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公开(公告)号：CN104690383B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201510069883.6
申请日：2015-02-09
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 一种全金属间化合物互连焊点的制备方法及结构，第一衬底上制备单晶或择优取向第一金属焊盘和钎料凸点，第二衬底上制备第二金属焊盘和可焊层，将钎料凸点和第二金属焊盘一一对准、接触放置，形成一个组合体，对该组合体在所需温度下进行钎焊回流，同时施加电流密度I/S的直流电流，并使电流方向由第一金属焊盘指向第二金属焊盘，直至钎料凸点熔化后发生钎焊反应全部转变为金属间化合物，形成单一取向金属间化合物互连焊点。本发明的方法不仅加速了金属间化合物的形成速率，显著提高制作效率，而且形成的金属间化合物为单一取向，提高了焊点的力学性能和服役可靠性，与半导体和封装技术工艺有良好的兼容性，实现了低温互连高温服役。
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公开(公告)号：CN104701283A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201510069932.6
申请日：2015-02-09
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L23/48 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了金属间化合物填充三维封装垂直通孔及其制备方法，所述制备方法包括对通孔中钎料和钎料外侧的金属进行加热处理以进行钎焊反应，在所述通孔内形成金属间化合物的过程，所述加热处理时，在所述通孔中钎料外侧的金属之间施加直流电流，在钎料内形成电流密度。利用所述方法制备的金属间化合物填充三维封装垂直通孔，所述金属为单晶或具有择优取向时，所述通孔内形成的金属间化合物沿电流方向具有单一取向。本发明在钎焊回流处理过程中施加直流电流，加速金属间化合物的形成生长速率，显著提高了制作效率；金属间化合物从阳极金属层向阴极金属片连续生长，可有效避免形成的金属化合物中孔洞的出现。
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公开(公告)号：CN104690383A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201510069883.6
申请日：2015-02-09
Applicant: 大连理工大学
CPC classification number: B23K1/0008 , B23K3/00 , B23K3/08
Abstract: 一种全金属间化合物互连焊点的制备方法及结构，第一衬底上制备单晶或择优取向第一金属焊盘和钎料凸点，第二衬底上制备第二金属焊盘和可焊层，将钎料凸点和第二金属焊盘一一对准、接触放置，形成一个组合体，对该组合体在所需温度下进行钎焊回流，同时施加电流密度I/S的直流电流，并使电流方向由第一金属焊盘指向第二金属焊盘，直至钎料凸点熔化后发生钎焊反应全部转变为金属间化合物，形成单一取向金属间化合物互连焊点。本发明的方法不仅加速了金属间化合物的形成速率，显著提高制作效率，而且形成的金属间化合物为单一取向，提高了焊点的力学性能和服役可靠性，与半导体和封装技术工艺有良好的兼容性，实现了低温互连高温服役。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104651898B
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201510065103.0
申请日：2015-02-09
Applicant: 大连理工大学
IPC: C25D11/00
Abstract: 一种金属间化合物薄膜的制备方法，是在第一金属基底上制备第一钎料金属层，可以在第二金属基底上制备第二钎料金属层，再将涂覆焊剂的第一钎料金属层和第二钎料金属层对准接触放置，形成一个组合体；或将涂覆焊剂的第一钎料金属层第二金属基底对准接触放置，形成一个组合体；组合体加热至所需温度下进行钎焊回流，同时施加电流密度I/S的直流电流，直至钎料金属层熔化后发生钎焊反应全部转变为金属间化合物，去除残余第二金属基底，得到金属间化合物薄膜。本发明在钎焊回流时施加直流电流形成电流密度，加速了金属间化合物的形成速率，且形成的金属间化合物可为单晶或具有单一取向；实现金属间化合物薄膜的低温制备，薄膜致密表面平整，成膜质量好。
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公开(公告)号：CN104701283B
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201510069932.6
申请日：2015-02-09
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L23/48 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了金属间化合物填充三维封装垂直通孔及其制备方法，所述制备方法包括对通孔中钎料和钎料外侧的金属进行加热处理以进行钎焊反应，在所述通孔内形成金属间化合物的过程，所述加热处理时，在所述通孔中钎料外侧的金属之间施加直流电流，在钎料内形成电流密度。利用所述方法制备的金属间化合物填充三维封装垂直通孔，所述金属为单晶或具有择优取向时，所述通孔内形成的金属间化合物沿电流方向具有单一取向。本发明在钎焊回流处理过程中施加直流电流，加速金属间化合物的形成生长速率，显著提高了制作效率；金属间化合物从阳极金属层向阴极金属片连续生长，可有效避免形成的金属化合物中孔洞的出现。
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公开(公告)号：CN104674335A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201510065020.1
申请日：2015-02-09
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 一种金属间化合物薄膜的制备方法，是在第一金属基底上制备第一钎料金属层，可以在第二金属基底上制备第二钎料金属层，再将涂覆焊剂的第一钎料金属层和第二钎料金属层对准接触放置，形成一个组合体；或将第一钎料金属层第二金属基底对准接触放置，形成一个组合体；组合体加热至所需温度下进行钎焊回流，使第一金属基底的温度与第二金属基底之间形成温度梯度，直至钎料金属层熔化后发生钎焊反应全部转变为金属间化合物，去除残余第二金属基底，得到金属间化合物薄膜。本发明在钎焊回流时形成温度梯度，加速了金属间化合物的形成速率，且形成的金属间化合物可为单晶或具有单一取向；实现金属间化合物薄膜的低温制备，薄膜致密表面平整，成膜质量好。
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公开(公告)号：CN104651898A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201510065103.0
申请日：2015-02-09
Applicant: 大连理工大学
IPC: C25D11/00
Abstract: 一种金属间化合物薄膜的制备方法，是在第一金属基底上制备第一钎料金属层，可以在第二金属基底上制备第二钎料金属层，再将涂覆焊剂的第一钎料金属层和第二钎料金属层对准接触放置，形成一个组合体；或将涂覆焊剂的第一钎料金属层第二金属基底对准接触放置，形成一个组合体；组合体加热至所需温度下进行钎焊回流，同时施加电流密度I/S的直流电流，直至钎料金属层熔化后发生钎焊反应全部转变为金属间化合物，去除残余第二金属基底，得到金属间化合物薄膜。本发明在钎焊回流时施加直流电流形成电流密度，加速了金属间化合物的形成速率，且形成的金属间化合物可为单晶或具有单一取向；实现金属间化合物薄膜的低温制备，薄膜致密表面平整，成膜质量好。
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公开(公告)号：CN104674335B
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201510065020.1
申请日：2015-02-09
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 一种金属间化合物薄膜的制备方法，是在第一金属基底上制备第一钎料金属层，可以在第二金属基底上制备第二钎料金属层，再将涂覆焊剂的第一钎料金属层和第二钎料金属层对准接触放置，形成一个组合体；或将第一钎料金属层第二金属基底对准接触放置，形成一个组合体；组合体加热至所需温度下进行钎焊回流，使第一金属基底的温度与第二金属基底之间形成温度梯度，直至钎料金属层熔化后发生钎焊反应全部转变为金属间化合物，去除残余第二金属基底，得到金属间化合物薄膜。本发明在钎焊回流时形成温度梯度，加速了金属间化合物的形成速率，且形成的金属间化合物可为单晶或具有单一取向；实现金属间化合物薄膜的低温制备，薄膜致密表面平整，成膜质量好。
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