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公开(公告)号：CN109004054A
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201810760180.1
申请日：2018-07-11
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/074 , H01L31/18 , H01L31/0216
Abstract: 本发明公开了一种硫化钼薄膜异质结太阳能电池，其采用PVA/PVP光透膜层作为电池的窗口层，由于PVA/PVP光透膜层能够隔离空气，从而增加了硫化钼薄膜异质结太阳能电池的稳定性；并且其在P型单晶硅衬底与硫化钼薄膜层之间设置了氧化石墨烯中间层，通过氧化石墨烯中间层与P型单晶硅衬底接触，由于氧化石墨烯中含有氢键可以与P型单晶硅衬底表面的悬挂键结合，从而降低了P型单晶硅衬底的表面态，有利于提升电池的开路电压和短路电流，进一步提升本发明的硫化钼薄膜异质结太阳能电池的转换效率。
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公开(公告)号：CN108666375A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201810356878.7
申请日：2018-04-20
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/103 , H01L31/18 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种纳米层状横向同质PN二极管及其制备方法与应用。所述p型过渡金属硫族化合物膜和n型过渡金属硫族化合物膜均位于介质层的上表面，且横向连接；电极层分别与p型过渡金属硫族化合物膜和n型过渡金属硫族化合物膜纵向连接或横向连接；所述p型过渡金属硫族化合物膜和n型过渡金属硫族化合物膜由相同过渡金属硫族化合物组成。本发明制备方法简单，采用磁控溅射使氧等离子体实现过渡金属硫族化合物高效率低损伤的p型掺杂，实现了有效、可控掺杂，得到的二极管用于光电探测器具有更快光响应和更高探测率。
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公开(公告)号：CN106531834B
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201611090552.1
申请日：2016-11-30
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/074 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种HIT(Heterojunction with Intrinsic Thin‑layer)太阳能电池及其制备方法，该电池的组成包括N型单晶硅衬底(N‑c‑Si)、本征氢化非晶硅层(a‑Si：H)、低氢气稀释比(RH)的P型微晶硅层、高RH的P型微晶硅层、ITO(indium tin oxide)透明导电薄膜、正面栅线电极、DBRs(Distributed Bragg reflectors)、背电极。DBRs是由三层重掺杂N型非晶硅薄膜和氮化硅薄膜构成。本发明优化了HIT太阳能电池窗口层和背反射层的结构，能够大大提升电池对近红外光的吸收，降低串联电阻，提升开路电压和短路电流，进而提升太阳能电池效率。
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公开(公告)号：CN107523811A
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201710679857.4
申请日：2017-08-10
Applicant: 华中科技大学
IPC: C23C18/14
CPC classification number: C23C18/14
Abstract: 本发明公开了一种二维过渡金属硫族化合物薄膜及其制备方法，其中制备方法包括：将A和B混合后加入C溶液得到前驱体溶液，A为五氯化钼或者四氯化钨，B为硫脲或者硒脲，C为异丙醇、乙醇或者甲醇，将前驱体溶液涂抹在带氧化层的硅片上；用激光器照射置于硅片表面的前驱体，激光器输出功率为20W～200W，照射时间0.02s～2s，照射在真空环境或惰性气氛环境下进行，得到二维过渡金属硫族化合物薄膜。本发明采用的激光制备二维过渡金属硫族化合物薄膜，其工艺流程简单，可以在短时间内获得高质量的二维过渡金属硫族化合物薄膜，适合大批量生产。
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公开(公告)号：CN107403847A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201710569811.7
申请日：2017-07-13
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/09 , H01L31/18 , H01L21/02
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/09 , H01L21/02381 , H01L21/02568 , H01L21/0259 , H01L21/0262 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备工艺，光探测器包括从上之下依次排列的电极结构、多个层状二硫化钼薄膜以及衬底；电极结构为电极、主支、分支三部分，相邻主支之间和相邻分支之间的间距为二硫化钼薄膜的平均大小，起到并联二硫化钼薄膜、增大光敏面积的作用。二硫化钼薄膜的生长采用化学气相沉积(CVD)的方法，硅片作为衬底，MoO3粉末作为钼源，硫粉作为硫源，通过控制钼源与衬底之间的间距、硫蒸气进入反应的时间和反应温度，制备得到大面积的层状二硫化钼薄膜。使用该方法制备层状二硫化钼薄膜，对设备要求低，实验过程简单方便、重复性高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105244414B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201510678656.3
