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公开(公告)号：CN112636697B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202011357413.7
申请日：2020-11-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H03F1/07
Abstract: 本发明涉及一种具有深回退区间的Doherty功率放大器，属于射频功率放大器技术领域，解决了现有的Doherty功率放大器的回退区间较窄造成的工作效率较差的问题。该Doherty功率放大器中第一功分器的第一输出端连接载波功率放大电路的输入端，第一功分器的第二输出端连接第一峰值功率放大电路的输入端；第二功分器的输入端连接第一峰值功率放大电路的输出端，第二功分器的第一输出端同时连接载波功率放大电路的输出端和后匹配网络的输入端，第二功分器的第二输出端连接第二峰值功率放大电路的输入端，第二峰值功率放大电路的输出端连接后匹配网络的输入端。实现了输入功率信号的放大，具有较深的回退区间。
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公开(公告)号：CN115051569A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202110255025.6
申请日：2021-03-09
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供了一种DC‑DC转换器及其驱动电路和相关设备，驱动电路包括差分放大电路、第一死区控制电路和第二死区控制电路；差分放大电路用于对第一差分控制信号和第二差分控制信号进行放大；第一死区控制电路用于对差分放大电路输出的第一差分控制信号进行延迟、电平转移和放大处理；第二死区控制电路用于对差分放大电路输出的第二差分控制信号进行延迟、电平转移和放大处理，以使第一开关和第二开关在开关转换的过程中同时具有死区时间，从而可以使得第一开关和第二开关不会出现同时导通的情况，不仅避免了第一开关和第二开关因瞬间大电流损坏的情况，而且降低了DC‑DC转换器的功率损耗，提高了DC‑DC转换器的效率。
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公开(公告)号：CN107196610B
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201710332216.1
申请日：2017-05-11
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供了一种开关功率放大器，包括：两个电平转移电路，分别用于对低电压差分信号的两路信号进行降压，得到两路降压负值电压信号；放大模块，用于对所述两路降压负值电压信号进行放大，得到并输出一路放大后的电压信号。另外，本发明还采用了氮化镓基功率管，通过本发明可以对高工作频率、电压幅值较小的信号进行稳定的放大和输出，大幅度提高功放电路的工作效率，以及为数字功放提供更强的放大能力。
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公开(公告)号：CN107196610A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710332216.1
申请日：2017-05-11
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供了一种开关功率放大器，包括：两个电平转移电路，分别用于对低电压差分信号的两路信号进行降压，得到两路降压负值电压信号；放大模块，用于对所述两路降压负值电压信号进行放大，得到并输出一路放大后的电压信号。另外，本发明还采用了氮化镓基功率管，通过本发明可以对高工作频率、电压幅值较小的信号进行稳定的放大和输出，大幅度提高功放电路的工作效率，以及为数字功放提供更强的放大能力。
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公开(公告)号：CN102623336B
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201110030283.0
申请日：2011-01-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种砷化镓基微波单片集成电路功率器件的制作方法，应用于GaAs pHEMT功率器件与电路半导体工艺中的后道工艺，该方法采用减薄研磨工艺降低衬底的厚度，采用纳米抛光液对外延结构的衬底进行化学机械抛光，采用溅射钛/镍合金的方法制作掩膜，使用ICP工艺进行深背孔刻蚀，采用减薄工艺制备出了厚度超薄、抛光面形貌优良的衬底，并配合ICP刻蚀工艺，制作出侧壁光滑的深孔结构；采用溅射钛/钨/金复合层金属的方法形成背金起镀层，之后电镀金形成背面金属，降低背面接地电阻，同时大大改善了电路的散热问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102456611B
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201010520274.5
申请日：2010-10-20
