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公开(公告)号：CN104880501A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201410072709.2
申请日：2014-02-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01N27/414
Abstract: 本发明公开了一种用于检测重金属离子的InP基HEMT多通道传感器，其采用分子束外延系统制备InP基HEMT，一定条件下将特异性生物分子固定于栅极表面通过将InP基HEMT高跨导低噪声的特性与检测技术和微流控技术相结合，研制了能够同时检测多种重金属离子的传感器。本发明的优点在于基于InP基HEMT的多通道传感器，灵敏度极高、响应速率极快且便于携带，对于生活、医疗以及环境监测具有很好的实际应用意义，可以预防重金属离子食物中毒、临床诊断重金属离子中毒等，从而减少因重金属离子中毒而引起的发病和死亡等。
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公开(公告)号：CN101759140B
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN200810240932.8
申请日：2008-12-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: B82B3/00
Abstract: 本发明涉及纳米电子技术中的半导体微纳加工技术领域，公开了一种制备硅纳米结构的方法，包括：制作进行电子束曝光所需的版图；对需要制作硅纳米结构的基片进行清洗、烘干；将基片热氧化生成二氧化硅掩蔽层；在基片上匀涂电子束曝光胶；按要求剂量用电子束曝光图形；显影和定影；电子束二次曝光；干法刻蚀二氧化硅；干法刻蚀硅，形成硅纳米结构。利用本发明，采用电子束曝光和干法刻蚀技术能够制作出100nm以下形状规则、边缘光滑、排列紧密、最精细处可达30nm的硅纳米结构。
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公开(公告)号：CN102832225A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210339269.3
申请日：2012-09-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种空气桥电极互联阵列式LED器件的制作方法，包括：选择性刻蚀外延结构上的N型氮化镓层，形成N型台阶，制作掩膜，形成隔离的深槽；沉积绝缘介质层，腐蚀掉深槽侧壁以外的绝缘介质层；在外延结构表面制作一层薄膜材料；制作掩膜，去掉除深槽以外的薄膜材料，使深槽中填满薄膜材料；在外延结构的上表面，通过旋涂光刻胶，制作掩膜；将电极图形转移到外延结构和薄膜材料上；制作金属层；采用lift-off工艺，形成金属电极；将深槽内的薄膜材料去掉形成悬空的桥型电极互联结构。其可解决侧壁的金属电极很薄导致的电压增高问题，可有效的增加出光面积，而且避免因钝化失效造成的短路现象，增加可靠性。
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公开(公告)号：CN102324436B
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201110283050.1
申请日：2011-09-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 一种大失配硅基衬底锑化物高电子迁移率晶体管，包括：一衬底；一复合缓冲层，生长在衬底上；一插入层，生长在复合缓冲层上；一AlSb隔离层，生长在插入层上；一子沟道层，生长在AlSb隔离层上；一锑化物下势垒层，生长在子沟道层上；一InAs沟道层，生长在锑化物下势垒层上；一锑化物隔离层，生长在InAs沟道层上；一掺杂层，生长在锑化物隔离层上，该掺杂层是Si平面掺杂的InAs，或者是Te的δ掺杂；一上势垒层，生长在掺杂层上，该上势垒层是由AlSb层和InAlAs层组成的复合势垒层；一InAs帽层，生长在上势垒层上，该InAs帽层是非有意掺杂的InAs，或者是n型掺杂的InAs。
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公开(公告)号：CN101723312A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200810224109.8
申请日：2008-10-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: B82B3/00
Abstract: 一种依赖晶面的三维限制硅纳米结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(a)以绝缘体上硅作为衬底；(b)在衬底上沿 晶向方向进行划片，作为曝光时的参考方向；(c)将衬底进行热氧化，生成二氧化硅掩膜层；(d)采用电子束曝光，生成平面图形；(e)采用各向同性腐蚀液对二氧化硅掩膜层进行腐蚀；(f)再采用各向异性湿法腐蚀，在二氧化硅掩膜层下的硅层上获得依赖晶面的三维限制硅纳米结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118866657A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411002914.1
