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公开(公告)号：CN102655410B
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201110049350.3
申请日：2011-03-02
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种压控振荡器（VCO）、用于检测工艺波动的测试系统及其测试方法。该VCO包括环形振荡器以及流控MOS管，所述环形振荡器包括奇数个CMOS反相器；其中，在流控MOS管的栅端偏置电压以使其工作于亚阈值区、进而控制流经其中一个CMOS反相器的电流，使所述压控振荡器的输出频率反映流控MOS管的阈值电压。所述测试系统基于所述的VCO形成。通过本发明的测试方法来测试芯片中不同MOS管之间的阈值电压的随机波动值。本发明的VCO电路简单，易于数字化实现。并且基于VCO的测试系统在测试工艺波动时，可以得到灵敏度很高的阈值电压随机波动值，测试准确性好。
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公开(公告)号：CN102237491B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201010167501.0
申请日：2010-05-06
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明属于半导体存储器技术领域，具体公开一种包含硅掺杂的氧化锰基电阻型存储器及其制备方法。所述氧化锰基电阻型存储器包括上电极、下电极以及设置在上电极和下电极之间的MnSixOy存储介质层，其中，0.001＜x≤2，2＜y≤5。MnSixOy存储介质层相对比MnOz存储介质层更加致密，其低阻态的电阻相对较高，使该电阻型存储器具有相对低功耗的特点；MnSixOy存储介质层更容易与45纳米工艺节点以下的铜互连工艺集成。
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公开(公告)号：CN103123808A
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN201110372303.2
申请日：2011-11-21
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/4063
Abstract: 本发明涉及存储器技术领域，尤其涉及一种动态随机存储器的高速写操作方法。该方法采用逻辑工艺的DRAM存储单元为2T增益单元结构，其包括写入管Qw，读出管Qr，写入管的有源区电容和读出管的栅电容，构成单元的存储电容。该方法的写电路中，多米诺逻辑部分为执行单元写入操作的驱动电路，其求值管组M1-M4分别接收来自灵敏放大器放大的单元读出小信号和外界写入信号，当写驱动使能信号WPCH开启时，多米诺逻辑预充点prenode电平根据求值管组M1-M4导通与否而变化，使驱动反相器INV输出端WBL电平摆动，完成对单元的写入。本发明能解决传统的1T1C的动态随机存储器单元因制作电容采用非逻辑工艺的缺点使得DRAM在嵌入式设备中的应用产生了困难等技术问题。
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公开(公告)号：CN103021451A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201110284656.7
申请日：2011-09-22
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/406
Abstract: 本发明涉及存储器技术领域，尤其涉及一种基于阈值电压调节的多级温度控制自刷新方法，本存储设备，包括振荡器、分频器、温度传感器，第一选择器，所述的温度传感器和第一选择器连接，振荡器连接到分频器，分频器和第一选择器连接，第一选择器和DRAM阵列相连接，该存储设备还包括n个衬底电压稳定模块和第二选择器，所述n个衬底电压稳定模块产生DRAM保持期间的衬底电压VBB1、VBB2、……VBBn，第二选择器在温度传感器产生的温度电压信号Vtemp控制下从衬底电压VBB1、VBB2、……VBBn中选择一个输出到DRAM阵列的晶体管衬底电压上。本发明克服了现有技术存在的，如每级的频率对应的温度范围大，阈值电压变化范围大，可能出现低效率或者不可靠问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103021450A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201110285030.8
申请日：2011-09-22
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/402
Abstract: 本发明属于存储器技术领域，尤其涉及一种紧凑式电荷转移刷新电路及其操作方法。本发明的紧凑式电荷转移刷新电路，包括大小为M*N的阵列，按列方向分成t个M×(N/t)子阵列，每个子阵列编号1～n，每个子阵列的灵敏放大器的虚电源端VHn相连，而子阵列间的虚电源端VHn通过电荷转移开关Tn相连，M、N、n、t为自然数，每个子阵列的所有灵敏放大器虚电源端相连，记作VHn，而子阵列间的虚电源端VHn通过电荷转移开关Tn相连。本发明既节省了刷新功耗，又显著降低了刷新时间，且控制电路简单，无需额外的面积开销。
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公开(公告)号：CN102881331A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201110199497.0
申请日：2011-07-15
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C16/26
Abstract: 本发明提供一种灵敏放大器的控制电路及包括其的DRAM，属于DRAM技术领域。该灵敏放大器的控制电路包括用于生成所述灵敏放大器的上拉信号的上拉延迟电路，用于生成所述灵敏放大器的下拉信号的下拉延迟电路，其中，所述上拉延迟电路的延迟与所述下拉延迟电路的延迟相匹配。本发明的技术效果是，通过使用相同级数的逻辑门提供延迟匹配的高、低信号，显著降低了工艺波动对该延迟匹配的不利影响，从而，提高了灵敏放大器的上拉信号和下拉信号的匹配程度，并使得所述灵敏放大器具有稳定的开启速度。
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公开(公告)号：CN102867911A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201110189267.6
申请日：2011-07-07
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明属存储器技术领域，提供了一种电阻型存储器及其制备方法，该电阻型存储器包括下电极、上电极以及置于上、下电极间的存储介质层，该存储介质层包括基于第二金属材料的金属氧化物层和基于第一金属材料的金属氮氧化物层，基于第一金属材料的金属氧化物的吉布斯自由能绝对值大于基于第二金属材料的金属氧化物的吉布斯自由能绝对值，金属氮氧化物层通过基于第一金属材料的金属氮化物层在接触基于第二金属材料的金属氧化物层的界面处被部分地氧化形成。该电阻型储器具有擦写次数多、初始电阻以及开态电阻高、高低阻窗口大、以及数据保持能力好的优点，能明显提高电阻型存储器的存储性能，且其制备方法相对简单。
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公开(公告)号：CN102867541A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201110188458.0
申请日：2011-07-05
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/413 , G11C29/42
Abstract: 本发明属于存储器技术领域，提出一种减少漏电流的静态存储器SRAM系统，包括读写电路、ECC检错纠错电路、电压调节器、偏压管和存储单元阵列，电压调节器控制偏压管降低或增加存储单元阵列的电源电压；读写电路，用于当电源电压恢复到active模式，读取存储单元阵列内容，并将内容发送到ECC检错纠错电路；ECC检错纠错电路，用于检错纠错，并将改正后的值通过读写电路写回存储单元阵列。本发明采用ECC检测处于standby模式下SRAM各个阵列的单元值，在保证hold不出错的情况下尽可能降低阵列的电源电压或者抬高阵列的地线电压，以尽可能降低漏电，实现极低功耗。
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公开(公告)号：CN102655410A
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201110049350.3
申请日：2011-03-02
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种压控振荡器（VCO）、用于检测工艺波动的测试系统及其测试方法。该VCO包括环形振荡器以及流控MOS管，所述环形振荡器包括奇数个CMOS反相器；其中，在流控MOS管的栅端偏置电压以使其工作于亚阈值区、进而控制流经其中一个CMOS反相器的电流，使所述压控振荡器的输出频率反映流控MOS管的阈值电压。所述测试系统基于所述的VCO形成。通过本发明的测试方法来测试芯片中不同MOS管之间的阈值电压的随机波动值。本发明的VCO电路简单，易于数字化实现。并且基于VCO的测试系统在测试工艺波动时，可以得到灵敏度很高的阈值电压随机波动值，测试准确性好。
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