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公开(公告)号：CN108198758B
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN201711423137.8
申请日：2017-12-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/329 , H01L29/861
Abstract: 本发明提供一种垂直结构的氮化镓功率二极管器件制作方法，其中包括：步骤一、提供衬底以及衬底上的外延层；步骤二、提供外延层表面进行图形化并刻蚀凹槽；步骤三、在凹槽之间的外延层表面淀积第一阳极金属；步骤四、在凹槽中和第一层阳极金属表面覆盖第二阳极金属；步骤五、在器件背面制作阴极。本发明能够提高器件的正向输出电流以及反向阻断电压，提高氮化镓功率二极管的器件性能。
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公开(公告)号：CN111865234A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010758658.4
申请日：2020-07-31
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及一种紧凑型宽带Doherty功率放大器，属于射频功率放大器技术领域，解决了现有的Doherty功率放大器只考虑单频点的匹配造成的宽带性能较差的问题。包括功分器、载波功率放大电路、峰值功率放大电路和后匹配网络，峰值功率放大电路包括切比雪夫输入匹配网络，当功分器输入端输入低功率信号时，峰值功率放大电路的负载阻抗无穷大，由载波功率放大电路实现输入信号的放大；当功分器输入端输入高功率信号时，切比雪夫输入匹配网络的输出阻抗匹配于峰值功率放大电路中峰值功率放大器的最佳源阻抗，与载波功率放大电路共同实现输入信号的放大。有效抑制了峰值功率放大器的开启点随频率偏移的现象，改善了放大器的宽带性能。
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公开(公告)号：CN109671797B
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201811579268.X
申请日：2018-12-21
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L31/115 , H01L31/0224
Abstract: 本发明公开了一种漂移探测器及其制作方法，该漂移探测器包括：第一导电半导体衬底、隧穿氧化层、第二导电半导体层、第三导电半导体层、金属电极层和隔离层；其中，第二导电半导体层与第一导电半导体衬底的导电类型相反，第三导电半导体层与第一导电半导体衬底的导电类型相同，第二导电半导体层、位于其下方的隧穿氧化层和第一导电半导体衬底共同构成PN结，该PN结形成：漂移电极、第一保护环、入射窗口和第二保护环；第三导电半导体层、位于其下方的隧穿氧化层和第一导电半导体衬底共同构成高低结，该高低结形成：阳极、第一接地电极和第二接地电极。该漂移探测器实现大面积、低噪声、能量分辨率高，且具有简单的制作工艺，可进行大批量制造。
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公开(公告)号：CN111416622A
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN202010282504.2
申请日：2020-04-12
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H03M1/66
Abstract: 本发明公开一种时钟信号恢复电路及方法、接口电路、信号同步方法，涉及数模转换技术领域，可以确保输入的数字信号与数模转化器的内部时钟信号同步。该时钟信号恢复电路包括鉴相器，鉴相器的输入端与锁存器的输出端通信连接。译码器，译码器的输入端与鉴相器的输出端通信连接。相位调整器，相位调整器的输入端与译码器的输出端通信连接，相位调整器的输出端与锁存器的输入端通信连接。相位调整器用于根据控制信号调整采样时钟信号的相位，获取调整后的采样时钟信号。当调整后的采样时钟信号与数字信号同步时，获得时钟恢复信号。本发明还提供一种接口电路和同步信号方法。
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公开(公告)号：CN111223922A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN202010025949.2
申请日：2020-01-08
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/10
Abstract: 一种绝缘栅双极晶体管，包括栅极、集电极、两个发射极和环形N型掺杂埋层，其中：两个发射极均分别位于对应的N+发射极区和部分p型base区上，而所述p型base区位于N型轻掺杂漂移层内，两个所述N+发射极区位于p型base区内；环形N型掺杂埋层，在p型base区内环绕N+发射极区，一端与沟道相接，另一端与表面处层间介质相接，将所述p型base区物理分割为p型base1区和p型base2区。本发明可以有效阻挡空穴电流流经N+发射极下方区域，但对沿着沟道运动的电子不产生影响，从而将电子电流和空穴电流分离，极大减小了流经N+发射极下方的电流，抑制了p-base基区/N+发射极结的正偏，显著提高了器件的抗闩锁特性，提升了器件的坚固性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110828538A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201810894043.7
