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公开(公告)号：CN111029449B
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN201911086642.7
申请日：2019-11-08
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种深紫外LED薄膜半导体器件结构及制作方法，包括：制作一凹槽形状图形化衬底，并生长由缓冲层、n型半导体层、发光活性层和p型半导体层构成的深紫外发光外延层，并在所述深紫外发光外延层上制作倒装芯片连接结构，键合到绝缘散热基板上，减薄衬底至凹槽底部开口露出部分缓冲层，形成倒装结构的薄膜芯片结构，利用衬底作为掩膜板，干蚀刻缓冲层至n型层，形成图形对应的空心柱结构。空心柱结构与图形化衬底对应，并形成光子晶体结构，提高了深紫外LED薄膜芯片的光取出效率和改善了芯片的散热效果。
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公开(公告)号：CN111029449A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911086642.7
申请日：2019-11-08
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种深紫外LED薄膜半导体器件结构及制作方法，包括：制作一凹槽形状图形化衬底，并生长由缓冲层、n型半导体层、发光活性层和p型半导体层构成的深紫外发光外延层，并在所述深紫外发光外延层上制作倒装芯片连接结构，键合到绝缘散热基板上，减薄衬底至凹槽底部开口露出部分缓冲层，形成倒装结构的薄膜芯片结构，利用衬底作为掩膜板，干蚀刻缓冲层至n型层，形成图形对应的空心柱结构。空心柱结构与图形化衬底对应，并形成光子晶体结构，提高了深紫外LED薄膜芯片的光取出效率和改善了芯片的散热效果。
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公开(公告)号：CN114383821A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202111665174.6
申请日：2021-12-30
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明提出了基于三维成像的微小尺寸LED芯片测试系统，其构成包括压电驱控六轴探针台、马达驱控器、支架、底座、显微相机、信号采集器、光纤光谱仪、积分球、载物台、数显加热台、数字源表和计算机；本发明压电驱控六轴台以小步进发生位移，同步结合三维显微成像实现探针与芯片的精准定位，所述三维成像包括正面和截面显微成像，根据观测到的成像可以对探针与芯片的局部接触进行全方位控制；微芯片阵列在不同工作区间的整体出射光强度、光谱分布信息及电学特性，可通过数字源表光纤光谱仪、积分球、载物台、数显加热台、数字源表和计算机等测量组件获得，特别是运用机器视觉对图像的深度处理，有效实现了对高密度微LED阵列中单元器件发光均匀性的快速识辨及分析。
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