅可焊性镀层和锡基无铅凸点，应用于微电子和光电子工业中，如芯片的连接与封装、电子器件表面焊盘或图案的形成等。
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公开(公告)号：CN102831291A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210235777.7
申请日：2012-07-09
Applicant: 大连理工大学
IPC: G06F19/00
Abstract: 本发明公开了一种虚拟绘制中浅色扩散区墨浓度计算方法，属于虚拟绘制技术领域，扩散区分为深色扩散区和浅色扩散区，将浅色扩散区划分为宽度相等的圆环区，引入墨浓度衰变度参数，给出了浅色扩散区墨浓度计算方法，包括计算深色扩散区墨浓度、计算浅色扩散区墨浓度衰变度、计算浅色扩散区墨浓度等步骤，从而得到浅色扩散区某个圆环区的墨浓度。该方法揭示了浅色扩散区墨浓度变化规律，克服了现有虚绘制方法中浅色扩散区墨浓度呈现均匀分布的局限，增强了虚拟绘制中水墨扩散仿真效果。
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