公开(公告)号：CN115332171A

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN202210670330.6

申请日：2022-06-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林志昌 ,  潘冠廷 ,  陈仕承 ,  张荣宏 ,  张罗衡 ,  姚茜甯 ,  江国诚

IPC: H01L21/8234 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 集成电路的形成方法包括形成多个半导体纳米片。方法包括形成覆层内侧间隔物于晶体管的源极区与晶体管的栅极区之间。方法包括形成片状物内侧间隔物于半导体纳米片之间，且片状物内侧间隔物的沉积制程与覆层内侧间隔物的沉积制程分开。

公开(公告)号：CN114975606A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210315554.5

申请日：2022-03-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林志昌 ,  潘冠廷 ,  陈仕承 ,  张荣宏 ,  张罗衡 ,  姚茜甯 ,  江国诚

IPC: H01L29/10 ,  H01L27/088

Abstract: 本公开提出一种半导体结构。半导体结构包含基板及鳍结构，鳍结构位于基板之上。鳍结构包含堆叠鳍结构、鳍底部部分及隔离层，鳍底部部分设置于堆叠鳍结构之下，隔离层设置于堆叠鳍结构与鳍底部部分之间。半导体结构还包含介电衬及间隔物结构，介电衬与堆叠鳍结构的端部接触，间隔物结构与介电衬接触。

公开(公告)号：CN114975278A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210276255.5

申请日：2022-03-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张荣宏 ,  林志昌 ,  陈仕承 ,  姚茜甯 ,  江国诚 ,  王志豪 ,  林家彬 ,  李威养 ,  吕衍昇

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 本公开提供一种集成电路，包括基板上的第一纳米结构晶体管以及第二纳米结构晶体管。第一纳米结构晶体管的源极/漏极区域通过底部介电区域与半导体基板电性隔离。第二纳米结构晶体管的源极/漏极区域与半导体基板直接接触。

公开(公告)号：CN113658953A

公开(公告)日：2021-11-16

申请号：CN202110182041.7

申请日：2021-02-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张罗衡 ,  江国诚 ,  林志昌 ,  张荣宏 ,  陈仕承 ,  朱熙甯 ,  王志豪

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 一种半导体装置，包括栅极介电层、第一源极/漏极特征、在栅极介电层与第一源极/漏极特征之间形成的第一内部间隔物、连接第一源极/漏极特征的导电特征，以及半导体特征，其中半导体特征具有实质上为三角形的横截面，其具有沿着导电特征的第一表面、连接第一表面且接触第一内部间隔物的第二表面，及连接第一表面与第二表面的第三表面。

公开(公告)号：CN113658951A

公开(公告)日：2021-11-16

申请号：CN202110203716.1

申请日：2021-02-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈仕承 ,  林志昌 ,  张荣宏 ,  张罗衡 ,  姚茜甯 ,  江国诚 ,  王志豪

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L21/8234

Abstract: 一种半导体装置和其制造方法，半导体装置包括具有第一浓度的掺杂剂的磊晶特征、接触磊晶特征的源极/漏极特征、接触磊晶特征和源极/漏极特征的半导体通道、接触磊晶特征和源极/漏极特征的内部间隔物，以及接触内部间隔物和部分磊晶特征的栅极结构。源极/漏极特征包括第二浓度的掺杂剂，且第二浓度高于第一浓度。

公开(公告)号：CN113517277A

公开(公告)日：2021-10-19

申请号：CN202110576564.X

申请日：2021-05-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张荣宏 ,  张罗衡 ,  林志昌 ,  陈仕承 ,  江国诚 ,  王志豪

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238

Abstract: 根据本发明实施例的半导体装置，包含基底上的底介电部件，在底介电部件正上方的多个通道构件，包覆环绕每个通道构件的栅极结构，沿着第一方向将底介电部件夹在中间的两个第一外延部件，以及沿着第一方向将多个通道构件夹在中间的两个第二外延部件。

公开(公告)号：CN112018113A

公开(公告)日：2020-12-01

申请号：CN202010241453.9

申请日：2020-03-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 江国诚 ,  林志昌 ,  陈仕承 ,  王志豪 ,  王培勋 ,  张罗衡 ,  张荣宏

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 提供半导体装置及其形成方法。依据本发明实施例的半导体装置包含第一源极/漏极部件、第二源极/漏极部件、位于第一源极/漏极部件与第二源极/漏极部件之间的第一半导体通道元件和第二半导体通道元件，以及第一介电部件和第二介电部件的每一者包含第一介电层和不同于第一介电层的第二介电层。第一介电部件和第二介电部件夹设于第一半导体通道元件与第二半导体通道元件之间。

公开(公告)号：CN220510037U

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202321580003.8

申请日：2023-06-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张荣宏 ,  林志昌 ,  陈仕承 ,  庄宗翰 ,  江国诚 ,  王志豪

IPC: H01L29/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/78

Abstract: 提供一种集成电路，其包括纳米结构晶体管，纳米结构晶体管包括基底上方的多个第一半导体纳米结构及与每个第一半导体纳米结构接触的源极/漏极区。集成电路包括对源极/漏极区的下部横向连接的鳍状物侧壁间隔物。集成电路亦包括底部隔离结构而将源极/漏极区与半导体基底电性隔离。