公开(公告)号：CN115881767A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202210714199.9

申请日：2022-06-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈仕承 ,  林志昌 ,  张荣宏 ,  姚茜甯 ,  庄宗翰 ,  江国诚 ,  王志豪

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/417 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了半导体器件结构及其形成方法。半导体器件结构包括在垂直方向上堆叠在衬底上方的多个第一纳米结构。半导体器件结构还包括相邻于第一纳米结构形成的第一底部层，以及在第一底部层上方形成的第一介电层。半导体器件结构还包括形成在第一介电层上方的第一源极/漏极(S/D)结构，并且第一S/D结构通过第一介电层与第一底部层隔离。

公开(公告)号：CN115763519A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202210657449.X

申请日：2022-06-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈仕承 ,  林志昌 ,  张荣宏 ,  姚茜甯 ,  庄宗翰 ,  江国诚

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/417 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了半导体结构及其制造方法。半导体结构包括衬底和形成在衬底上方的底部隔离部件。半导体结构还包括形成在底部隔离部件上方的底部半导体层和形成在底部半导体层上方的纳米结构。半导体结构还包括连接到纳米结构并且覆盖底部隔离部件的部分的源极/漏极结构。

公开(公告)号：CN115332171A

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN202210670330.6

申请日：2022-06-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林志昌 ,  潘冠廷 ,  陈仕承 ,  张荣宏 ,  张罗衡 ,  姚茜甯 ,  江国诚

IPC: H01L21/8234 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 集成电路的形成方法包括形成多个半导体纳米片。方法包括形成覆层内侧间隔物于晶体管的源极区与晶体管的栅极区之间。方法包括形成片状物内侧间隔物于半导体纳米片之间，且片状物内侧间隔物的沉积制程与覆层内侧间隔物的沉积制程分开。

公开(公告)号：CN114975606A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210315554.5

申请日：2022-03-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林志昌 ,  潘冠廷 ,  陈仕承 ,  张荣宏 ,  张罗衡 ,  姚茜甯 ,  江国诚

IPC: H01L29/10 ,  H01L27/088

Abstract: 本公开提出一种半导体结构。半导体结构包含基板及鳍结构，鳍结构位于基板之上。鳍结构包含堆叠鳍结构、鳍底部部分及隔离层，鳍底部部分设置于堆叠鳍结构之下，隔离层设置于堆叠鳍结构与鳍底部部分之间。半导体结构还包含介电衬及间隔物结构，介电衬与堆叠鳍结构的端部接触，间隔物结构与介电衬接触。

公开(公告)号：CN114975278A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210276255.5

申请日：2022-03-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张荣宏 ,  林志昌 ,  陈仕承 ,  姚茜甯 ,  江国诚 ,  王志豪 ,  林家彬 ,  李威养 ,  吕衍昇

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 本公开提供一种集成电路，包括基板上的第一纳米结构晶体管以及第二纳米结构晶体管。第一纳米结构晶体管的源极/漏极区域通过底部介电区域与半导体基板电性隔离。第二纳米结构晶体管的源极/漏极区域与半导体基板直接接触。

公开(公告)号：CN113658953A

公开(公告)日：2021-11-16

申请号：CN202110182041.7

申请日：2021-02-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张罗衡 ,  江国诚 ,  林志昌 ,  张荣宏 ,  陈仕承 ,  朱熙甯 ,  王志豪

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 一种半导体装置，包括栅极介电层、第一源极/漏极特征、在栅极介电层与第一源极/漏极特征之间形成的第一内部间隔物、连接第一源极/漏极特征的导电特征，以及半导体特征，其中半导体特征具有实质上为三角形的横截面，其具有沿着导电特征的第一表面、连接第一表面且接触第一内部间隔物的第二表面，及连接第一表面与第二表面的第三表面。

公开(公告)号：CN113658951A

公开(公告)日：2021-11-16

申请号：CN202110203716.1

申请日：2021-02-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈仕承 ,  林志昌 ,  张荣宏 ,  张罗衡 ,  姚茜甯 ,  江国诚 ,  王志豪

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L21/8234

Abstract: 一种半导体装置和其制造方法，半导体装置包括具有第一浓度的掺杂剂的磊晶特征、接触磊晶特征的源极/漏极特征、接触磊晶特征和源极/漏极特征的半导体通道、接触磊晶特征和源极/漏极特征的内部间隔物，以及接触内部间隔物和部分磊晶特征的栅极结构。源极/漏极特征包括第二浓度的掺杂剂，且第二浓度高于第一浓度。

公开(公告)号：CN113594157A

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：CN202110481499.2

申请日：2021-04-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 朱熙甯 ,  江国诚 ,  潘冠廷 ,  林志昌 ,  王志豪 ,  陈仕承

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238

Abstract: 本文公开了提供用于将多栅极器件的栅极彼此隔离的介电栅极隔离鳍的自对准栅极切割技术。示例性器件包括第一多栅极器件和第二多栅极器件，第一多栅极器件具有第一源极/漏极部件和围绕第一沟道层的第一金属栅极，第二多栅极器件具有第二源极/漏极部件和围绕第二沟道层的第二金属栅极。介电栅极隔离鳍将第一金属栅极和第二金属栅极分离。介电栅极隔离鳍包括具有第一介电常数的第一介电层和设置在第一介电层上方的具有第二介电常数的第二介电层。第二介电常数大于第一介电常数。第一金属栅极和第二金属栅极分别与第一沟道层和介电栅极隔离鳍以及第二沟道层和介电栅极隔离鳍物理接触。本申请的实施例还涉及多栅极器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN113517277A

公开(公告)日：2021-10-19

申请号：CN202110576564.X

申请日：2021-05-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张荣宏 ,  张罗衡 ,  林志昌 ,  陈仕承 ,  江国诚 ,  王志豪

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238

Abstract: 根据本发明实施例的半导体装置，包含基底上的底介电部件，在底介电部件正上方的多个通道构件，包覆环绕每个通道构件的栅极结构，沿着第一方向将底介电部件夹在中间的两个第一外延部件，以及沿着第一方向将多个通道构件夹在中间的两个第二外延部件。

公开(公告)号：CN113113311A

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN202110198485.X

申请日：2021-02-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈仕承 ,  林群雄 ,  王志豪

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/10

Abstract: 本公开涉及一种半导体装置的形成方法。接收半导体结构，其具有第一鳍状物与第二鳍状物。形成第一外延结构于第一鳍状物上，且第一外延结构具有第一型掺质。形成第一盖层于第一外延结构上。形成第二外延结构于第二鳍状物上，第二外延结构具有第二型掺质，且第二型掺质与第一型掺质不同。沉积第一金属于第二外延结构与第一盖层上。自第一金属与第二外延结构形成第一硅化物层，并自第一金属与第一盖层形成第二盖层。选择性移除第二盖层。沉积第二金属于第一外延结构与第二外延结构上。自第二金属与第一外延结构形成第二硅化物层。