公开(公告)号：CN103618037A

公开(公告)日：2014-03-05

申请号：CN201310606319.4

申请日：2013-11-25

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 曾祥斌 ,  廖武刚 ,  文西兴 ,  郑文俊 ,  冯枫 ,  文杨阳 ,  黄诗涵

IPC: H01L33/26 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L33/005 ,  H01L33/025 ,  H01L33/26

Abstract: 本发明公开了一种掺杂硅量子点发光二极管，包括硅衬底，沉积银纳米颗粒层，以及在银纳米颗粒结构上沉积多层分布均匀且包含掺杂硅量子点的SiNx薄膜，透明导电薄膜AZO层以及Si3N4钝化层。还公开了该发光二极管的制备方法，利用掺杂硅量子点-SiNx薄膜的电致发光特性，构成发光二极管的发光有源层；利用掺杂可以钝化量子点，同时掺杂硅量子点与硅衬底形成的p-n结增强电子空穴的辐射复合。此外，利用银纳米结构增加电致发光的强度，提高了发光器件的发光效率，且与传统的CMOS工艺兼容。

公开(公告)号：CN105161576A

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201510677976.7

申请日：2015-10-20

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 曾祥斌 ,  文杨阳 ,  文西兴 ,  廖武刚 ,  王文照 ,  徐素娥 ,  李寒剑 ,  郭富城

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1864

Abstract: 本发明公开了一种基于二硫化钼的肖特基太阳电池的制备方法，利用金属钯与二硫化钼形成肖特基异质结，在石英衬底上制备薄膜太阳能电池。纳米层状二硫化钼薄膜的制备采用化学气相沉积法实现，金属钯薄膜采用磁控溅射法实现，钯薄膜作为背电极，金属钛/金叠层薄膜通过热蒸发方法在二硫化钼薄膜上沉积作为上电极。这种基于二硫化钼的肖特基异质结太阳能电池光电转换效率高，制备方法简单易行，成本低，具有广泛应用前景。

公开(公告)号：CN103618037B

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201310606319.4

申请日：2013-11-25

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 曾祥斌 ,  廖武刚 ,  文西兴 ,  郑文俊 ,  冯枫 ,  文杨阳 ,  黄诗涵

IPC: H01L33/26 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明公开了一种掺杂硅量子点发光二极管，包括硅衬底，沉积银纳米颗粒层，以及在银纳米颗粒结构上沉积多层分布均匀且包含掺杂硅量子点的SiNx薄膜，透明导电薄膜AZO层以及Si3N4钝化层。还公开了该发光二极管的制备方法，利用掺杂硅量子点‑SiNx薄膜的电致发光特性，构成发光二极管的发光有源层；利用掺杂可以钝化量子点，同时掺杂硅量子点与硅衬底形成的p‑n结增强电子空穴的辐射复合。此外，利用银纳米结构增加电致发光的强度，提高了发光器件的发光效率，且与传统的CMOS工艺兼容。

公开(公告)号：CN105161576B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201510677976.7

申请日：2015-10-20

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 曾祥斌 ,  文杨阳 ,  文西兴 ,  廖武刚 ,  王文照 ,  徐素娥 ,  李寒剑 ,  郭富城

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种基于二硫化钼的肖特基太阳电池的制备方法，利用金属钯与二硫化钼形成肖特基异质结，在石英衬底上制备薄膜太阳能电池。纳米层状二硫化钼薄膜的制备采用化学气相沉积法实现，金属钯薄膜采用磁控溅射法实现，钯薄膜作为背电极，金属钛/金叠层薄膜通过热蒸发方法在二硫化钼薄膜上沉积作为上电极。这种基于二硫化钼的肖特基异质结太阳能电池光电转换效率高，制备方法简单易行，成本低，具有广泛应用前景。