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公开(公告)号：CN111082311A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201911422971.4
申请日：2019-12-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供一种单片光子集成器件整片制作结构，其中包括多列相邻设置的集成器件单元组，每列集成器件单元组包括多个集成器件单元，每个集成器件单元包括两个光器件和刻蚀凹槽，所述两个光器件通过脊型波导串联；每列集成器件单元组中的集成器件单元与相邻列交错设置，使得在横向，一列集成器件单元的脊型波导与相邻列集成器件单元的刻蚀凹槽相对，或一列集成器件单元的刻蚀凹槽与相邻列集成器件单元的脊型波导相对。所述整片制作结构摒弃了传统的巴条解理、装架镀膜和再解理测试的繁杂步骤，实现了光子集成器件的整片镀膜和测试筛选，大大降低了光子集成器件的制作和测试成本；减少了集成器件单元的底面和端面反射光对在线测试数据的干扰。
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公开(公告)号：CN106058639B
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201610443677.1
申请日：2016-06-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于全量子阱选择区域外延的半导体锁模激光器制作方法。所述方法包括：1.选区外延掩模设计；2.选取外延掩模图形制作；3.选区外延；4.激光器腔体结构制作；5.电隔离制作；6.电极制作；7.解理得到管芯激光器。本发明通过一次选区外延同时定义锁模激光器的增益区、饱和吸收区和有源无源腔比例，通过碰撞锁模的原理压缩脉冲宽度、提高锁模频率，通过无源外腔的技术降低脉冲重频的时域抖动，最终实现窄脉冲的稳定重频(按应用需求可高可低)输出。
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公开(公告)号：CN104332718B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410412325.0
申请日：2014-08-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种THz天线阵列的制作方法，包括如下步骤：1)选择一衬底；2)在衬底上依次生长缓冲层、无源波导层、光耦合层、折射率匹配层、光吸收层、包层和接触层材料；3)依次刻蚀接触层、包层、光吸收层及折射率匹配层材料至光耦合层，刻蚀的形状为四边形结构，其为光混频器波导；4)在光混频器波导上部的接触层之上制作电极，在其两侧的光耦合层上制作电极；5)刻蚀光耦合层，刻蚀深度至无源波导层形成楔形光耦合波导；6)刻蚀无源波导层至缓冲层，形成1×N分光器、输入波导及无源波导，形成基片；7)在基片上制作THz天线，完成制备。本发明可以得到高性能THz天线阵列器件。
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公开(公告)号：CN103762158B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201410031337.9
申请日：2014-01-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/02
Abstract: 一种利用激光微区等离子体诱导量子阱混和的方法，包括如下步骤：步骤A：在量子阱结构片上的量子阱层上沉积表面牺牲层；步骤B：激光通过具有送气功能的激光头，在表面牺牲层上聚焦，形成反应气的激光等离子体；步骤C：控制该激光等离子体轰击表面牺牲层，将部分表面牺牲层进行改性，形成改性区；步骤D：退火，通过热诱导作用将激光等离子体改性区的化学变性或结构缺陷传递到量子阱结构内，使量子阱层的阱／垒成分互混，实现量子阱结构的带隙波长蓝移。本发明可以很好地进行选区量子阱混和。
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公开(公告)号：CN103532014B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201310529374.8
申请日：2013-10-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种分布布拉格反馈可调谐激光器及其制作方法，方法包括如下步骤：在一衬底上依次生长下波导层、多量子阱有源区、上波导层；获得分布布拉格反馈区及相位区材料，其带隙波长小于激光器发光波长；在反馈区制作光栅；在整个管芯表面生长包层和电接触层材料；在反馈区、相位区及增益区的包层及电接触层上制作倒台浅脊波导结构，其波导侧壁为(111)A晶面；在电接触层上刻蚀电隔离沟，同时对隔离沟进行离子注入，在增益区和相区、相位区和反馈区之间实现电隔离。本发明在提高注入载流子浓度的同时保证反馈区具有较低的串联电阻，有利于增大器件波长调谐范围及提高波长调谐灵敏度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103414107A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201310370281.5