申请日：2015-10-20
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/074
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种二硫化钼/ 硅异质结太阳能电池及其制备方法，化学气相沉积（CVD）方法可制得大面积、均匀、高结晶的二硫化钼膜，该材料具有较高的载流子迁移率且带隙可调控，制备的二硫化钼/ 硅异质结太阳电池具有常温制备、工艺简单、成本低、光电转换效率高等特点，在降低器件成本的同时，能够实现太阳能的有效转换。
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公开(公告)号：CN106531834A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201611090552.1
申请日：2016-11-30
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/074 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/074 , H01L31/035272 , H01L31/0547 , H01L31/1804
Abstract: 本发明公开了一种HIT(Heterojunction with Intrinsic Thin-layer)太阳能电池及其制备方法，该电池的组成包括N型单晶硅衬底(N-c-Si)、本征氢化非晶硅层(a-Si：H)、低氢气稀释比(RH)的P型微晶硅层、高RH的P型微晶硅层、ITO(indium tin oxide)透明导电薄膜、正面栅线电极、DBRs(Distributed Bragg reflectors)、背电极。DBRs是由三层重掺杂N型非晶硅薄膜和氮化硅薄膜构成。本发明优化了HIT太阳能电池窗口层和背反射层的结构，能够大大提升电池对近红外光的吸收，降低串联电阻，提升开路电压和短路电流，进而提升太阳能电池效率。
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公开(公告)号：CN105870253A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610258405.4
申请日：2016-04-25
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/074
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/18 , H01L31/074
Abstract: 本发明公开了一种制备二硫化钨/硅（WS2/Si）异质结太阳能电池的方法，主要工艺是：对p型单晶硅片清洗、制绒后置于PECVD系统中制备出本征非晶硅薄膜层；经WO3的硫化制备出WS2薄膜层；在其反面热蒸发金属铝背电极，正面采用电子束蒸发制备出钯薄膜构成上电极，得到异质结太阳能电池。该化学气相沉积方法可制备出面积大、分布均匀、高结晶性的纳米WS2薄膜材料，有很好的载流子迁移率和带隙可调控优点，且实验方法简单、工艺可控、易操作、成本较低、光电转换效率高，能够实现太阳能的有效转换。
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公开(公告)号：CN105161576A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201510677976.7
申请日：2015-10-20
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/18 , H01L31/1864
Abstract: 本发明公开了一种基于二硫化钼的肖特基太阳电池的制备方法，利用金属钯与二硫化钼形成肖特基异质结，在石英衬底上制备薄膜太阳能电池。纳米层状二硫化钼薄膜的制备采用化学气相沉积法实现，金属钯薄膜采用磁控溅射法实现，钯薄膜作为背电极，金属钛/金叠层薄膜通过热蒸发方法在二硫化钼薄膜上沉积作为上电极。这种基于二硫化钼的肖特基异质结太阳能电池光电转换效率高，制备方法简单易行，成本低，具有广泛应用前景。
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公开(公告)号：CN208553707U
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201820608645.7
申请日：2018-04-26
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种硫化钼合成过程中产生尾气的处理装置。所述装置包含进气管、瓶体、进料管、管盖和出气管；所述进气管上末端位于所述瓶体外部；所述进气管下末端位于所述瓶体内部；所述进料管和出气管通过所述瓶体的上表面与所述瓶体连通；所述进气管的下末端低于所述出气管的下末端；所述进料管的下末端悬空在所述瓶体内部；所述管盖位于所述进料管上端；所述瓶体仅通过进气管、进料管和出气管与外部连通。本实用新型通过将硫化钼合成产生的尾气的进气管直接插入吸收溶液中，使尾气与吸收溶液完全反应，阻止了硫化钼合成过程中产生的有害气体二氧化硫直接排放到空气中，降低了实验尾气带来的危害。
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