申请日：2024-07-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种硅基III‑V族外延材料的制备方法，包括：对硅衬底的表面进行清洗和预处理，以清除表面杂质并平整硅衬底的表面；将预处理后的硅衬底置于特定环境下进行升温和退火；在退火后的硅衬底表面预沉积超薄插入层，在超薄插入层表面外延生长III‑V族体材料外延层，得到硅基III‑V族外延材料，对硅基III‑V族外延材料进行循环退火，实现超薄插入层对硅基III‑V族外延材料位错的二次过滤；在循环退火后的硅基III‑V族外延材料表面生长平整层，其中，通过清洗、预处理、升温和退火、预沉积超薄插入层、循环退火以及生长平整层共同作用来抑制外延过程中的反向畴和穿透位错。
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公开(公告)号：CN112229815A
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN202011099724.8
申请日：2020-10-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01N21/3586 , G01N21/59
Abstract: 一种蝶形超材料光学传感器，包括：衬底(1)；超材料阵列层(2)，所述超材料阵列层(2)生长于衬底(1)的表面；所述超材料阵列层(2)的构成成分全是金属，或金属与二维材料的组合；所述超材料阵列层(2)的结构是阵列排布的多个周期性单元，所述多个周期性单元中的每一个周期性单元由两个尖端元素结构相对构成，呈蝶形对称结构。本发明提供了一种高灵敏度、窄线宽的场增强型超材料光学传感器，通过对该蝶形超材料的结构参数进行设计，可以灵活的调节该传感器的灵敏度和光谱响应波段。
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公开(公告)号：CN104880501B
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201410072709.2
申请日：2014-02-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01N27/414
Abstract: 本发明公开了一种用于检测重金属离子的InP基HEMT多通道传感器，其采用分子束外延系统制备InP基HEMT，一定条件下将特异性生物分子固定于栅极表面通过将InP基HEMT高跨导低噪声的特性与检测技术和微流控技术相结合，研制了能够同时检测多种重金属离子的传感器。本发明的优点在于基于InP基HEMT的多通道传感器，灵敏度极高、响应速率极快且便于携带，对于生活、医疗以及环境监测具有很好的实际应用意义，可以预防重金属离子食物中毒、临床诊断重金属离子中毒等，从而减少因重金属离子中毒而引起的发病和死亡等。
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公开(公告)号：CN104880493B
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201410072466.2
申请日：2014-02-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01N27/26 , G01N27/327
Abstract: 本发明公开了一种用于检测汞离子(Hg2+)的GaAs基PHEMT生物传感器，其以GaAs基PHEMT为基底，利用GaAs基PHEMT器件源漏电流随着栅极电荷的改变会发生规律性变化的特性，在特定条件下，通过在栅极固定生物敏感元件，当吸附重金属离子Hg2+时，会引起栅极表面电荷分布的变化，从而导致沟道载流子浓度变化。测试源漏电流的变化量来标定溶液中Hg2+的浓度，从而达到定量检测重金属Hg2+的目的。本发明的优点在于器件灵敏度高，响应速度快，可实现随身携带和实时检测，对于食品安全、临床诊断上具有十分重要的意义，可以从根本上预防汞中毒并在汞中毒时快速诊断，减少由于诊断不及时造成的伤害。
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公开(公告)号：CN105140333A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510573693.8
申请日：2015-09-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/105 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/105 , H01L31/035272 , H01L31/184
Abstract: 一种制作InSb红外探测器的材料结构及制备方法，其中所述制作InSb红外探测器的材料结构，其包括：一衬底；一复合缓冲层，其生长在衬底上；一n型InSb重掺杂层，其生长在缓冲层上；一InSb本征吸收层，其生长在n型InSb重掺杂层上；一p型InSb轻掺杂层，其生长在InSb本征吸收层上；一p型AlInSb势垒层，其生长在p型InSb轻掺杂层上；一p型InSb重掺杂层，其生长在p型AlInSb势垒层上。本发明是通过加入势垒层来阻挡电子的移动，降低了InSb红外探测器的在反偏电压下的暗电流和工作时的噪声电流，提高了InSb红外探测器的探测率和最高工作温度，为室温下工作的InSb红外探测器提供了基础。
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