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公开(公告)号：CN113337857B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202110477776.2
申请日：2021-04-29
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种用于PCB通孔金属加厚的酸性硫酸盐电镀铜组合添加剂，由载体阻化剂、细化剂和均镀剂以100‑800∶0.5‑10∶1.5‑20的质量比组成，且载体阻化剂在酸性硫酸盐电镀铜镀液中的浓度为100‑800mg/L，该酸性硫酸盐电镀铜镀液以水为溶剂，含有60‑90g/L五水硫酸铜、160‑240g/L浓硫酸和0.04‑0.08g/L氯离子。本发明在使用条件范围内，能够有效降低镀液表面张力，细化铜层颗粒，实现PCB厚径比高的通孔(12∶1)均匀电镀加厚，分散能力值高。
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公开(公告)号：CN111364074A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN202010107186.6
申请日：2020-02-21
Applicant: 厦门大学
IPC: C25D3/48
Abstract: 本发明公开了一种复合配位低浓度一价金无氰镀金电镀液和制备方法。该电镀液的pH为8.0～11.5，直接以稳定、方便易购的氯金酸为主盐来源，还包括主配位剂、复合配位剂Ⅰ、复合配位剂Ⅱ、缓冲剂、光亮剂和润湿剂。本发明采用复合配位方式对一价金进行辅助配位，不仅提高了一价金无氰镀金电镀液的稳定性和稳定放电点位区间，而且显著降低镀液中的亚硫酸盐浓度，避免镀层中硫的夹杂，获得的金镀层外观光亮金黄、与基底结合力良好，适合于装饰性镀金；且本发明镀液配制过程简单、条件温和，镀液稳定。
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公开(公告)号：CN108866586A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810730190.0
申请日：2018-07-05
Applicant: 厦门大学
IPC: C25D3/56
Abstract: 本发明公开了一种三价铬体系电沉积铬铁合金的电镀液及其制备方法，其溶剂为水，pH＝2.7～4.5，溶质包括三价铬主盐、三价铬主络合剂、三价铬辅助络合剂、亚铁主盐、导电盐、缓冲剂、稳定剂、表面活性剂和复合光亮剂。本发明采用复合配位的方式对三价铬进行配位，降低了水分子对三价铬的配位能力，从而提高了铬在阴极表面的沉积效率。本发明特定的主络合剂均为小分子羧酸及其盐，可以取代水分子与三价铬络合，促进三价铬电还原，且该主络合剂和特定的辅助络合剂共同络合三价铬离子，形成组合型复合络合物，进一步促进三价铬电还原。
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公开(公告)号：CN105586614B
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201610156459.X
申请日：2016-03-18
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种三价铁体系碱性溶液电沉积因瓦合金的电镀溶液及电镀方法，属于电沉积合金领域，涉及电沉积因瓦合金的电镀工艺，包括电镀液组成和电镀工艺参数。本发明所述的因瓦合金属于铁基高镍合金，通常含有32～36wt.％(质量分数)的镍。本发明采用含三价铁盐和混合络合剂的碱性溶液体系，结合特定的电镀工艺条件，从而电镀获得具有特定镍含量范围的因瓦合金。电镀液包括三价铁盐、镍盐、混合络合剂、缓冲剂、添加剂和润湿剂；电镀工艺参数为：温度40～65℃，pH 8.5～11.5，电流密度1.0～12.0A/dm2，搅拌方式为空气搅拌或机械搅拌。本发明可以电镀获得0.1～10μm均匀厚度、含镍量34～36％的因瓦合金镀层，外观平整光泽。
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公开(公告)号：CN103757675B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201410025554.7
申请日：2014-01-20
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种AFM硅针尖脉冲电镀纳米厚度致密金薄膜方法。该方法是以进行表面洁净处理并除去表面SiO2氧化层的商品AFM硅针尖作为电镀基底，在合适的电镀金溶液中，采用脉冲电镀方法，沉积出一层纳米厚度且致密的金薄膜。本发明采用的商品AFM硅针尖脉冲电镀纳米厚度致密金薄膜方法，方法和设备简单；成本低廉；制备的金膜特征重现性好；所得金膜与基底结合力良好、金颗粒细小、致密并分布均匀；金膜厚度5～75nm；针尖表面金膜曲率半径可小于25nm；制备的原子力显微镜针尖具有针尖增强拉曼光谱（TERS）活性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103757675A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201410025554.7
申请日：2014-01-20
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种AFM硅针尖脉冲电镀纳米厚度致密金薄膜方法。该方法是以进行表面洁净处理并除去表面SiO2氧化层的商品AFM硅针尖作为电镀基底，在合适的电镀金溶液中，采用脉冲电镀方法，沉积出一层纳米厚度且致密的金薄膜。本发明采用的商品AFM硅针尖脉冲电镀纳米厚度致密金薄膜方法，方法和设备简单；成本低廉；制备的金膜特征重现性好；所得金膜与基底结合力良好、金颗粒细小、致密并分布均匀；金膜厚度5～75nm；针尖表面金膜曲率半径可小于25nm；制备的原子力显微镜针尖具有针尖增强拉曼光谱（TERS）活性。
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公开(公告)号：CN103741178A
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201410025551.3
申请日：2014-01-20
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明涉及一种用于硅表面直接电镀光滑致密银薄膜的溶液及电镀方法，该方法以表面洁净并除去表面SiO2氧化层的硅作为电镀基底，在合适的电镀银溶液中，采用控制电位法在硅表面镀上光滑致密的银薄层。银薄层表面光滑平整、由细小的银颗粒堆积而成，颗粒粒径小于20nm，银薄层表面粗糙度优于5nm，厚度5～200nm。本发明方法具有操作简单、快速、成本低和重现性高等优点。
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公开(公告)号：CN102978592A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201210572072.4
申请日：2012-12-24
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种硅表面湿法沉积金纳米颗粒的方法，涉及一种硅的表面处理。以硅材料作为基底，首先将基底表面进行反复洁净处理，以去除硅表面的有机物、无机物和SiO2氧化层；随后将硅材料直接浸于含有组装分子的无水乙醇溶液中并通氮气或氩气气体保护，进行硅表面分子自组装修饰；最后将经分子自组装修饰的硅材料浸入化学镀金槽内进行湿法还原反应，实现硅表面均匀湿法沉积金纳米颗粒。经过协同、紧凑处理，可以在任何形状硅基底表面上直接得到颗粒细小，分布均匀、细密的金纳米粒子；纳米粒子的粒径约为5～25nm；纳米粒子与硅基底有较好的结合力。
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公开(公告)号：CN101665962B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200910112479.7
申请日：2009-09-04
Applicant: 厦门大学
IPC: C25D3/38
Abstract: 一种钢铁基底上碱性无氰镀铜电镀液及其制备方法，涉及一种电镀液。提供一种钢铁基底上碱性无氰镀铜电镀液及其制备方法。电镀液的组成包括主盐、络合剂、导电盐、活化剂、一价铜离子络合剂、pH稳定剂和光亮剂。在水中加入络合剂，搅拌溶解，得溶液A；在溶液A中加入主盐，搅拌溶解，得溶液B；在水中加入导电盐，搅拌溶解，得溶液C；将溶液B和溶液C混合，用硫酸或氢氧化钠等调pH至2.0～4.5，得溶液D；在溶液D中加入添加剂，加水定容至所需体积的钢铁基底上碱性无氰镀铜电镀液后即可使用，所述添加剂为活化剂、一价铜离子络合剂、pH稳定剂和光亮剂。
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