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公开(公告)号：CN112229815B
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202011099724.8
申请日：2020-10-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01N21/3586 , G01N21/59
Abstract: 一种蝶形超材料光学传感器，包括：衬底(1)；超材料阵列层(2)，所述超材料阵列层(2)生长于衬底(1)的表面；所述超材料阵列层(2)的构成成分全是金属，或金属与二维材料的组合；所述超材料阵列层(2)的结构是阵列排布的多个周期性单元，所述多个周期性单元中的每一个周期性单元由两个尖端元素结构相对构成，呈蝶形对称结构。本发明提供了一种高灵敏度、窄线宽的场增强型超材料光学传感器，通过对该蝶形超材料的结构参数进行设计，可以灵活的调节该传感器的灵敏度和光谱响应波段。
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公开(公告)号：CN107121544A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201710411537.0
申请日：2017-06-02
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01N33/561
CPC classification number: G01N33/561
Abstract: 一种诊断急性心梗的生物传感器及其制造方法，该生物传感器包括高电子迁移率晶体管、器件隔离层和可特异性识别急性心梗标志物心肌肌钙蛋白的生物分子层，其中所述高电子迁移率晶体管的栅极上固定有所述生物分子层。本发明将超灵敏的高电子迁移晶体管与免疫分析技术相结合，在血清中快速检测超微量的急性心梗生物标志物，检测下限达到1飞克每毫升，比临床常用的化学发光免疫测定法高出1000倍；响应时间小于10秒，比临床常用光学检测方法快100倍以上。本发明可以实现干法和湿法同步测试，在器件检测的灵敏度、响应速度以及便携性上具有非常明显的优势，可以实现实时检测且操作简单。
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公开(公告)号：CN104880558A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201410073112.X
申请日：2014-02-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01N33/574 , G01N33/532
CPC classification number: G01N33/574 , G01N33/532
Abstract: 本发明公开了一种InP基HEMT肿瘤标志物传感器及其和制作方法，其包括InP基HEMT换能器、生物分子载体和生物敏感膜，换能器包括源极、漏极和栅极，生物分子载体形成于所述换能器的栅极，生物敏感膜附着于所述生物分子载体，该生物敏感膜能特异性识别肿瘤标志物，受到肿瘤标志物本身电荷的影响，使得所述栅极表面电荷分布发生变化，进而影响所述换能器沟道中二维电子气浓度，使得换能器的源漏电流发生变化。本发明可以将肿瘤标志物的检测极限提升到一个新的高度，为恶性肿瘤的预防医治提供先机。
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公开(公告)号：CN104880557A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201410072619.3
申请日：2014-02-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01N33/574 , G01N27/414
CPC classification number: G01N27/4145 , G01N27/4146 , G01N33/574
Abstract: 本发明公开了一种用于检测肿瘤标志物的GaAs基HEMT生物传感器及其制作方法。该传感器包括GaAs基HEMT(10)，源、漏极电极(20)分别与所述GaAs基HEMT(10)的源极区域和漏极区域欧姆接触，栅极电极(40)形成于所述GaAs基HEMT(10)的栅极区域，生物敏感膜(50)形成于所述栅极电极(40)上，其能特异性识别肿瘤标志物，受到肿瘤标志物本身电荷的影响，使得所述栅极电极(40)表面电荷分布发生变化，进而影响所述GaAs基HEMT(10)沟道中二维电子气浓度，使得源漏电流发生变化。本发明在器件检测的灵敏度、响应速度以及便携性上具有非常明显的优势，可以实现实时检测且操作简单。
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公开(公告)号：CN102024906A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN201010504161.6
