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公开(公告)号：CN112906226B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202110205653.3
申请日：2021-02-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G06F30/20 , G01D21/02 , G06F119/08
Abstract: 本发明所提供的GaN‑HEMT器件大信号模型的建模方法，包括：对GaN‑HEMT器件进行高低温环境下的脉冲电流‑电压测试，获得不同温度下的电流‑电压数据；采用改进后的漏极电流公式搭建GaN‑HEMT器件的漏电模型，改进后的漏极电流公式包含与环境温度相关的参数；将不同温度下的电流‑电压数据与漏电模型进行拟合，确定漏电模型的参数。由于改进后的漏极电流公式包含与环境温度相关的参数，因此，可以建立与包含环境温度相关的参数的大信号模型，从而可以获得在高低温环境下准确预测GaN‑HEMT器件性能的大信号模型，进而提高了GaN‑HEMT器件仿真模型的准确性。
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公开(公告)号：CN113271067B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202110614139.5
申请日：2021-06-02
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H03F1/07
Abstract: 本发明提供了一种基于去匹配结构的Doherty功率放大器及电子设备，在该Doherty功率放大器中，无需单独设计输入匹配电路、输出匹配电路以及开路补偿线，简化了Doherty功率放大器的结构；并且，通过优化Peak功放路的第二漏极偏置电压端的电压，以调整所述Peak功放输出饱和功率时对应的最优负载阻抗，进而缓解所述Peak功放的输出失配；并且Carrier功放路的第一漏极偏置电压端的电压与Peak功放路的第二漏极偏置电压端的电压不同，可以拓展Doherty功率放大器的功率回退量；进而提高Doherty功率放大器的性能。
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公开(公告)号：CN111865234A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010758658.4
申请日：2020-07-31
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及一种紧凑型宽带Doherty功率放大器，属于射频功率放大器技术领域，解决了现有的Doherty功率放大器只考虑单频点的匹配造成的宽带性能较差的问题。包括功分器、载波功率放大电路、峰值功率放大电路和后匹配网络，峰值功率放大电路包括切比雪夫输入匹配网络，当功分器输入端输入低功率信号时，峰值功率放大电路的负载阻抗无穷大，由载波功率放大电路实现输入信号的放大；当功分器输入端输入高功率信号时，切比雪夫输入匹配网络的输出阻抗匹配于峰值功率放大电路中峰值功率放大器的最佳源阻抗，与载波功率放大电路共同实现输入信号的放大。有效抑制了峰值功率放大器的开启点随频率偏移的现象，改善了放大器的宽带性能。
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公开(公告)号：CN112636697B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202011357413.7
申请日：2020-11-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H03F1/07
Abstract: 本发明涉及一种具有深回退区间的Doherty功率放大器，属于射频功率放大器技术领域，解决了现有的Doherty功率放大器的回退区间较窄造成的工作效率较差的问题。该Doherty功率放大器中第一功分器的第一输出端连接载波功率放大电路的输入端，第一功分器的第二输出端连接第一峰值功率放大电路的输入端；第二功分器的输入端连接第一峰值功率放大电路的输出端，第二功分器的第一输出端同时连接载波功率放大电路的输出端和后匹配网络的输入端，第二功分器的第二输出端连接第二峰值功率放大电路的输入端，第二峰值功率放大电路的输出端连接后匹配网络的输入端。实现了输入功率信号的放大，具有较深的回退区间。
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公开(公告)号：CN111884600A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010731371.2
申请日：2020-07-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H03F1/07
Abstract: 本发明涉及一种适用于5G基站的Doherty功率放大器及主功放输出匹配结构，Doherty功率放大器主要包括：功分器、F类功率放大器和C类功率放大器，信号通过功分器同时进入所述F类功率放大器与C类功率放大器，所述F类功率放大器为主功放，C类功率放大器为辅助功放，所述C类功率放大器未开启时由F类功率放大器提供整个放大器在回退点处的效率，所述C类开启后与F类功率放大器共同提供输出功率与PAE，应用动态功分，使PAE在整个回退区间内都有较高的值；同时为了解决5G基站需要小型化的要求，提出了一种集成二次谐波，三次谐波，基波匹配的输出匹配结构，减少了电路复杂程度，便于功放高效小型化运行。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111865234B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202010758658.4
