公开(公告)号：CN100433375C

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：CN200510122528.7

申请日：2005-12-22

Applicant: 南开大学

Inventor： 张德贤 ,  冯凯 ,  齐龙茵 ,  赵飞 ,  蔡宏琨 ,  张晓 ,  李胜林

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种柔性衬底薄膜太阳电池衬底的清洗方法，由褪火、支撑、蹭试、加热超声清洗、真空烘干五个步骤组成的清洗方法，其中，200-230℃褪火1-3小时，水温至50-80℃加热，超声波清洗衬底30-60分钟，120-140℃真空条件下烘干。本发明实现对有机柔性衬底的清洗，使之达到半导体器件制造的清洁标准而不对其造成损伤。本发明是清洗用于半导体器件制造的柔性衬底的一种有效方法。

公开(公告)号：CN100409379C

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN200610013055.1

申请日：2006-01-16

Applicant: 南开大学

Inventor： 刘晖 ,  王健 ,  王雅欣 ,  孙云 ,  张德贤 ,  李养贤 ,  李志青

IPC: H01F10/20 ,  H01F10/32 ,  H01F41/18 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明属于一种晶粒大小可控的多晶Fe3O4薄膜材料及其制备方法，它是在基片上形成多晶Fe3O4薄膜，Fe3O4晶粒粒径为19～42纳米，薄膜的室温磁电阻数值11～12%。本发明是采用直流磁控溅射技术，先在氩气和氧气的混合气氛中溅射成膜，然后通过对退火温度和退火时间的连续控制而制备的，所用基片材料为玻璃、石英、单晶硅、单晶砷化镓等，溅射时基片不加热。本发明制备得到的多晶Fe3O4薄膜材料与目前所存的同类材料相比，其晶粒大小可以连续控制，并且具有较高的室温磁电阻数值，制备工艺简单，适用于多种基片等优点。

公开(公告)号：CN100387751C

公开(公告)日：2008-05-14

申请号：CN200510122237.8

申请日：2005-12-08

Applicant: 南开大学

Inventor： 刘晖 ,  李志青 ,  张德贤 ,  王雅欣 ,  王健

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/14

Abstract: 本发明涉及纳米晶铁锗颗粒薄膜磁敏材料的制备方法。该磁敏材料的通式为FexGe1-x，其中x为铁的金属颗粒所占的体积百分比，0.45＜x＜0.60，薄膜厚度在4～8纳米。先将高纯度的氩气通入真空室，然后将超高真空闸板阀的开启度降为20%。锗靶上加15瓦的射频功率，在铁靶上加以5～15瓦的直流功率，预溅射20分钟左右。基片以20转/分钟的速率均匀旋转。本发明制备的铁锗颗粒薄膜材料为纳米晶结构，霍尔电阻灵敏度在-250℃到+200℃的温度范围内达到125VA/T，并且具有小的热漂移、零磁场偏移。本发明的材料制备简单，成本低，因而在航空、航天、军事等领域具有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN1819281A

公开(公告)日：2006-08-16

申请号：CN200510122528.7

申请日：2005-12-22

Applicant: 南开大学

Inventor： 张德贤 ,  冯凯 ,  齐龙茵 ,  赵飞 ,  蔡宏琨 ,  张晓 ,  李胜林

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种柔性衬底薄膜太阳电池衬底的清洗方法，由褪火、支撑、蹭试、加热超声清洗、真空烘干五个步骤组成的清洗方法，其中，200－230℃褪火1－3小时，水温至50－80℃加热，超声波清洗衬底30－60分钟，120－ 140℃真空条件下烘干。本发明实现对有机柔性衬底的清洗，使之达到半导体器件制造的清洁标准而不对其造成损伤。本发明是清洗用于半导体器件制造的柔性衬底的一种有效方法。

