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公开(公告)号：CN109891747A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201780066532.7
申请日：2017-10-10
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种不需要发生金属杂质的扩散的高温工艺，散热性优异，并且相对于高频的损耗小的基板的制造方法及高热传导性基板。本发明的复合基板是具有压电单晶基板、支承基板以及设置在所述压电单晶基板与所述支承基板之间的中间层的复合基板。本发明的复合基板的特征在于，中间层为由无机材料构成的膜，其至少一部分为热合成二氧化硅。中间层可以沿着复合基板的接合面分为至少2层，与支承基板相接的第一中间层设为含有热合成二氧化硅的层为宜。
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公开(公告)号：CN109417367A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201780040222.8
申请日：2017-05-23
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种即使在贴合后的工序中加热到400℃以上也不会产生压电单晶膜的整面剥落的声表面波器件用复合基板。通过准备压电单晶基板和支承基板，将由无机材料构成的膜成膜于压电单晶基板和支承基板中的至少任意一方，并且将压电单晶基板与支承基板以夹持由无机材料构成的膜的方式进行接合，从而制造复合基板。
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公开(公告)号：CN104793460B
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201510028801.3
申请日：2015-01-20
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种EUV用防尘薄膜组件，使用其的EUV用组合体以及其组合方法。本发明的EUV用防尘薄膜组件为由将防尘薄膜用网格结构体进行补强了的防尘薄膜结构体以及对该防尘薄膜结构体进行保持的防尘薄膜组件框架构成的EUV用防尘薄膜组件。网格结构体，由于EUV光在掩模面反射，2次通过EUV用防尘薄膜组件，所以在晶片上被投影为2种的影像。本发明的其特征在于，将间隔值进行设定，使所述影像的浓淡对比度比减小至25％以下，并且，这种间隔值，以设定为0.3mm～1.0mm的范围内为优选。
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公开(公告)号：CN108885972A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201780021577.2
申请日：2017-04-04
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor： 秋山昌次
IPC: H01L21/02 , B23K20/00 , B23K20/24 , H01L21/265 , H01L21/425 , H01L27/12 , H01L41/187 , H01L41/312
CPC classification number: B23K20/00 , B23K20/24 , H01L21/02 , H01L21/265 , H01L21/425 , H01L27/12 , H01L41/187 , H01L41/312
Abstract: 本发明涉及一种复合晶片，其包括转移至支承晶片整个表面的钽酸锂或铌酸锂氧化物单晶薄膜，且在支承晶片与氧化物单晶薄膜之间的接合界面上不发生开裂或剥落。一种复合晶片的制造方法，其至少包括：在氧化单晶片中形成离子注入层的步骤，对所述氧化物单晶片的所述离子注入表面和支承晶片表面中的至少一者进行表面活化处理的步骤，将所述氧化物单晶片的所述离子注入表面接合至所述支承晶片表面形成层合体的步骤，在90℃以上且不致使开裂发生的温度下对所述层合体进行第一热处理的步骤，对所述离子注入层施加机械冲击的步骤，以及在250℃～600℃的温度下对带有转移的所述氧化物单晶薄膜的所述支承晶片进行第二热处理以获得复合晶片的步骤。
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公开(公告)号：CN105190835B
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201480024384.9
申请日：2014-04-21
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 通过准备在硅基板上将第1硅氧化膜和硅活性层依次地层叠而成、在该硅基板面外周部形成了不具有上述硅活性层的台阶部的SOI基板，在SOI基板的硅活性层表面形成第2硅氧化膜，对上述SOI基板和与该SOI基板热膨胀率不同的支持基板的贴合面进行活性化处理，与室温相比在高温下经由第2硅氧化膜将上述SOI基板和支持基板贴合，接下来，对于上述贴合基板在规定的热处理温度条件和板厚薄化条件下将提高SOI基板与支持基板的结合力的结合热处理和将上述硅基板研削而薄化的研削薄化处理的组合反复进行至少2次，通过蚀刻将上述薄化的硅基板除去而使第1硅氧化膜露出，进而通过蚀刻将第1硅氧化膜除去，从而在不进行基板外周的修剪、不存在基板外周部的硅活性层的部分的剥离等不利情形下得到具有良好的硅活性层的SOI结构的混合基板。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108702141A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201780006333.7
