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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116451627A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310439588.X
申请日：2023-04-23
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F30/337 , G06F30/398 , G06N3/126 , G06F113/18 , G06F119/08 , G06F119/14 , G06F111/06
Abstract: 本发明涉及一种SiC MOSFET板级封装优化设计方法，包括以下步骤：设计正交试验，其中，设计变量为SiC MOSFET FOPLP中不同结构层的厚度；对SiC MOSFET FOPLP进行有限元仿真，得到寄生电感、热应变和热阻与不同结构层厚度的综合回归方程；基于综合回归方程，建立多目标优化模型，通过求解多目标优化模型，得到不同结构层的最优厚度参数。与现有技术相比，本发明能够对SiC MOSFET FOPLP的结构进行多目标优化设计，同时提升器件的热学、力学和电感性能，并且能够有效减少优化设计所需数据量，具有高效便捷的优点。
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公开(公告)号：CN118294244A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410318411.9
申请日：2024-03-20
Applicant: 复旦大学
IPC: G01N1/32 , G01N21/27 , G01N21/55 , G01N23/2273
Abstract: 本发明属于电子封装中铜材料检测技术领域，具体为一种电子封装中铜材料腐蚀失效过程的检测方法。本发明检测方法，通过腐蚀与高光谱实验，获得烧结铜和块体铜样品表面元素含量与高光谱数据的关系；具体使用高光谱相机采集待检测烧结铜表面的高光谱数据，由此推测样品表面元素含量变化，具体步骤包括：光谱数据处理；光谱特征参数与腐蚀产物中元素含量的关系拟合，具体使用线性函数来拟合特征参数相对于铜和氧原子含量的变化：使用指数函数来表示硫元素的原子含量与特征参数之间的相关性：最后拟合公式检测计算样品腐蚀产物中的元素含量。本发明方法简单快捷效率高，并可以进行现场检测。
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公开(公告)号：CN114191578A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111393733.2
申请日：2021-11-23
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种基于深紫外LED的生物膜细菌灭活方法。具体包括：(1)深紫外辐射处理：使用深紫外LED照射骨科假体材料上的生物膜；(2)外科脉冲冲洗处理：外科脉冲冲洗骨科假体材料；所述步骤(1)和(2)的顺序可以颠倒。本发明所述的方法能够高效清除骨科假体材料上的生物膜，与抗生素治疗方法相比，不易复发；本方法操作简单，方法中涉及的设备均为医院中常用设备，易于操作。
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公开(公告)号：CN114191578B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202111393733.2
申请日：2021-11-23
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种基于深紫外LED的生物膜细菌灭活方法。具体包括：(1)深紫外辐射处理：使用深紫外LED照射骨科假体材料上的生物膜；(2)外科脉冲冲洗处理：外科脉冲冲洗骨科假体材料；所述步骤(1)和(2)的顺序可以颠倒。本发明所述的方法能够高效清除骨科假体材料上的生物膜，与抗生素治疗方法相比，不易复发；本方法操作简单，方法中涉及的设备均为医院中常用设备，易于操作。
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公开(公告)号：CN118645441A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410734849.5
申请日：2024-06-07
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/60 , H01L25/07 , H01L21/768 , H01L23/488 , H01L23/52
Abstract: 本发明属于板级封装领域，具体涉及一种SiC MOSFET板级封装半桥模块及其封装方法。封装半桥模块采用两颗SiC MOSFET芯片来组成组成半桥结构，SiC MOSFET的漏极通过有压烧结材料与底部小基板相连，SiC MOSFET通过重互连层与对应焊盘或者基板相连接。本发明的优点在于，使用有压烧结材料进行固晶，烧结固晶层的熔点较高，接近于银、铜金属的熔点，并且固晶层的连接强度高，牢固可靠，可以有效地提高SiC MOSFET半桥模块的可靠性。
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