公开(公告)号：CN1819274A

公开(公告)日：2006-08-16

申请号：CN200510122529.1

申请日：2005-12-22

Applicant: 南开大学

Inventor： 张德贤 ,  蔡宏琨 ,  冯凯 ,  齐龙茵 ,  张晓 ,  赵飞 ,  李胜林

IPC: H01L31/02 ,  H01L31/042 ,  H01L31/18 ,  C23C14/24

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及柔性衬底薄膜太阳电池阻挡层及其制备方法，它是金属镍层或金属钛层，阻挡层的厚度为30－50nm。柔性衬底薄膜太阳电池阻挡层可以防止背电极金属铝在制备电池的过程中扩散进入电池主体，在背电极与电池硅基薄膜之间制备一层阻挡层，不影响入射光的反射，增加其在电池吸收层中的光程的作用，还可以保证电池性能，显著提高柔性衬底倒结构薄膜太阳电池的输出特性和均匀性。

公开(公告)号：CN1818129A

公开(公告)日：2006-08-16

申请号：CN200610013295.1

申请日：2006-03-14

Applicant: 南开大学

Inventor： 蔡宏琨 ,  齐龙茵 ,  赵飞 ,  冯凯 ,  张晓 ,  崔光龙 ,  陶科 ,  席强 ,  张德贤

IPC: C23C14/30 ,  C23C14/54

Abstract: 本发明涉及电子束蒸发低温制备锡掺杂氧化铟ITO薄膜的方法。通过控制蒸发条件，在氧分压5.0×10－2Pa，衬底温度100℃，电子枪电压－8.0kv等条件下，实现采用电子束蒸发低温高效无损伤制备锡掺杂氧化铟ITO薄膜，薄膜材料的光学透过率为90％，电阻率为2.168×10－4Ω·cm，方块电阻为22Ω，厚度为100nm，霍尔系数为－4.55×10－2m2/v，迁移率为21.4cm2/v·s，其光电性能满足柔性太阳透明电极的需求，减小太阳电池串联电阻，提高输出效率。

公开(公告)号：CN201993334U

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN201020665767.3

申请日：2010-12-17

Applicant: 南开大学

Inventor： 贾芸芳 ,  郭子喻 ,  张德贤 ,  陈乔杉 ,  陈新娟

IPC: G01N27/30 ,  G01N27/416

Abstract: 提供一种“组合式光寻址电位传感器(LAPS)测试平台”，包括主体框架1、光源控制器2、光源阵列插板3、LAPS芯片插板4、电极固定插板5、门板6，六个部分。LAPS芯片插板4的设计，采用了将LAPS芯片与储液空间合二为一的方法；光源阵列的设计，采用了将光源与光源控制器分离的方案；测试平台的组合方式，采用了插装的方式，将光源阵列插板3、LAPS芯片插板4、以及电极固定插板5通过主体框架1内插槽8、9、10，插装并固定在主体框架1内。本实用新型为LAPS提供液态电化学测试体系，解决了光源阵列与LAPS敏感单元阵列的匹配和对准问题。并且，当LAPS芯片的敏感单元阵列结构发生变化时，无须更改测试平台整体结构，满足LAPS对测试平台灵活性的要求。

公开(公告)号：CN2862331Y

公开(公告)日：2007-01-24

申请号：CN200520130695.1

申请日：2005-12-22

Applicant: 南开大学

Inventor： 张德贤 ,  蔡宏琨 ,  张晓 ,  齐龙茵 ,  冯凯 ,  赵飞 ,  李胜林

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/687

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本实用新型涉及一种用于柔性衬底薄膜太阳电池制备的衬底支撑装置。它是由框形底座，凹槽，框形压板，螺丝和不锈钢柱组成，框形底座对应的两侧有凹槽，不锈钢柱放置在凹槽内匹配，框形压板放置在框形底座上面，框形底座与框形压板对应，并且分别设置螺孔，螺丝插入螺孔固定框形底座和框形压板，框形内挖空面积处是薄膜衬底工作面。用不锈钢柱将抻紧的有机柔性薄膜边缘挤进底座的凹槽中，用压板将不锈钢柱压住并拧紧螺丝，即实现对有机柔性薄膜的夹持，使其展平固定，以便在其上进行薄膜沉积和器件制造。