申请日：2013-08-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/343
Abstract: 本发明公开了一种利用量子阱混杂技术制作多波长光子集成发射芯片的方法，包括如下步骤：在衬底上依次外延缓冲层、多量子阱有源区、快速退火缓冲层和空位释放层;腐蚀去掉激光器、探测器和光放大器区的空位释放层后生长二氧化硅，一次退火获得电吸收调制器区材料；腐蚀去掉电吸收调制器区空位释放层后二次退火获得无源区材料；腐蚀去掉所有的空位释放层以及快速退火缓冲层；在激光器区表层制作光栅后生长盖层和电接触层，然后制作条形脊波导；分别在有源区脊波导结构上和减薄后的衬底上制作正面和背面电极，完成管芯制作。整个光子集成芯片制作只需两次外延步骤，即能完成不同带隙有源区与无源区材料之间的集成，成本低，产率高，适宜推广。
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公开(公告)号：CN103311807A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310230999.4
申请日：2013-06-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种多波长激光器阵列芯片的制作方法，包括：步骤1：在衬底上依次生长缓冲层、下分别限制层及多量子阱层；步骤2：将一部分多量子阱层腐蚀掉，该腐蚀掉的部分为无源光合波器区，剩余的部分为有源区；步骤3：在保留的多量子阱层上制作介质掩膜对；步骤4：在无源光合波器区和有源区的上表面上外延生长上分别限制层；步骤5：去掉暴露的介质掩膜对，在有源区的上分别限制层上制作光栅；步骤6：在上分别限制层上外延包层及接触层；步骤7：在有源区的接触层上刻蚀有源波导，在无源光合波器区的接触层上刻蚀无源光合波器波导，刻蚀深度大于包层和接触层的厚度；步骤8：在有源波导波导上制作P电极；步骤9：将衬底减薄，在减薄后的衬底的背面并制作N电极，完成制备。
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公开(公告)号：CN103094832A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201310019746.2
申请日：2013-01-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种单片集成钛薄膜热电阻可调谐DFB激光器的制作方法，包括：选择一磷化铟衬底1；在该衬底1上依次外延生长缓冲层2、多量子阱有源区3；在多量子阱有源区3的表层采用全息曝光刻蚀制作均匀光栅4；在均匀光栅4上生长包层5和电接触层6；采用常规光刻、刻蚀工艺，在电接触层6上制作出脊波导结构7；在制作的脊波导结构7上生长一层钝化层8；采用常规光刻开出正面电极窗口后，在钝化层8上溅射钛、金金属薄膜；在金属薄膜上涂覆光刻胶，一次光刻出正面电极图形9和薄膜电阻压焊电极图形10以及薄膜电阻区11；二次光刻、选择腐蚀形成钛薄膜热电阻条11；磷化铟衬底1减薄后在衬底1的背面制作背面电极12，完成管芯制作。
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公开(公告)号：CN102820616A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201210319231.X
申请日：2012-08-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01S5/3407 , H01S5/12 , H01S5/2077 , H01S5/4087
Abstract: 一种利用选择区域外延技术制作分布反馈激光器阵列的方法，包括如下步骤：步骤1：在衬底上外延生长下分别限制层及量子阱层；步骤2：在量子阱层上制作选择区域外延介质掩膜图形；步骤3：选择区域外延生长上分别限制层，使不同的激光器单元具有不同厚度的上分别限制层；步骤4：去掉介质掩膜图形；步骤5：在上分别限制层上大面积制作光栅；步骤6：在光栅7上生长接触层，完成激光器阵列的制备。本发明在获得不同阵列单元不同发光波长的同时对量子阱材料的发光性能不产生影响。
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公开(公告)号：CN102377109A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110356474.6
申请日：2011-11-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种抑制空间烧孔效应的分布反馈激光器的制作方法，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：在衬底上依次生长介质掩模，涂光刻胶，光刻，两条介质掩模形成介质掩膜图形，两条介质掩模之间为生长窗口；步骤3：在制作有介质掩膜图形的衬底1上外延制作多量子阱有源区；步骤4：在多量子阱有源区的表层制作均匀光栅；步骤5：腐蚀去掉介质掩膜，在均匀光栅上生长包层和电接触层；步骤6：在电接触层上涂光刻胶，光刻；步骤7：采用湿法腐蚀，在电接触层上制作出脊波导结构；步骤8：在脊波导结构的顶端制作正面电极；步骤9：将衬底减薄后在衬底的底部制作背面电极，完成制作。
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