公开(公告)号：CN119480644A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202411406395.5

申请日：2024-10-10

Applicant: 复旦大学

Inventor： 樊嘉杰 ,  李雯钰

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L25/07 ,  H01L23/498 ,  H01L23/538 ,  H01L23/29 ,  H01L21/768 ,  H01L23/367

Abstract: 本发明属于芯片封装技术领域，具体为一种低热阻低应力多芯片埋入式板级封装方法及其封装结构。本发明的多芯片埋入式板级封装结构的芯片布局如下；芯片以及铜块对称分布，铜块分别排布在结构的上下边界处，z型沟槽居中摆放；芯片共有四颗，两颗一组，同组芯片纵向垂直摆放；铜块共有八颗，四颗一组，同组铜块水平紧密摆放；沟槽、芯片、铜块总体成中心对称布局；芯片构成为芯片区域，铜块实现电路连接；芯片和铜块分别设有均匀排布多个盲孔，用于实现纵向电气连接的结构，载体基板材料是铜；沟槽用于实现电气绝缘划分电极区域。本发明可减小功率器件的封装尺寸，在低杂感低应力的基础上实现更均匀的热力分布，提升器件的热‑力特性。

公开(公告)号：CN119558114A

公开(公告)日：2025-03-04

申请号：CN202411406440.7

申请日：2024-10-10

Applicant: 复旦大学

Inventor： 樊嘉杰 ,  李雯钰

IPC: G06F30/23 ,  G06F119/14 ,  G06F119/08

Abstract: 本发明属于芯片封装技术领域，具体为一种多芯片埋入式板级封装的热形变计算方法。本发明基于热传导以及弹性力学理论，构建三维有限差分热机械数值模型，描述芯片埋入封装内部后工作发热、封装材料受热膨胀进而产生的应力形变。多芯片发热的耦合问题也考虑在内。本发明构建的有限差分法热机械数值模型在计算时比解析法更具有普适性，在模型推导过程中不需要推导复杂的解析模型，建模过程时间成本更低。与有限元方法对比而言，有限差分法所需要的计算资源更少，对计算机的配置要求更低，计算求解过程的时间也更少。在确保计算准确度的情况下，可节省人力资源和时间成本。

公开(公告)号：CN117094129A

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN202310882308.2

申请日：2023-07-18

Applicant: 复旦大学

Inventor： 樊嘉杰 ,  刘敏讷 ,  李雯钰

IPC: G06F30/20 ,  G06F111/10 ,  G06F119/08

Abstract: 本发明属于光学测量技术领域，具体为一种白光LED阵列的结温和光通量预测方法。本发明通过对LED阵列热耦合传热过程分析，将结温预测模型与光通量预测模型相结合，构建光‑热‑电预测模型；模型考虑LED阵列内部的热耦合效应，分别通过TCM矩阵模型和数值算法模型进行结温预测；其中，将单颗LED的光通量模型拓展至LED阵列；通过输入驱动电流、热功率以及温度，预测出在不同点亮方式下的LED阵列光学和热学参数。本发明拓展了电流变化范围；提高了结温条件下的预测精度。

公开(公告)号：CN116796537A

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN202310752080.5

申请日：2023-06-25

Applicant: 复旦大学

Inventor： 樊嘉杰 ,  李雯钰

IPC: G06F30/20 ,  G06F17/14 ,  G06F119/08 ,  G06F119/06 ,  G06F111/10 ,  G06F113/08

Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，具体为一种双面散热型SiC功率模块的热分布计算方法。本发明是针对FOPLP的快速数值求解方法，数值算法是基于热传导傅里叶公式的，可以计算热量在封装传导过程中的横向传递；FOPLP中芯片位于结构中央，散热路径分别为上层重新排布层和上层散热器以及下层的基板；在数值求解过程中将模型简化为长方体块结构，作为双面散热的基础模型；模块中芯片作为热源，主要向上下两个方向传热；本发明通过推算功率模块内的固体传热和对流传热规律，构建FOPLP结构的数值温度分布；数值求解由稳态热传导拉普拉斯方程出发，通过分离变量法求解，结合边界条件，确定FOPLP结构双面散热的解析解，实现对该模块温度分布的快速评估。

公开(公告)号：CN118315365A

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202410363506.2

申请日：2024-03-28

Applicant: 复旦大学

Inventor： 樊嘉杰 ,  李雯钰

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/488 ,  H01L23/367 ,  H01L23/31 ,  H01L25/07 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明属于芯片封装技术领域，具体为一种低热阻板级半桥功率模块封装结构及制备方法。封装结构包括顶部散热器、上基板、正装芯片区和反装芯片区；上基板设置于顶部散热器下，正装芯片区和反装芯片区并列设置于上基板下；反装芯片区从上而下依次为RDL重新布线层、SiC MOSFET芯片、下基板和焊盘；正装芯片区从上而下依次为焊料层、SiC MOSFET芯片、RDL重新布线层、下基板和焊盘；两焊盘电极相反，分别作为封装器件的直流正负电极；本发明中的两芯片朝向相反，结合了面朝上和下两种形式，减小了RDL层的布线距离，解耦了两颗芯片的散热路径；该封装结构杂感和应力大小没有显著差异，热阻降低50％以上，表现出了良好的热特性。