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公开(公告)号：CN116062832B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202310029928.1
申请日：2023-01-09
Applicant: 厦门大学
IPC: C02F1/30
Abstract: 一种可拼接多场景可循环利用的污水净化装置，涉及水处理技术领域。包括：用于进行光催化的催化板，用于流通污水并固定光催化板的降解槽，以及用于透光的降解窗。所述催化板是在硅基片上刻蚀的硅纳米线和包覆在硅纳米线表面的二氧化钛组成的半导体异质纳米材料；所述降解槽的内侧设有固定催化窗的卡扣纹路，底部设有导流孔，外部四周设有拼接口；所述降解窗覆盖在降解槽之上，采用石英玻璃组成，并在窗内设有导流孔。本发明催化板为自主设计的纳米线异质结构，使用刻蚀和原子层沉积技术构建的半导体异质结纳米线阵列能够快速消除有机污染物，并且采用可拼接设计，大幅地拓展了设备使用的场景，能够在不同的场合设计相对应的净水装置。
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公开(公告)号：CN108428763B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN201810348654.1
申请日：2018-04-18
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/102 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种应力调控紫外多波长MSM光电探测器及其制备方法，利用外延于同一衬底上的两组完全应变超短周期超晶格结构完成紫外双波长的窄线宽探测，不仅极大地简化了双波段探测器件材料结构、生长过程及制备工艺，而且通过精确选择、高度集成，为多波长集成的彩色成像提供基础。本发明通过调控单周期超晶格的阱分子、垒分子层数，使二者达到共格界面附近力平衡状态并处于完全应变；设计生长两组完全应变的超短周期超晶格，可实现针对紫外光信号的双波长探测。本发明通过在外延衬底同一晶向生长不同阱垒比的多组超短周期超晶格，使多个带隙处于预设波长范围，可获得窄线宽的更多波长紫外探测，从而为集成多波长的彩色成像探测提供前提。
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公开(公告)号：CN117568766A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311544856.0
申请日：2023-11-20
Abstract: 一种层数可调的贵金属纳米帽阵列的制备方法，涉及一种周期性纳米阵列结构材料的制备。首先在玻璃、硅等基片表面制备一层六方密排的聚苯乙烯(PS)纳米球的二维胶体阵列，随后将预定厚度的金、银、铂等贵金属薄膜沉积在PS纳米球阵列上，再根据所需层数重复排列PS纳米球阵列与沉积金属薄膜的步骤，从而得到单层及多层贵金属/PS纳米球复合阵列结构，最后通过退火工艺将PS纳米球去除，得到六方密排的单层及多层贵金属纳米帽阵列。该方法可通过调控PS球的直径与金属薄膜的厚度去改变纳米帽的大小和壳厚，从而调节整体阵列的等离子体特性，可广泛应用于传感、催化等领域。
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公开(公告)号：CN116565013A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310227566.7
申请日：2023-03-10
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明提供了自旋场效应晶体管及其制备方法，晶体管的沟道材料使用由二维过渡金属硫族化合物与低自旋轨道耦合(SOC)的半导体材料构成的II型半导体异质结。晶体管的源极采用非磁性金属形成欧姆接触，漏极采用铁磁金属/超薄介质材料构成磁性隧穿电极，而栅极采用包含非磁金属/栅绝缘层的金属‑氧化物‑半导体结构。通过圆偏振光照射半导体沟道，在TMDC导带中产生高自旋极化率的电子，并通过异质结界面迁移到低SOC半导体层中。在自旋输运过程中，自旋极化方向受到栅极电压的调制，并通过漏极检测自旋方向，使器件呈现不同的电阻状态。本发明还提供了上述异质结的制备方法。
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公开(公告)号：CN111048641B
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN201911044450.X
申请日：2019-10-30
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种单芯片白光发光二极管，包括：衬底、缓冲层、非掺GaN层、图形化的n型GaN层、多量子阱有源层、电子阻挡层、p型GaN层、红光波长转换材料、电流扩展层、n型与p型欧姆接触电极。通过干法刻蚀技术和湿法腐蚀技术刻蚀n型GaN层，使其形成具有半极性面、非极性面以及极性面的六边形孔洞阵列，在该图形化的n型GaN层上外延生长InGaN多量子阱有源层、电子阻挡层和p型GaN层，发射出蓝光至黄绿光波段的宽光谱；在所述六边形孔洞中填充红光波长转换材料，由量子阱有源区发射的蓝/绿光激发出红光光谱；从而形成全光谱，获得高显色指数的单芯片白光发光二极管。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111029449B
