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公开(公告)号：CN118387962A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410520141.X
申请日：2024-04-26
Applicant: 北京理工大学
IPC: C02F1/14 , C02F1/04 , C02F103/08
Abstract: 本申请实施例提供一种海水淡化器，包括：海水蒸发部，包括顶盖和基座，所述顶盖罩设于所述基座上，所述基座设有进水通道和加热件，所述进水通道用于将海水引入所述海水蒸发部内，并覆盖在所述基座的加热件上方，所述加热件用于吸收太阳能，以将海水加热蒸发成水蒸汽；蒸汽冷凝部，设置在所述海水蒸发部的下方，并与所述海水蒸发部连通，以能够与海水接触，使得水蒸汽能够冷凝成淡水；和淡水储存部，设置在所述蒸汽冷凝部的下方，并与所述蒸汽冷凝部连通，以储存所述蒸汽冷凝部生成的淡水。本申请实施例提供的海水淡化器能够高效地利用太阳能将海水转换成淡水，同时无需消耗常规能源，产水方式环保无污染。
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公开(公告)号：CN116583168A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310620781.3
申请日：2023-05-30
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明提供了一种全氧化物的透明光电忆阻器及其制备方法，该透明光电忆阻器包括透明基底、设置在透明基底上部的透明下电极层、设置在透明下电极层上部的透明存储层以及设置在透明存储层上部的透明上电极层。该制备方法包括：(1)选取ITO导电玻璃作为透明基底，然后对透明基底进行清洗，并把ITO导电玻璃上的ITO材料作为透明下电极层；(2)利用磁控溅射的方法在ITO导电玻璃表面上沉积IGZO薄膜作为透明存储层；(3)利用磁控溅射的方法在IGZO薄膜表面上沉积In2O3薄膜作为透明上电极层。本发明构思合理，具有非易失性、透明、功耗低、成本低廉、能实现多功能化等优点。
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公开(公告)号：CN116234424A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310221491.1
申请日：2023-03-09
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明提供了一种基于IGZO薄膜的神经突触器件及其制备方法，该器件包括底电极、顶电极及设置在底电极和顶电极之间的阻变层；底电极包括基底和位于基底上方的底电极层；阻变层的材料为IGZO薄膜。该制备方法为包括：(1)对ITO玻璃材料的基底进行清洗，并把ITO作为底电极；(2)采用磁控溅射的方法在底电极位于基底上方的底电极层的表面上沉积IGZO薄膜以形成阻变层；(3)采用热蒸发的方法在功能层上蒸镀一层Ag薄膜以形成顶电极。本发明构思合理，具有高度的透明性且能够有效模拟神经突触功能，包括双脉冲易化(PPF)、长时程增强和抑制(LTP/LTD)等，而且不需要设计复杂的脉冲信号，适于推广与应用。
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公开(公告)号：CN115992346A
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202310121914.2
申请日：2023-02-16
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明实施例公开了一种多功能的离子沉积薄膜制备装置及薄膜沉积方法，包括薄膜生长机构，进样承载机构，离子源提供机构、分子束外延机构和化学气相沉积机构；进样承载机构用于向薄膜生长机构中提供样品；离子源提供机构提供经过筛分后的待沉积离子，用于离子沉积；分子束外延机构产生分子束流，用于分子束外延生长；化学气相沉积机构产生气态物质，用于化学气相沉积。通过离子源提供机构、分子束外延机构和化学气相沉积机构的协同配合，一次操作过程中可完成分子束外延、化学气相沉积、离子沉积等多种薄膜制备功能，实现电中性分子和带电离子的共沉积，可用于氧化物、氮化物、硒化物以及金刚石等薄膜材料及其异质结的原位制备，提高制备效率。
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公开(公告)号：CN113140641B
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202110405178.4
申请日：2021-04-15
Applicant: 北京理工大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L31/0203 , C23C14/02 , C23C14/06 , C23C14/08 , C23C14/28 , C23C14/35
Abstract: 本发明提供了一种柔性二维材料光探测器阵列及其制作方法，能够在室温和大气环境下能稳定工作。本发明的柔性二维材料光探测器阵列，其中的二维材料NbSe2通常存在三棱柱结构(2H相)或八面体结构(1T相)，2H相为半金属，1T相为莫特绝缘体，生长的大面积或体材料通常是2H相，2H相的半金属薄膜因其光电导特性适合作为光电器件的光敏层材料，且相比于体材料具有较低的暗电流，对波长为532nm到808nm光谱范围内的光照具有响应。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119920711A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510108040.6