申请日：2017-01-06
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: H03H3/08 , H01L21/86 , H01L41/312 , H01L41/337 , H03H3/02 , H03H9/02559 , H03H9/02574 , H03H9/02834 , H03H9/25
Abstract: 本发明提供一种在压电材料层和支承基板的贴合中能够得到充分的接合强度的复合基板及复合基板的制造方法。本发明提供一种复合基板，其具备：单晶支承基板，其以第一元素为主成分；氧化物单晶层，其设于单晶支承基板上，以除氧以外的第二元素为主成分；非晶质层，其设于单晶支承基板和氧化物单晶层之间，含有第一元素、第二元素及Ar，所述复合基板的特征在于，非晶质层具有：第一元素的比例比第二元素的比例高的第一非晶质区域和第二元素的比例比第一元素的比例高的第二非晶质区域，第一非晶质区域中所含的Ar的浓度比第二非晶质区域中所含的Ar的浓度高，且为3原子％以上。
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公开(公告)号：CN104272432B
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201380024083.1
申请日：2013-05-07
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: H01L23/3735 , C30B29/06 , C30B33/00 , C30B33/06 , H01L21/187 , H01L21/76254 , H01L21/76256 , H01L23/3731 , H01L23/3732 , H01L23/3738 , H01L29/1602 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及放热基板，其特征在于，是由2层组成的复合基板，表层(第一层)1由单晶硅构成，处理基板(第二层)2由热导率比第一层高的材料构成，本发明涉及的放热基板给予高的放热性。
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公开(公告)号：CN107004573A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580066099.8
申请日：2015-10-22
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor： 秋山昌次
IPC: H01L21/02 , H01L21/265 , H01L27/12
CPC classification number: H01L21/02527 , C23C16/0227 , C23C16/50 , C30B29/36 , H01L21/02378 , H01L21/02422 , H01L21/02631 , H01L21/7602 , H01L21/76254 , H01L27/12
Abstract: [课题]提供一种复合基板，借以能够以低成本制作无缺陷的纳米碳膜。[解决手段]公开了一种复合基板的制造方法，在所述方法中，从单晶碳化硅基板的表面注入离子，形成离子注入区域；将所述单晶碳化硅基板的离子注入面和操作基板的主面贴合，然后在所述离子注入区域将所述单晶碳化硅基板剥离，将单晶碳化硅薄膜转印到所述操作基板，其中所述单晶碳化硅基板的待贴合面和所述操作基板的待贴合面各自具有表面粗糙度RMS为1.00nm以下。
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公开(公告)号：CN103676460B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310394876.4
申请日：2013-09-03
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 提供一种在减轻入射EUV光的减少的同时，有具有高强度的EUV用防尘薄膜组件。本发明为一种具有用网格形状的结构体加固的EUV透过膜的EUV用防尘薄膜组件，其特征在于∶所述网格形状的结构体的纵截面形状（高度方向截面形状）为越远离EUV透过膜，前端越细的形状。
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公开(公告)号：CN103890907B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201280050683.0
申请日：2012-10-11
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: H01L21/76251 , H01L21/76256
Abstract: 提供一种能够防止片损坏和剥落的生产透明SOI片的方法。所述用于生产透明SOI片方法包括以下步骤：将用作供体片的硅片的表面与透明的处理片的表面键合在一起以获得键合片；在150至300℃的第一温度对键合片进行热处理，作为第一热处理；通过从被热处理后的键合片的硅片侧向键合的表面和未键合的周围表面之间的边界照射可见光激光，同时在入射光和硅片的径向方向之间保持60至90°的角度来切割键合片的未键合部分；对未键合的部分被切割后的键合片的硅片进行研磨、抛光或蚀刻以形成硅膜；以及在比第一温度高的300至500℃的第二温度对形成有硅膜的键合片进行热处理，作为第二热处理。
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