申请日：2020-07-31
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及一种紧凑型宽带Doherty功率放大器，属于射频功率放大器技术领域，解决了现有的Doherty功率放大器只考虑单频点的匹配造成的宽带性能较差的问题。包括功分器、载波功率放大电路、峰值功率放大电路和后匹配网络，峰值功率放大电路包括切比雪夫输入匹配网络，当功分器输入端输入低功率信号时，峰值功率放大电路的负载阻抗无穷大，由载波功率放大电路实现输入信号的放大；当功分器输入端输入高功率信号时，切比雪夫输入匹配网络的输出阻抗匹配于峰值功率放大电路中峰值功率放大器的最佳源阻抗，与载波功率放大电路共同实现输入信号的放大。有效抑制了峰值功率放大器的开启点随频率偏移的现象，改善了放大器的宽带性能。
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公开(公告)号：CN113437942A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202110851718.1
申请日：2021-07-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及一种宽带功分器和宽带功率放大器，属于通信技术领域，尤其涉及，解决了现有功分器带宽较窄造成的工作效率较差，以及面积较大造成的成本消耗问题的问题。宽带功分器包括第一电容器连接在所述宽带功分器的输入端口和第一输出端口之间；第二电容器与所述第一电容器并联，并连接在所述宽带功分器的输入端口和第二输出端口之间；第一电感器，连接在所述宽带功分器的输入端口和第一电源电压之间；以及第二电感器和所述隔离电阻器，并联连接，并且连接所述第一输出端口和所述第二输出端口之间。实现了减少了电感器的数量，进而减小了功分器的面积，有效拓展了功分器的带宽。
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公开(公告)号：CN113271067A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202110614139.5
申请日：2021-06-02
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H03F1/07
Abstract: 本发明提供了一种基于去匹配结构的Doherty功率放大器及电子设备，在该Doherty功率放大器中，无需单独设计输入匹配电路、输出匹配电路以及开路补偿线，简化了Doherty功率放大器的结构；并且，通过优化Peak功放路的第二漏极偏置电压端的电压，以调整所述Peak功放输出饱和功率时对应的最优负载阻抗，进而缓解所述Peak功放的输出失配；并且Carrier功放路的第一漏极偏置电压端的电压与Peak功放路的第二漏极偏置电压端的电压不同，可以拓展Doherty功率放大器的功率回退量；进而提高Doherty功率放大器的性能。
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公开(公告)号：CN113437942B
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202110851718.1
申请日：2021-07-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及一种宽带功分器和宽带功率放大器，属于通信技术领域，尤其涉及，解决了现有功分器带宽较窄造成的工作效率较差，以及面积较大造成的成本消耗问题的问题。宽带功分器包括第一电容器连接在所述宽带功分器的输入端口和第一输出端口之间；第二电容器与所述第一电容器并联，并连接在所述宽带功分器的输入端口和第二输出端口之间；第一电感器，连接在所述宽带功分器的输入端口和第一电源电压之间；以及第二电感器和所述隔离电阻器，并联连接，并且连接所述第一输出端口和所述第二输出端口之间。实现了减少了电感器的数量，进而减小了功分器的面积，有效拓展了功分器的带宽。
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公开(公告)号：CN112906226A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110205653.3
申请日：2021-02-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G06F30/20 , G01D21/02 , G06F119/08
Abstract: 本发明所提供的GaN‑HEMT器件大信号模型的建模方法，包括：对GaN‑HEMT器件进行高低温环境下的脉冲电流‑电压测试，获得不同温度下的电流‑电压数据；采用改进后的漏极电流公式搭建GaN‑HEMT器件的漏电模型，改进后的漏极电流公式包含与环境温度相关的参数；将不同温度下的电流‑电压数据与漏电模型进行拟合，确定漏电模型的参数。由于改进后的漏极电流公式包含与环境温度相关的参数，因此，可以建立与包含环境温度相关的参数的大信号模型，从而可以获得在高低温环境下准确预测GaN‑HEMT器件性能的大信号模型，进而提高了GaN‑HEMT器件仿真模型的准确性。
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