申请日：2025-01-23
Applicant: 北京理工大学 , 拓荆科技(上海)有限公司
IPC: H01L21/66 , H01L21/67 , H01L21/677
Abstract: 本发明公开了一种半导体设备，及其温度监测系统和温度控制方法。该半导体设备包括传输模块、大气真空负载模块、以及大气传动模块，且各模块内设有第一温度传感器；以及控制器，被配置为：经由任一该模块内的第一温度传感器，获取送入当前模块内的晶圆的初始温度；基于初始温度，判断晶圆上的温度是否完成热传导；响应于完成热传导，判断晶圆的当前温度是否符合下一模块的传输温度；以及响应于当前温度符合下一模块的传输温度，将晶圆送入下一模块。本发明一方面能够在传送过程中根据机台各位置的晶圆温，进行晶圆传动调度，保障晶圆在机台各处的起始和终止温度的一致性，从而优化传送流程，达到晶圆环境的稳态，另一方面还能够提升机台产能。
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公开(公告)号：CN119830745A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411914044.5
申请日：2024-12-24
Applicant: 北京理工大学 , 拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
IPC: G06F30/27 , G01R31/00 , G06F30/23 , G06F30/17 , G06T17/20 , G06N3/048 , G06N3/084 , G06F119/06 , G06F119/12
Abstract: 本发明涉及半导体设备技术领域，更具体的说，涉及一种结合工艺参数的半导体设备电磁兼容建模方法及系统。本方法包括：采集半导体设备的关键工艺参数，并进行预处理；构建工艺神经网络模型，所述工艺神经网络模块，用于基于关键工艺参数预测输出半导体设备的电磁干扰特性数据；建立有限元仿真模型，所述有限元仿真模型，以工艺神经网络模型输出的电磁干扰特性数据作为边界条件，用于仿真半导体设备的电磁场分布；结合工艺神经网络模型与有限元仿真模型，分析不同关键工艺参数下半导体设备的电磁场动态分布，评估电磁干扰影响。本发明建立工艺参数与电磁干扰特性之间的动态关联，实现对不同工艺条件下半导体设备电磁特性的精准预测。
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公开(公告)号：CN119815891A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411804350.3
申请日：2024-12-09
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本申请实施例提出一种基于高k栅介质与IGTO结构的薄膜晶体管，包括栅介质层和沟道层，所述栅介质层设置在所述沟道层的下方，所述栅介质层由高K栅介质制成，所述沟道层由In掺杂的IGTO制成。本发明实施例提供的薄膜晶体管，通过高k栅材料与氧化物半导体IGTO结合，能有效地控制沟道层的电荷，提升器件的电学性能，同时能降低功耗。本申请实施例还提供一种薄膜晶体管的制备方法。
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公开(公告)号：CN119815853A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411806493.8
申请日：2024-12-09
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本申请实施例提出一种基于高k栅介质与IGTO结构的薄膜晶体管的后退火优化方法，包括以下步骤：在基底表面采用La靶和Hf靶同时溅射沉积HfLaO薄膜，以形成高k栅介质层；在沉积完所述HfLaO薄膜的高k栅介质层的表面上采用IGTO靶溅射沉积IGTO薄膜，以形成沟道层；和将沉积完所述IGTO薄膜后的基底进行退火处理。本发明提供的基于高k栅介质与IGTO结构的薄膜晶体管的后退火优化方法，通过高k栅材料与氧化物半导体IGTO结合，能有效地控制沟道层的电荷，提升器件的电学性能，同时能降低功耗，同时通过后退火处理，能够提高迁移率，以进一步提升器件性能。本申请实施例还提供一种薄膜晶体管。
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公开(公告)号：CN119626956A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411828874.6
申请日：2024-12-12
Applicant: 北京理工大学 , 拓荆科技(上海)有限公司
IPC: H01L21/677 , H01L21/66 , H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本发明涉及半导体设备技术领域，更具体地说，涉及一种机械手水平监测自调整系统。本发明提供的自调整系统，包括机械手承载晶圆装置，用于承载晶圆；电子水平监测装置，设置在机械手承载晶圆装置上，用于监测机械手承载晶圆装置的水平状态；水平调整传动板，用于传动并调整机械手承载晶圆装置的水平位置；水平自调整装置，基于电子水平监测装置的反馈数据，调整水平调整传动板的平衡状态，确保机械手承载晶圆装置处于水平状态。本发明通过水平自调整装置实现机械手自动水平调整，避免人工调整过程中的不准确问题，提高水平监测调整的准确性和效率，为机械手的稳定运行提供了有力的技术支持。
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