公开(公告)号：CN100370598C

公开(公告)日：2008-02-20

申请号：CN200510002639.4

申请日：2005-01-21

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： J·P·甘比诺 ,  W·T·莫特西夫 ,  E·G·沃尔顿

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/768 ,  H01L27/00

CPC classification number: H01L28/10 ,  H01F41/041 ,  H01L21/76852 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/53238 ,  H01L24/02 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01055 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  Y10T29/4902 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/49165 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了高性能铜感应器的集成，其中在最后的金属级和最后的金属+1级上形成高的Cu叠层螺旋感应器，金属级通过具有与在最后的金属级和最后的金属+1级上的螺旋金属感应器相同的螺旋形状的条形过孔互连。本发明提供了用于集成厚感应器的形成与接合焊盘、端子和具有最后的金属+1布线的互连布线的形成的方法。本发明使用介质沉积、隔离物形成、和/或选择沉积诸如CoWP的钝化金属以钝化在最后的金属层之后形成的Cu感应器。

公开(公告)号：CN1830079A

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：CN200480021522.4

申请日：2004-07-28

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： T·H·道本斯佩克 ,  J·P·甘比诺 ,  S·E·卢斯 ,  T·J·麦克德维特 ,  W·T·莫特西夫 ,  M·J·波略特 ,  J·C·罗宾斯

IPC: H01L23/28

CPC classification number: H01L23/585 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/78 ,  H01L23/562 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种用于集成电路(IC)的低K介质材料的裂纹停止(28)，用于防止由切割操作期间沿IC芯片外边缘形成的碎裂和破裂引起的对IC芯片有源区的损坏，所述IC在IC芯片上形成，所述IC芯片利用在低K介质材料中的不会形成自钝化氧化物层的金属互连例如铜或银互连。潮湿阻挡或边缘密封(12)被形成为位于沿IC芯片有源区外边缘的金属叠层。裂纹停止通过位于IC芯片外围上的潮湿阻挡/边缘密封外侧的至少一个沟槽或凹槽形成。

公开(公告)号：CN1641856A

公开(公告)日：2005-07-20

申请号：CN200510000214.X

申请日：2005-01-05

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： J·P·甘比诺 ,  A·K·斯坦珀

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/02167 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/312 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76835 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2221/1063 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种形成刚性互连结构的方法及其装置，包括以下步骤：提供下金属布线层，该下金属布线层具有位于下低k介质中的第一金属布线；在下金属布线层上淀积上低k介质；蚀刻上低k介质的至少一部分，以提供到达第一金属布线的至少一个过孔；在上低k介质的至少一个过孔中形成刚性介质侧壁隔离层；以及在上低k介质的至少一部分中形成第二金属布线。刚性介质侧壁隔离层可以包括SiCH、SiC、SiNH、SiN或SiO2。可选地，互连结构的过孔区可以使用机械刚性介质来加强，机械刚性介质包括SiO2、SiCOH或掺杂硅酸盐玻璃。