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公开(公告)号：CN114191578B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202111393733.2
申请日：2021-11-23
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种基于深紫外LED的生物膜细菌灭活方法。具体包括：(1)深紫外辐射处理：使用深紫外LED照射骨科假体材料上的生物膜；(2)外科脉冲冲洗处理：外科脉冲冲洗骨科假体材料；所述步骤(1)和(2)的顺序可以颠倒。本发明所述的方法能够高效清除骨科假体材料上的生物膜，与抗生素治疗方法相比，不易复发；本方法操作简单，方法中涉及的设备均为医院中常用设备，易于操作。
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公开(公告)号：CN116209129A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310175751.6
申请日：2023-02-28
Applicant: 复旦大学宁波研究院
Abstract: 本发明公开了一种基于等离子体射流阵列的DBC基板表面处理系统及方法，属于表面处理领域，系统包括等离子体射流阵列、电源装置和气源装置；等离子体射流阵列包括依次布置的三个射流单元；各射流单元均与气源装置及电源装置相连接；气源装置包括分别与三个射流单元相连接的惰性气体储罐、空气储罐和反应媒介储罐，三个射流单元工作时分别产生用于对DCB基板表面进行清洗、氧化改性及薄膜沉积的射流体羽；反应媒介为甲氧基硅烷、四氯化钛或四氟化碳，使得通过所沉积的薄膜对DCB基板表面的介电参数进行优化以提高电气强度。本发明不但能够改善DCB基板表面电气强度，而且还具有废弃物排放低、能源损耗低、适于流水线作业的特点。
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公开(公告)号：CN115828744A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211503825.6
申请日：2022-11-28
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F30/27 , G01R31/26 , G06N3/0442 , G06N3/049 , G06N3/048 , G06N3/08 , G06F119/04 , G06F119/08 , G06F119/02
Abstract: 本发明涉及一种白光发光二极管故障在线诊断与寿命预测方法，其中，故障在线诊断方法包括：获取原始时间序列在线测试数据；确定基于马氏距离或熵产生率的健康指标构成的经过归一化和标准化处理的初级时间序列在线干净测试数据；构建基于循环神经网络改进的长短期记忆网络，作为预测模型，模型输入为初级时间序列在线干净测试数据中一系列连续时间点健康指标，输出为与所述一系列连续时间点相邻的后一时间点的健康指标；训练预测模型并评估健康指标，得到用于故障诊断的最小数据量，并作为健康数据分割线，得到故障阈值以及故障首次检测到的时间，输出故障在线诊断结果。与现有技术相比，本发明具有高精度、高可靠、高速度等优点。
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公开(公告)号：CN114686973A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202210272717.6
申请日：2022-03-18
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种半导体薄膜生长感应加热式设备的反应腔结构，属于半导体制备领域，包括由内到外依次设置的加热件、保温层和石英管壁；所述加热件包括上石墨件、下石墨件以及碳化硅侧壁，所述上石墨件和所述下石墨件均呈中空状，所述上石墨件的底面与所述下石墨件的顶面相对，且所述上石墨件的底面两侧分别通过所述碳化硅侧壁与所述下石墨件的顶面两侧相连接；其中，所述下石墨件的中空状内腔中还设置有石墨柱，所述石墨柱的两端分别连接所述中空状内腔的顶壁和底壁。本发明不但能够提高反应腔的加热效率，还能够提高其内部的温度均匀性。
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公开(公告)号：CN113035724A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202110195619.2
申请日：2021-02-22
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种多芯片封装结构及其制作方法。本发明经过铜基板图形化、固晶及导电层连接、制作电介质材料或顶部导电层、介质图形化及开孔、孔金属化、介质上金属图形化、制作中间介质层、整体孔加工、孔金属化或填充电介质、上/下面金属图形化等工艺流程完成多芯模块封装；本发明整个工艺过程完全与PCB设备及工艺兼容，得到的多芯模块结构简单，电气路径短、散热路径短、具有优异的低阻特性和散热效果，可以实现小型化、轻薄化的效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111968960A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010811091.2
