公开(公告)号：CN102324436A

公开(公告)日：2012-01-18

申请号：CN201110283050.1

申请日：2011-09-22

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 张雨溦 ,  张杨 ,  曾一平

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 一种大失配硅基衬底锑化物高电子迁移率晶体管，包括：一衬底；一复合缓冲层，生长在衬底上；一插入层，生长在复合缓冲层上；一AlSb隔离层，生长在插入层上；一子沟道层，生长在AlSb隔离层上；一锑化物下势垒层，生长在子沟道层上；一InAs沟道层，生长在锑化物下势垒层上；一锑化物隔离层，生长在InAs沟道层上；一掺杂层，生长在锑化物隔离层上，该掺杂层是Si平面掺杂的InAs，或者是Te的δ掺杂；一上势垒层，生长在掺杂层上，该上势垒层是由AlSb层和InAlAs层组成的复合势垒层；一InAs帽层，生长在上势垒层上，该InAs帽层是非有意掺杂的InAs，或者是n型掺杂的InAs。

公开(公告)号：CN102324436B

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN201110283050.1

申请日：2011-09-22

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 张雨溦 ,  张杨 ,  曾一平

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 一种大失配硅基衬底锑化物高电子迁移率晶体管，包括：一衬底；一复合缓冲层，生长在衬底上；一插入层，生长在复合缓冲层上；一AlSb隔离层，生长在插入层上；一子沟道层，生长在AlSb隔离层上；一锑化物下势垒层，生长在子沟道层上；一InAs沟道层，生长在锑化物下势垒层上；一锑化物隔离层，生长在InAs沟道层上；一掺杂层，生长在锑化物隔离层上，该掺杂层是Si平面掺杂的InAs，或者是Te的δ掺杂；一上势垒层，生长在掺杂层上，该上势垒层是由AlSb层和InAlAs层组成的复合势垒层；一InAs帽层，生长在上势垒层上，该InAs帽层是非有意掺杂的InAs，或者是n型掺杂的InAs。