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公开(公告)号：CN109545687B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201811349491.5
申请日：2018-11-13
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 一种基于交流电压下微波等离子体氧化的凹槽MOSFET器件制造方法，包括：步骤一、提供具有凹槽结构的碳化硅衬底，并将其放在微波发生装置中；步骤二、加入含氧气体，在交流电压下将其电离，产生氧等离子体；步骤三、通过所述交流电压控制所述等离子体中的氧离子与电子的运动，在所述碳化硅衬底上生成凹槽侧壁与凹槽底部厚度相等的氧化层，其中，当碳化硅衬底电压为负值时，氧离子到达碳化硅界面，并与碳化硅发生氧化反应，之后改变交流电压偏置方向，电子到达界面，与界面处残留的碳簇反应，生成CO；步骤四、停止通入含氧气体，反应结束。本发明可以有效地去除碳化硅氧化时界面残留的碳簇，改善界面质量，修复界面损伤，并且能够形成均匀的栅介质层。
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公开(公告)号：CN109494147B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201811349424.3
申请日：2018-11-13
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/02
Abstract: 一种基于交流电压下微波等离子体的碳化硅氧化方法，包括：步骤一、提供碳化硅衬底，将碳化硅衬底放置在微波等离子体发生装置中；步骤二、加入含氧气体，在交流电压下产生氧等离子体；步骤三、通过所述交流电压控制所述氧等离子体中的氧离子与电子的运动，在所述碳化硅衬底上生成预定厚度的氧化层，其中，碳化硅衬底电压为负时，氧离子靠近界面与碳化硅发生氧化反应，碳化硅衬底电压为正时，电子靠近界面与碳化硅发生还原反应，将碳残留去除；步骤四、停止通入含氧气体，反应结束。本发明可以实现对碳化硅氧化层的实时修复，有效减小碳残留，改善界面质量，减小氧化层中的缺陷中心对载流子的散射作用。
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公开(公告)号：CN108418471B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201810263391.4
申请日：2018-03-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种纳米发电机倍频输出结构及供能器件，其中，纳米发电机倍频输出结构，包括：振动弦结构，包含：振动弦，具有一平衡位置，在外力的作用下偏离平衡位置发生振动，该振动使得该振动弦最终回到平衡位置；纳米发电机，与振动弦相连接，在振动弦偏离平衡位置发生振动时也随着一起振动，并且该振动作为纳米发电机的驱动，纳米发电机在该驱动的作用下实现电能输出；以及配重，固定于振动弦上，保持纳米发电机在振动过程中的平衡。该纳米发电机倍频输出结构提高了纳米发电机的功率和能量转化效率，实现对外界低频、不规则运动的利用；由纳米发电机倍频输出结构构成的供能器件在清洁能源领域具有广泛的应用前景和实用价值。
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公开(公告)号：CN108766887A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810521158.1
申请日：2018-05-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 一种基于两步微波等离子体氧化的凹槽MOSFET器件的制造方法，包括：在凹槽栅刻蚀后，利用微波等离子体将凹槽栅表面的碳化硅氧化为二氧化硅，形成凹槽栅氧化层，其中形成凹槽栅氧化层的步骤包括：将进行凹槽栅刻蚀后的碳化硅衬底放置在微波等离子体发生装置中；通入第一含氧气体，产生的氧等离子体以第一升温速度升温到第一温度，在所述第一温度和第一压力下进行低温等离子体氧化；将氧等离子体以第二升温速度升温到第二温度，通入第二含氧气体，在所述第二温度和第二压力下进行高温等离子体氧化，直到生成预定厚度的二氧化硅；停止通入含氧气体，反应结束。本发明可以显著提高碳化硅的氧化效率，改善界面质量，形成均匀的栅介质层。
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公开(公告)号：CN108735607A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810521159.6
申请日：2018-05-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/66704 , H01L21/28211
Abstract: 一种基于微波等离子体氧化的凹槽MOSFET器件的制造方法，包括：在凹槽栅刻蚀后，利用微波等离子体将凹槽栅表面的碳化硅氧化为二氧化硅，形成凹槽栅氧化层，其中形成凹槽栅氧化层的步骤包括：将进行凹槽栅刻蚀后的碳化硅衬底放置在微波等离子体发生装置中；通入含氧气体，产生氧等离子体；氧等离子体与碳化硅反应生成预定厚度的二氧化硅；停止通入含氧气体，反应结束；其中，氧等离子体与碳化硅的反应温度为500-900℃，反应压力为400-1000mTorr。本发明可以显著提高碳化硅的氧化效率，改善界面质量，形成均匀的栅介质层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108429485A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201810257337.9
申请日：2018-03-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H02N1/08
