公开(公告)号：CN106756878A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611244141.3

申请日：2016-12-29

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 孙兵 ,  刘洪刚 ,  王盛凯 ,  常虎东 ,  苏玉玉

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  H01L21/02

CPC classification number: C23C16/45525 ,  C23C16/40 ,  C23C16/403 ,  C23C16/405 ,  H01L21/02172 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/0228

Abstract: 本发明公开了一种氧化物介质的原子层沉积方法，属于半导体集成技术领域。所述氧化物介质的原子层沉积方法将多种氧前驱体源依次通入原子层沉积系统的反应腔，利用原子层沉积系统生长氧化物介质，从而获得高质量的高介电常数的氧化物介质薄膜，所述氧化物介质可以是镧基、钇基、铪基和铍基的一种或多种组合。本发明所述的一种氧化物介质的原子层沉积方法，可应用于CMOS栅介质的生长过程中，可以有效减小栅介质的漏电流，同时提高栅介质的击穿电压，从而提高CMOS器件的性能。

公开(公告)号：CN106531622A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201611247710.X

申请日：2016-12-29

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 苏玉玉 ,  孙兵 ,  刘洪刚 ,  王盛凯

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/04

CPC classification number: H01L21/28158 ,  H01L21/04

Abstract: 本发明公开了一种砷化镓基MOSFET栅介质的制备方法，包括如下步骤：步骤1：清洗砷化镓衬底表面；步骤2：在清洗完成后的所述砷化镓衬底表面沉积阻挡层；步骤3：利用直接离化的氧等离子体或间接离化的氧等离子体处理步骤2获得的衬底表面，氧等离子扩散进入到所述阻挡层和砷化镓界面处，从而氧化砷化镓表面，在所述阻挡层与所述砷化镓衬底界面形成一薄层五氧化二砷和三氧化二镓的混合物层；步骤4：在氧等离子体氧化后的砷化镓衬底表面沉积高介电常数的栅氧化物层。本发明的制备方法能够在砷化镓表面形成热稳定高、界面态密度小、等效氧化层厚度薄的栅介质，从而提高砷化镓沟道MOSFET器件的电学特性。

公开(公告)号：CN106531683A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201611243728.2

申请日：2016-12-29

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 孙兵 ,  刘洪刚 ,  王盛凯 ,  常虎东 ,  苏玉玉

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/762 ,  H01L21/20

Abstract: 本发明提供一种绝缘体上半导体材料衬底结构及其制备方法，该绝缘体上半导体材料衬底结构包括单晶硅衬底、绝缘体层、缓冲层和高迁移率半导体层，所述绝缘体层置于所述单晶硅衬底之上，所述缓冲层置于所述单晶硅衬底之上并置于所述绝缘体层之间，所述高迁移率半导体层置于所述绝缘体层和所述缓冲层之上。该绝缘体上半导体材料衬底结构的制备方法采用金属有机化学气相沉积法或分子束外延的方法，在硅衬底上实现绝缘体上高迁移率半导体材料的外延生长，在后摩尔时代高迁移率CMOS集成技术中具有重要的应用价值。

公开(公告)号：CN106531683B

公开(公告)日：2019-05-31

申请号：CN201611243728.2

申请日：2016-12-29

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 孙兵 ,  刘洪刚 ,  王盛凯 ,  常虎东 ,  苏玉玉

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/20

Abstract: 本发明提供一种绝缘体上半导体材料衬底结构及其制备方法，该绝缘体上半导体材料衬底结构包括单晶硅衬底、绝缘体层、缓冲层和高迁移率半导体层，所述绝缘体层置于所述单晶硅衬底之上，所述缓冲层置于所述单晶硅衬底之上并置于所述绝缘体层之间，所述高迁移率半导体层置于所述绝缘体层和所述缓冲层之上。该绝缘体上半导体材料衬底结构的制备方法采用金属有机化学气相沉积法或分子束外延的方法，在硅衬底上实现绝缘体上高迁移率半导体材料的外延生长，在后摩尔时代高迁移率CMOS集成技术中具有重要的应用价值。

公开(公告)号：CN106756878B

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201611244141.3

申请日：2016-12-29

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 孙兵 ,  刘洪刚 ,  王盛凯 ,  常虎东 ,  苏玉玉

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种氧化物介质的原子层沉积方法，属于半导体集成技术领域。所述氧化物介质的原子层沉积方法将多种氧前驱体源依次通入原子层沉积系统的反应腔，利用原子层沉积系统生长氧化物介质，从而获得高质量的高介电常数的氧化物介质薄膜，所述氧化物介质可以是镧基、钇基、铪基和铍基的一种或多种组合。本发明所述的一种氧化物介质的原子层沉积方法，可应用于CMOS栅介质的生长过程中，可以有效减小栅介质的漏电流，同时提高栅介质的击穿电压，从而提高CMOS器件的性能。