公开(公告)号：CN117424069A

公开(公告)日：2024-01-19

申请号：CN202311499426.1

申请日：2023-11-10

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 李健 ,  韦欣 ,  张杨 ,  吴刚 ,  李川川

IPC: H01S5/183 ,  H01S5/10

Abstract: 本发明提供了一种基于表面光栅的垂直外腔面发射半导体激光器及制备方法，该激光器包括：泵浦光源、增益芯片和输出耦合镜泵浦光源用于发射泵浦光；增益芯片设于泵浦光的光路上，包括表面光栅反射镜，用于在泵浦光的激发下产生激光，并通过表面光栅反射镜将激光垂直或以特定角度反射出增益芯片表面；输出耦合镜，设于激光的出射光路上，用于与表面光栅反射镜共同构成谐振腔，使激光在谐振腔内发生振荡进行增益放大，并将激光透射输出。该激光器大大降低了增益芯片上反射镜的厚度，提高了反射镜的反射带宽，降低了反射镜的热阻，有利于提高激光器的激光输出和能量利用效率。该激光器的制备复杂性、制备时间和制备成本相比传统激光器大大降低。

公开(公告)号：CN118588777A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202410769008.8

申请日：2024-06-14

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 李健 ,  苏艳梅 ,  韦欣 ,  张杨 ,  吴刚 ,  李川川

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/105 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供一种光电探测器及其制备方法，该光电探测器包括：衬底；在所述衬底上依次叠置缓冲层、N型接触层、N型层、I型层、P型层以及P型接触层；P型接触电极，设置在台面上的中心处，并通过第一电极隔离层的窗口与所述P型接触层接触，其中所述台面为通过光刻刻蚀并露出至所述N型接触层的台面；N型接触电极，设置在所述台面下，并通过第一电极隔离层的窗口与所述N型接触层接触。该光电探测器不仅有利于电流注入均匀性提高，而且降低了探测器边缘电流密度与暗电流，提高了探测器光电性能。

公开(公告)号：CN118866657A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202411002914.1

申请日：2024-07-25

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 李健 ,  韦欣 ,  张杨 ,  吴刚 ,  李川川

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20

Abstract: 本发明提供了一种硅基III‑V族外延材料的制备方法，包括：对硅衬底的表面进行清洗和预处理，以清除表面杂质并平整硅衬底的表面；将预处理后的硅衬底置于特定环境下进行升温和退火；在退火后的硅衬底表面预沉积超薄插入层，在超薄插入层表面外延生长III‑V族体材料外延层，得到硅基III‑V族外延材料，对硅基III‑V族外延材料进行循环退火，实现超薄插入层对硅基III‑V族外延材料位错的二次过滤；在循环退火后的硅基III‑V族外延材料表面生长平整层，其中，通过清洗、预处理、升温和退火、预沉积超薄插入层、循环退火以及生长平整层共同作用来抑制外延过程中的反向畴和穿透位错。