Abstract: 本发明公开了一种胶囊式驻极体发电机及供能器件，其中，胶囊式驻极体发电机，包括：胶囊式封闭结构，包含：绝缘外壳，以及设置于绝缘外壳两侧的电极或者分别设置于绝缘外壳两侧的单电极和绝缘部；该胶囊式封闭结构具有一内部空间；以及驻极体振子，位于胶囊式封闭结构的内部空间内，可在电极间或单电极与绝缘部之间运动。该胶囊式驻极体发电机为单电极或双电极发电机，相比传统的驻极体发电机，该胶囊式驻极体发电机能有效减少驻极体内电荷的流失、延长驻极体的寿命；且工作温度和环境适应范围广泛、不需要反复充电，是一种清洁的供电器件，且能源来源广泛、有助于推广，具有较大的应用潜力和商业价值。
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公开(公告)号：CN106756878A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611244141.3
申请日：2016-12-29
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: C23C16/40 , C23C16/455 , H01L21/02
CPC classification number: C23C16/45525 , C23C16/40 , C23C16/403 , C23C16/405 , H01L21/02172 , H01L21/02192 , H01L21/0228
Abstract: 本发明公开了一种氧化物介质的原子层沉积方法，属于半导体集成技术领域。所述氧化物介质的原子层沉积方法将多种氧前驱体源依次通入原子层沉积系统的反应腔，利用原子层沉积系统生长氧化物介质，从而获得高质量的高介电常数的氧化物介质薄膜，所述氧化物介质可以是镧基、钇基、铪基和铍基的一种或多种组合。本发明所述的一种氧化物介质的原子层沉积方法，可应用于CMOS栅介质的生长过程中，可以有效减小栅介质的漏电流，同时提高栅介质的击穿电压，从而提高CMOS器件的性能。
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公开(公告)号：CN106711211A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201611254046.1
申请日：2016-12-29
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/10 , H01L29/207 , H01L29/36 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/7786 , H01L29/1029 , H01L29/207 , H01L29/365 , H01L29/66462
Abstract: 本发明公开一种InP基MOSHEMT结构及其制备方法，该结构自下而上依次包括：一单晶衬底(101)；在该单晶衬底上表面形成的变In组分InxAl1‑xAs缓冲层(102)；In0.52Al0.48As缓冲层(103)；在缓冲层中形成的平面掺杂层(104)；In0.7Ga0.3As沟道层(105)；In0.6Ga0.4As沟道层(106)；In0.5Ga0.5As沟道层(107)；InP势垒层(108)；在势垒层中形成的平面掺杂层(109)。本发明采用组分渐变缓冲层降低III‑V半导体之间晶格失配，减少位错引进的缺陷。同时该器件结构不仅降低MOS界面态密度，并且通过对外延材料采用高In组分In0.7Ga0.3As/In0.6Ga0.4As/In0.5Ga0.5As复合沟设计充分的提高了二维电子气的浓度与电子迁移率，降低了沟道的方块电阻。
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公开(公告)号：CN106711194A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201611243062.0
申请日：2016-12-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/10 , H01L29/20 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 一种环栅场效应晶体管及其制备方法，制备方法包括：在衬底上形成第一栅介质层、沟道层、第二界面控制层、源漏层和一半导体材料层；刻蚀去除半导体材料层，并在沟道区纵向方向刻蚀形成一凸字形结构，凸出部分刻蚀至第二界面控制层，两侧刻蚀至第一栅介质层；在沟道区凸出部分的两侧壁生长第三界面控制层，且在间隔源区和漏区一定距离的凸出部分的上表面自下而上形成第二栅介质层和第二栅金属层，并延伸至第三界面控制层的侧壁和凸出部分两侧平台的上表面；在源区和漏区的源漏层上表面靠外侧部分形成源漏金属层。本发明提出的晶体管可有效减少沟道散射，提高沟道载流子迁移率、栅控能力和电流驱动能力，有效抑制短沟道效应和DIBL效应。
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公开(公告)号：CN106298780A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610854667.7
申请日：2016-09-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L27/092 , H01L21/77
CPC classification number: H01L27/0922 , H01L21/77
Abstract: 本发明公开了一种InP衬底MOSCAP的结构及其制备方法。所述方法包括：S1、在InP衬底片上沉积的Al2O3栅介质(102)；S2、在Al2O3栅介质表面上进行N2等离子处理形成的AlON钝化层(104)；S4、在高K栅介质上形成的金属栅结构(105)。本发明通过Al2O3栅介质表面进行N2等离子处理形成AlON钝化层，在AlON钝化层上生长高K栅介质，从而有效的修复Al2O3栅介质中的缺陷，极大的改善栅介质的质量，降低栅极漏电同时减小EOT，提高器件可靠性，大幅提高III-V族半导体MOS的电学性能。(103)；S3、在AlON钝化层上沉积的高K栅介质
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