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN201911086642.7
申请日：2019-11-08
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种深紫外LED薄膜半导体器件结构及制作方法，包括：制作一凹槽形状图形化衬底，并生长由缓冲层、n型半导体层、发光活性层和p型半导体层构成的深紫外发光外延层，并在所述深紫外发光外延层上制作倒装芯片连接结构，键合到绝缘散热基板上，减薄衬底至凹槽底部开口露出部分缓冲层，形成倒装结构的薄膜芯片结构，利用衬底作为掩膜板，干蚀刻缓冲层至n型层，形成图形对应的空心柱结构。空心柱结构与图形化衬底对应，并形成光子晶体结构，提高了深紫外LED薄膜芯片的光取出效率和改善了芯片的散热效果。
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公开(公告)号：CN112117356A
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN202010813127.0
申请日：2020-08-13
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明涉及一种全彩有源寻址Micro‑LED芯片结构及其制作方法，包括具有驱动电路阵列的支撑衬底、位于支撑衬底上的堆叠层，以及贯穿堆叠层与驱动电路阵列连接的互联电极，其中堆叠层从下至上包括有衬底金属键合层、多色发光外延层上下表面覆盖有透明导电层的多层夹心结构、介质填充层、滤光层、钝化层，互联电极包括连接第一外延层的p型面与驱动像素的阵列电极、连接第二外延层p型面与驱动像素的贯穿阵列电极、连接第三外延层p型面与驱动像素的贯穿阵列电极、贯穿堆叠层分别与多色发光外延层n型面连接的共用电极。本发明技术方案可制造出高分辨率且高效的全彩驱动融合Micro‑LED芯片。
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公开(公告)号：CN108767107B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201810559006.0
申请日：2018-06-01
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种电场调控的二维自旋电子器件及其制备方法，涉及自旋电流的产生和极化率的电场调控。器件结构包括第一BN二维材料/掺杂铁磁金属的III‑VI族硫属化物二维材料/第二BN二维材料的三明治结构、与第一BN二维材料和第二BN二维材料连接的透明电极，以及与III‑VI族硫属化物二维材料连接的沟道电极。铁磁金属掺杂在III‑VI族硫属化物二维材料的晶格替位或间隙位，使III‑VI族硫属化物二维材料的电子出现自旋极化；自旋极化的电子在入射激光激发下经由沟道回路产生自旋电流，通过外加垂直电场调节掺杂铁磁金属的III‑VI族硫属化物二维材料的磁结构在铁磁耦合与反铁磁耦合之间转变，从而可在0～100％范围内调控自旋电流的极化率，构成极化率电可控的二维自旋电子器件。
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公开(公告)号：CN108707875B
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201810541023.1
申请日：2018-05-30
Applicant: 厦门大学
IPC: C23C16/30 , C23C16/448 , C23C16/455 , C30B25/14 , C30B25/18 , C30B29/46
Abstract: 本发明公开了一种二维材料生长装置及其接头，以及运用装置的生长方法和制备的组分可调二维材料，包括层状二维材料及其异质结和非层状二维薄膜材料，进一步包括多元二维材料、组分可调的二维混晶材料和二维异质结材料，所述异质结包括单层或多层的垂直异质结和侧向异质结。本发明装置和方法创造性地在CVD生长设备上设计多个可观察的、可独立控制加热温度和时间、可准确控制蒸发源材料通断的蒸发源加热腔，从而提高了二维材料组分和异质结界面的可控性，很好地改善了管式CVD炉多温区蒸发源之间温度的互相影响，解决了二维材料生长过程中元素组分不易调控和异质结界面互扩散的问题，提高二维材料及其异质结的生长效率和晶体质量。
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公开(公告)号：CN108878547A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810708469.9
申请日：2018-07-02
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/108 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开一种高外量子效率的深紫外MSM光电探测器，其结构从下至上依次包括：衬底、缓冲层、纳米孔阵贯穿型超短周期超晶格以及金属电极；通过纳米压印技术和感应耦合等离子体刻蚀微细加工手段，在平面超短周期超晶格上形成有序贯穿的纳米孔阵列；所述孔阵的最小单元形状、尺寸、周期及刻蚀深度可调控。所述金属电极设置在纳米孔阵贯穿型超短周期超晶格上，同时将金属注入到纳米孔间隙并与其下的超晶格吸收层形成肖特基接触。本发明避免了平面型超晶格吸收层中与表面较远处载流子隧穿能力较弱的问题，使得离表面较深处的超晶格吸收外深紫外光并将载流子被金属电极直接收集，有效增大了器件的光电流，最终提高深紫外MSM窄带光电探测器的外量子效率。
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