申请日：2020-08-13
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L23/498 , H01L21/60 , H01L21/48 , B82Y40/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种烧结材料预覆的陶瓷覆铜基板、制备工艺及其应用。其包括陶瓷覆铜基板、烧结材料层和定位组件；所述烧结材料层有两层，分别设置在陶瓷覆铜基板的正面和反面，定位组件设置在陶瓷覆铜基板正面的烧结材料层上方；定位组件采用还原气氛下的烧结工艺能够完全蒸发的材料制成。本发明的烧结材料预覆的陶瓷覆铜基板被用于功率模块的封装作业，能简化芯片粘结工艺流程，免去清洗助焊剂等清洁工序，并且提高散热器使用效率以及简化装配工艺，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN119783539A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411972348.7
申请日：2024-12-30
Applicant: 复旦大学宁波研究院
IPC: G06F30/27 , G16C10/00 , G06F119/14
Abstract: 本申请提供一种基于机器学习和分子动力学的仿真方法及相关装置，应用于半导体制造领域，在接收工艺菜单后；针对工艺菜单中的每一个工艺条件，将工艺条件输入至力场预测模型，输出得到所述工艺条件下的机器学习力场；最后，依据所述工艺条件下的机器学习力场进行分子动力学仿真，得到所述工艺条件下的仿真结果。通过机器学习方法，学习高精度的第一性原理计算数据，生成机器学习力场，模拟碳化硅在离子注入过程中发生的相互作用，从而对离子注入工艺进行仿真，实现高精度和高效的仿真计算，进而综合考虑不同工艺条件对器件设计工艺的影响，开发特定的工艺菜单，为碳化硅离子注入提供优化方案。
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公开(公告)号：CN119480644A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411406395.5
申请日：2024-10-10
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/50 , H01L21/60 , H01L25/07 , H01L23/498 , H01L23/538 , H01L23/29 , H01L21/768 , H01L23/367
Abstract: 本发明属于芯片封装技术领域，具体为一种低热阻低应力多芯片埋入式板级封装方法及其封装结构。本发明的多芯片埋入式板级封装结构的芯片布局如下；芯片以及铜块对称分布，铜块分别排布在结构的上下边界处，z型沟槽居中摆放；芯片共有四颗，两颗一组，同组芯片纵向垂直摆放；铜块共有八颗，四颗一组，同组铜块水平紧密摆放；沟槽、芯片、铜块总体成中心对称布局；芯片构成为芯片区域，铜块实现电路连接；芯片和铜块分别设有均匀排布多个盲孔，用于实现纵向电气连接的结构，载体基板材料是铜；沟槽用于实现电气绝缘划分电极区域。本发明可减小功率器件的封装尺寸，在低杂感低应力的基础上实现更均匀的热力分布，提升器件的热‑力特性。
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公开(公告)号：CN118645441A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410734849.5
申请日：2024-06-07
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/60 , H01L25/07 , H01L21/768 , H01L23/488 , H01L23/52
Abstract: 本发明属于板级封装领域，具体涉及一种SiC MOSFET板级封装半桥模块及其封装方法。封装半桥模块采用两颗SiC MOSFET芯片来组成组成半桥结构，SiC MOSFET的漏极通过有压烧结材料与底部小基板相连，SiC MOSFET通过重互连层与对应焊盘或者基板相连接。本发明的优点在于，使用有压烧结材料进行固晶，烧结固晶层的熔点较高，接近于银、铜金属的熔点，并且固晶层的连接强度高，牢固可靠，可以有效地提高SiC MOSFET半桥模块的可靠性。
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公开(公告)号：CN114686973B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202210272717.6
申请日：2022-03-18
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种半导体薄膜生长感应加热式设备的反应腔结构，属于半导体制备领域，包括由内到外依次设置的加热件、保温层和石英管壁；所述加热件包括上石墨件、下石墨件以及碳化硅侧壁，所述上石墨件和所述下石墨件均呈中空状，所述上石墨件的底面与所述下石墨件的顶面相对，且所述上石墨件的底面两侧分别通过所述碳化硅侧壁与所述下石墨件的顶面两侧相连接；其中，所述下石墨件的中空状内腔中还设置有石墨柱，所述石墨柱的两端分别连接所述中空状内腔的顶壁和底壁。本发明不但能够提高反应腔的加热效率，还能够提高其内部的温度均匀性。
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