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公开(公告)号：CN116621165A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202210135346.7
申请日：2022-02-14
IPC: C01B32/186
Abstract: 本申请提供一种套管式等离子体增强化学气相沉积装置，用于制备石墨烯薄膜，包括放卷仓、收卷仓、内套管、外套管、射频线圈。放卷仓内设置有放卷轮，收卷仓内设置有收卷轮，内套管密封连接放卷仓和收卷仓，外套管设置在内套管的外部，射频线圈螺旋设置在内套管和外套管之间。通过以上设计，可实现等离子体空间和高温环境空间的重叠的同时做到射频线圈的有效保护，在提高离子体的利用效率的同时延长射频线圈的使用寿命，并且设计简单，操作简便，可降低石墨烯薄膜的生产成本。
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公开(公告)号：CN115420653A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202110525854.1
申请日：2021-05-14
IPC: G01N13/02 , G01N23/22 , G01N23/2202 , G01N23/2206
Abstract: 本发明提供了一种石墨烯薄膜亲水性的评估方法，包括如下步骤：(1)将石墨烯薄膜设置于多孔载网上，得到石墨烯薄膜/多孔载网；(2)在所述石墨烯薄膜/多孔载网的石墨烯薄膜表面设置水滴；(3)通过环境扫描电镜获取所述石墨烯薄膜表面水滴的形貌图；以及(4)通过所述形貌图计算得出或直接测量得到所述水滴的接触角θ。本发明一实施方式的方法，以不受衬底干扰的石墨烯薄膜作为评估对象，可以排除衬底对石墨烯亲水性测量的影响；同时通过环境扫描电镜的使用，可得到石墨烯薄膜表面水滴的更为清晰的形貌图。
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公开(公告)号：CN113109370B
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202110333466.3
申请日：2021-03-29
Applicant: 北京大学
IPC: G01N23/04 , G01N23/20 , G01N23/20008
Abstract: 本发明公开了一种具有圆孔阵列结构的透射电镜支撑膜及超平整石墨烯载网及其制备方法。该方法包括在圆孔阵列模板上使用真空镀膜依次镀上水溶性牺牲层和多孔电镜支撑膜，利用牺牲层的水溶性，使得多孔支撑膜飘在液面上。随后用商用载网将多孔支撑膜捞起，干燥后得到多孔膜‑载网的复合结构。基于此，通过洁净转移将超平整石墨烯转移至多孔膜上，即得超平整石墨烯载网。该方法解决了国内圆孔阵列电镜支撑膜的被卡脖子的技术问题，多孔电镜支撑膜良品率高，圆孔孔径和厚度可控，并可实现大面积制备。同时本发明制备的超平整石墨烯载网，石墨烯表面基本无褶皱，机械强度高，完整度在98％以上。此外，石墨烯表面洁净，无污染物，有利于提高成像质量。
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公开(公告)号：CN114093438A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202111263213.X
申请日：2021-10-28
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于Bi2O2Se的多模态库网络时序信息处理方法。该方法利用具有高电子迁移率且性质稳定的层状二维材料Bi2O2Se作为有效层沟道制备背栅场效应晶体管结构的多模态光热传感器，根据该器件对电脉冲、光脉冲、升温脉冲和降温脉冲的高维度、非线性的记忆衰退特性，实现了多模态库网络设计，通过该多模态库网络处理时序信息，训练成本低，且效率高、精度高。
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公开(公告)号：CN113964019A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202111186030.2
申请日：2021-10-12
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于Bi2O2Se的台阶状垂直方向器件及其制备方法和应用。所述基于Bi2O2Se的台阶状垂直方向两端器件是通过选择性腐蚀硅/高k衬底上的Bi2O2Se层状二维材料形成台阶，并在台阶上下分别制备顶电极和底电极而获得的。利用该两端器件成功测试了Bi2O2Se二维材料垂直方向上的电流输运特性，并做变温测试和模型拟合，得到垂直方向上Se空位的移动以及Poole‑Frenkel发射电流机制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113782593A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202010516637.1
申请日：2020-06-09