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/768 , H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种控制背孔剖面形状的方法。该方法包括：在底层材料上沉积多层金属薄膜，多层金属薄膜中的各层对底层材料具有不同的刻蚀方向选择比；刻蚀去除底层材料背孔位置沉积的多层金属薄膜；以底层材料上剩余的多层金属薄膜为掩膜对底层材料进行刻蚀，利用多层金属薄膜对底层材料的不同刻蚀方向选择比来实现对背孔剖面形状的控制。利用本发明公开的方法，可以获得了倾斜的刻蚀剖面，便于背孔内壁起镀层金属的完整覆盖，从而实现了背孔内镀层金的完整填充。
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公开(公告)号：CN103928525A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410169651.3
申请日：2014-04-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336 , G01N27/414
CPC classification number: H01L29/778 , G01N27/414 , H01L29/205 , H01L29/66462 , H01L29/812
Abstract: 本发明提供了一种场效应晶体管液体传感器，该传感器为单栅指场效应晶体管结构，包括：衬底；衬底上的异质结，所述异质结为由GaN和AlGaN材料形成；所述异质结上的源电极、漏电极以及栅电极，栅电极为肖特基电极，源电极、漏电极为欧姆接触电极。本发明采用由GaN和AlGaN材料形成的异质结，可以形成高浓度、高迁移率的二维电子气，由此形成的传感器具有高化学稳定性和高电子迁移率，并易于集成。
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公开(公告)号：CN102543665B
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201010577694.7
申请日：2010-12-07
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种砷化镓衬底改进的快速减薄方法。该方法基于在砷化镓衬底通过化学试剂进行砷化镓外延晶片的粘附，同时采用真空加压方法进行固定，再使用多层叠加结构来缓冲减薄时带来的损伤和减小尺寸失真，采用独特材质的软陶瓷研磨盘来实现高速精确的背面减薄，再配合使用混合氧化铝研磨浆液，达到小于60µm的厚度。在研磨结束以后，使用纳米抛光溶液进行CMP（化学机械抛光）工艺，达到衬底厚度小于50µm，公差小于±1µm，粗糙度Ra小于1nm的高镜面效果。抛光完后的衬底不龟裂，不卷曲，无划伤等效果。
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公开(公告)号：CN102479745B
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201010561133.8
申请日：2010-11-26
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明涉及集成电路技术领域，具体涉及一种适用于氮化镓微波单片集成电路的场板金属制备方法，包括如下步骤：在氮化镓微波单片集成电路芯片的二次介质Si3N4层上依次旋涂PMGI光刻胶层和AZ5214E反转光刻胶层，通过光刻、反转烘片、泛曝光完成光刻工艺；再通过两步显影形成金属场板层图案；用金属蒸发台通过蒸发的方法形成Ti/Au场板金属层，之后用丙酮将光刻胶上的Ti/Au场板金属层进行剥离。本发明解决了场板制作光刻过程中光刻胶与Si3N4介质黏附性差的问题，保证了HEMT场板工艺的顺利进行，提高了MIM电容的良品率，实现了有源器件和无源器件工艺的良好兼容，能显著提高整个电路的成品率和性能。
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公开(公告)号：CN102427034B
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201110375079.2
申请日：2011-11-23
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/304 , H01L21/02 , C09G1/02
Abstract: 本发明公开了一种对超薄厚度GaAs晶片进行镜面抛光减薄的方法，包括：在GaAs晶片正面涂覆光刻胶，在该光刻胶上喷涂第一粘附剂；在蓝宝石载物片表面喷涂第二粘附剂，将该蓝宝石载物片表面与该GaAs晶片正面黏合；将黏合有GaAs晶片的该蓝宝石载物片安装在减薄夹具上；对该GaAs晶片背面进行初步减薄抛光；测量减薄后该GaAs晶片的厚度，当厚度小于100μm时停止减薄抛光；将该黏合有GaAs晶片的蓝宝石载物片再次装入夹具进行精密抛光；监控减薄后该GaAs晶片的厚度，当该GaAs晶片的厚度≤30μm，停止抛光，并对该黏合有GaAs晶片的蓝宝石载物片进行清洗。本发明提供的对超薄厚度GaAs晶片进行镜面抛光减薄的方法，避免了引入大尺寸的划伤，降低了GaAs表面损伤，粗糙度Ra达到很好的程度。
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