公开(公告)号：CN104701249A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201510069933.0

申请日：2015-02-09

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 赵宁 ,  黄明亮 ,  黄斐斐 ,  姚明军 ,  刘嘉希 ,  赵杰 ,  钟毅

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/48 ,  B23K1/00

CPC classification number: H01L2224/11

Abstract: 本发明公开了一种金属间化合物填充的三维封装垂直通孔及其制备方法，所述制备方法包括对通孔中钎料和钎料外侧的金属进行加热处理以进行钎焊反应，在所述通孔内形成金属间化合物的过程，所述加热处理时，在所述通孔中钎料外侧的金属之间形成温度梯度。利用所述方法制备的金属间化合物填充的三维封装垂直通孔，所述金属为单晶或具有择优取向时，所述通孔内形成的金属间化合物沿温度梯度方向具有单一取向。本发明在一定温度梯度下进行钎焊反应，加速金属间化合物的形成和生长速率；金属间化合物由温度相对较低的冷端向温度相对较高的热端连续生长，可有效避免形成的金属化合物中孔洞的出现。

公开(公告)号：CN104701249B

公开(公告)日：2017-08-22

申请号：CN201510069933.0

申请日：2015-02-09

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 赵宁 ,  黄明亮 ,  黄斐斐 ,  姚明军 ,  刘嘉希 ,  赵杰 ,  钟毅

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/48 ,  B23K1/00

CPC classification number: H01L2224/11

Abstract: 本发明公开了一种金属间化合物填充的三维封装垂直通孔及其制备方法，所述制备方法包括对通孔中钎料和钎料外侧的金属进行加热处理以进行钎焊反应，在所述通孔内形成金属间化合物的过程，所述加热处理时，在所述通孔中钎料外侧的金属之间形成温度梯度。利用所述方法制备的金属间化合物填充的三维封装垂直通孔，所述金属为单晶或具有择优取向时，所述通孔内形成的金属间化合物沿温度梯度方向具有单一取向。本发明在一定温度梯度下进行钎焊反应，加速金属间化合物的形成和生长速率；金属间化合物由温度相对较低的冷端向温度相对较高的热端连续生长，可有效避免形成的金属化合物中孔洞的出现。