申请日：2018-08-07
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/06 , H01L21/331 , H01L29/73
Abstract: 本发明公开了一种双极晶体管，包括：按自下而上的顺序依次设置的集电极、N+衬底、N-集电区、P+基区；设置于所述P+基区上的P-基区，所述P-基区裸露出P+基区的延伸部分，所述延伸部分包括基极接触区和终端区，其中，所述基极接触区上设置有基极，所述终端区包括间隔设置的多个场限环，相邻场限环之间由凹槽分隔开；设置于所述P-基区上的N+发射区；以及设置于所述N+发射区上的发射极。
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公开(公告)号：CN109283298B
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201811349529.9
申请日：2018-11-13
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G01N33/00
Abstract: 一种SiC氧化中SiC‑SiO2界面碳残留浓度的测定方法，包括：提供一个包含SiC‑SiO2界面的碳化硅衬底，所述包含SiC‑SiO2界面的碳化硅衬底由SiC氧化获得；利用离子注入向所述碳化硅衬底内注入18O同位素，18O同位素与SiC‑SiO2界面碳生成一氧化碳C18O；加热所述碳化硅衬底使一氧化碳C18O脱附；收集脱附出来的一氧化碳C18O，并检测其质量；根据一氧化碳C18O的质量计算SiC‑SiO2界面碳残留浓度。本发明的方法操作简单，准确度高，适用于通过各种方法氧化SiC衬底得到的SiC‑SiO2界面碳残留，通过筛选合格碳残留浓度的SiC衬底，可以提高产品的稳定性和可靠性。
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公开(公告)号：CN108770175B
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201810521241.9
申请日：2018-05-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H05H1/46
Abstract: 一种用于微波等离子体发生装置的微孔/微纳结构双耦合谐振腔，包括一圆柱形腔体，所述圆柱形腔体的周壁上均匀分布由多个微孔形成的微孔阵列，所述微孔的直径是波长的奇数倍，所述腔体的内壁上具有金属微纳结构，所述微孔阵列与金属微纳结构形成双耦合结构从而实现谐振增强和可调，所述金属微纳结构的周期尺寸为λ/n，λ为入射波长，n为谐振腔材料的折射率。本发明通过优化设计双耦合谐振方式，来减少引导模和泄漏模的损耗，达到在固定区域谐振最大程度增强的目的，并能提高等离子体的均匀性，保证光耦合和场空间局域增强特性的前提下，可改善吸收损耗问题，另外多个谐振腔独立控制，可以有效控制等离子体的温度。
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公开(公告)号：CN109922590A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201910189810.9
申请日：2019-03-13
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供了一种原子态等离子体的形成及维持方法及半导体材料的等离子体处理方法。该方法包括以下步骤：S1，通过微波能量耦合待激发气体，以激发产生等离子体火球；S2，对等离子体火球产生气体扰动，使至少部分等离子体维持在原子态，以调控原子态等离子体与分子态等离子体的激发比例。上述方法中通过微波能量耦合待激发气体以激发产生等离子体火球，然后对等离子体火球产生气体扰动，使至少部分等离子体维持在原子态，实现了对原子态等离子体与分子态等离子体激发比例的调控，具有非常广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN109768091A
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201910192344.X
申请日：2019-03-13
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种双沟槽SS-SiC MOSFET结构，包括：一碳化硅衬底；依次堆叠在衬底之上的一碳化硅N型电子漂移外延层、一碳化硅N型电流扩展外延层、一碳化硅P型基区层、一碳化硅N型重掺杂层、两个对称分布、从碳化硅N型重掺杂层顶部延伸到碳化硅N型电流扩展外延层中的碳化硅源极P型重掺杂离子注入区；两个在碳化硅源极P型重掺杂离子注入区内的源极沟槽；一位于中心的栅极沟槽；一位于栅极沟槽下的P型遮蔽区；一包覆栅极沟槽的二氧化硅层；一栅极多晶硅层。本发明提出的双沟槽SS-SiC MOSFET结构，通过短P型遮蔽区和浅源极沟槽的设计，可以实现在不损失器件的耐压能力的同时，提高器件的电流能力。
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