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种硒氧化铋原位热氧化物顶栅场效应晶体管及其制备方法。该方法将二维Bi2O2Se晶体进行原位氧化，使其表层氧化转化为一定厚度的栅氧化物Bi2SeO5。随后利用氢氟酸选择性刻蚀Bi2SeO5，暴露出源漏接触区域的Bi2O2Se。随后在栅氧化物区域沉积金属栅电极，再沉积金属源漏电极而得。本发明工艺流程简单，操作容易，成本低，器件性能优异，该硒氧化铋原位氧化物顶栅场效应晶体管在300K下的场效应迁移率可达300cm2V‑1s‑1，亚阈值摆幅可低至70mV/dec。本发明有望应用于大规模集成电路等领域；为Bi2O2Se半导体在逻辑电路、传感器和集成电路的应用奠定了基础。
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公开(公告)号：CN111470500B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN201910062667.7
申请日：2019-01-23
IPC: C01B32/194
Abstract: 本发明公开了一种生物活性配体功能化石墨烯薄膜及其制备方法。所述生物活性配体连接于石墨烯薄膜上，生物活性配体为Ni‑氨三乙酸配体；所述生物活性配体功能化石墨烯薄膜的制备方法为：将石墨烯薄膜转移至电镜载网上；采用高锰酸钾和碱性化合物的混合水溶液处理石墨烯薄膜；采用氨三乙酸活化石墨烯薄膜，然后与镍盐反应即得。本发明中石墨烯的功能化修饰可解决石墨烯的疏水性问题，利用化学链接引入高密度的生物活性配体，可以实现支持膜与生物分子的选择特异性结合，准确控制蛋白质分布。本发明生物活性配体功能化石墨烯薄膜可通过在未来优化中直接定位或捕获细胞裂解物中的目标生物分子，将生物分子纯化和冷冻电镜样品制备结合到一个步骤中是可预期的。
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公开(公告)号：CN113109370A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110333466.3
申请日：2021-03-29
Applicant: 北京大学
IPC: G01N23/04 , G01N23/20 , G01N23/20008
Abstract: 本发明公开了一种具有圆孔阵列结构的透射电镜支撑膜及超平整石墨烯载网及其制备方法。该方法包括在圆孔阵列模板上使用真空镀膜依次镀上水溶性牺牲层和多孔电镜支撑膜，利用牺牲层的水溶性，使得多孔支撑膜飘在液面上。随后用商用载网将多孔支撑膜捞起，干燥后得到多孔膜‑载网的复合结构。基于此，通过洁净转移将超平整石墨烯转移至多孔膜上，即得超平整石墨烯载网。该方法解决了国内圆孔阵列电镜支撑膜的被卡脖子的技术问题，多孔电镜支撑膜良品率高，圆孔孔径和厚度可控，并可实现大面积制备。同时本发明制备的超平整石墨烯载网，石墨烯表面基本无褶皱，机械强度高，完整度在98％以上。此外，石墨烯表面洁净，无污染物，有利于提高成像质量。
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公开(公告)号：CN113023718A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN201911343879.9
申请日：2019-12-24
Applicant: 北京大学
IPC: C01B32/194 , C01B21/064
Abstract: 本发明公开了一种洁净转移制备高质量悬空二维材料支撑膜的方法。该方法利用有机小分子对石墨烯表面进行修饰，使石墨烯薄膜能够克服液体表面张力的影响，从而在液面上保持完整。并且液面上的石墨烯能够有效和多孔基底贴合，从而实现了高完整度(>90％)悬空石墨烯支撑膜的制备。该方法无需引入任何高分子，所得悬空石墨烯薄膜表面洁净，洁净度和机械剥离的石墨烯相当，并可实现洁净悬空石墨烯支撑膜的批量制备。此外，悬空石墨烯层数可控，可制备单层、双层、少层(2～5层)悬空石墨烯支撑膜。该悬空石墨烯支撑膜可直接作为透射电镜载网，用于冷冻电镜制样和单颗粒的高分辨结构解析以及纳米颗粒、单原子的高分辨成像。
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公开(公告)号：CN112850696A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110147885.8
申请日：2021-02-03
IPC: C01B32/194
Abstract: 本发明提供了一种石墨烯薄膜的转移方法、石墨烯薄膜及石墨烯复合结构，该转移方法包括：提供第一石墨烯复合结构，所述第一石墨烯复合结构包括依次设置的基底层、石墨烯层、缓冲层和聚合物层；去除所述第一石墨烯复合结构的基底层，得到第二石墨烯复合结构；将所述第二石墨烯复合结构转移至目标基底；以及去除所述缓冲层和所述聚合物层；其中，所述缓冲层包含冰片，所述聚合物层用于为脱离所述基底的所述石墨烯层提供支撑。本发明一实施方式的方法，相较于现有技术，可提高转移后石墨烯薄膜的完整度、洁净度。
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