申请日：2010-09-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明涉及有机光电器件技术领域，公开了一种基于氧化物掺杂有机材料的有机太阳能电池结构，该结构由下至上依次包括：透明衬底；沉积在该衬底上的阳极；沉积在该阳极上的缓冲层；沉积在该缓冲层上的有机电子给体层；沉积在该有机电子给体层上的有机电子受体层；以及沉积在该有机电子受体层上的阴极。其中，阳极采用ITO或FTO，缓冲层采用氧化物掺杂有机材料，氧化物为MoO3、ReO3等低温材料，有机电子给体层采用CuPc或ZnPc，有机电子受体层采用C60或PTCDA或PTCBI，阴极采用铝或者镁银合金。除了阳极和阴极外各层可采用真空蒸镀，喷涂，打印等各种沉积有机薄膜的方法制备。本发明可改善有机太阳能电池的稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101997021A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN200910091404.5
申请日：2009-08-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种叠层有机电致发光器件，该器件包括：一透明阳极；一金属阴极；位于该透明阳极和该金属阴极中间的至少两个电致发光单元，每个电致发光单元至少包括一有机空穴传输层、一有机发光层和一有机电子传输层；位于两个电致发光单元中间的电荷产生单元，用于连接两个电致发光单元，包括金属掺杂的有机层和过渡金属氧化物掺杂的有机层，该过渡金属氧化物掺杂的有机层比该金属掺杂的有机层更靠近该电致发光单元中的有机空穴传输层。本发明提供的这种叠层有机电致发光器件，分别用金属和过渡金属氧化物掺杂同一种有机电子传输材料的结构作为叠层有机电致发光器件的电荷产生单元，可应用于有机平板全色显示和固体照明领域。
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公开(公告)号：CN101447554A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200710178313.6
申请日：2007-11-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明是一种采用活泼金属掺杂有机空穴注入材料作为电子注入层的有机发光二极管。本发明所涉及的有机发光二极管结构为一个透明阳极、一个有机空穴注入层、一个有机空穴传输层、一个有机发光层、一个有机电子注入层以及一个阴极106组成。本发明所涉及的有机发光二极管可以用于实现可见光发射，近红外发射。具有低驱动电压、高效率的优势。
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公开(公告)号：CN115603177A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202211160594.3
申请日：2022-09-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所(CN)
Abstract: 本发明涉及硅基光电子学技术领域，提供一种使用单向光注入调制的激光器阵列，包括：阵列排布的多个激光器单元，每个激光器单元包括：波导光栅耦合器、主激光器和从激光器；波导光栅耦合器包括：光栅单元、波导单元和氧化单元；其中，光栅单元包括第一光栅和第二光栅，波导单元的两侧下方分别与第一光栅和第二光栅相连，氧化单元位于波导单元的上表面；主激光器位于第一光栅的下方，从激光器位于第二光栅的斜下方，且从激光器的出光区域在水平方向上的投影与第二光栅在水平方向上的投影不重叠。本发明可以采用简单的工艺和结构实现波导光的单向注入。
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公开(公告)号：CN110632291B
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN201910922500.3
申请日：2019-09-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01N33/531 , G01N21/3581 , G01N33/536 , G01N33/574
Abstract: 一种太赫兹超材料生物传感器及其制备方法和检测方法，该生物传感器包括：衬底；设置在所述衬底上用于响应太赫兹波的超材料结构，其上设有若干检测区；以及识别单元，修饰在所述检测区上，用于识别不同标志物。本发明提供的太赫兹超材料生物传感器，采用的超材料是一种非对称的高Q值结构，对周围环境介质的变化响应灵敏度非常高，癌症标志物与超材料结构表面结合，导致其太赫兹透射光谱的红移，且癌症标志物浓度与峰位移动呈函数相关性。通过该标志物的检测浓度与太赫兹透射光谱对比曲线，可以实现对病人血清中的标志物浓度的检测。
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公开(公告)号：CN104880493A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201410072466.2
申请日：2014-02-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01N27/26 , G01N27/327
Abstract: 本发明公开了一种用于检测汞离子(Hg2+)的GaAs基PHEMT生物传感器，其以GaAs基PHEMT为基底，利用GaAs基PHEMT器件源漏电流随着栅极电荷的改变会发生规律性变化的特性，在特定条件下，通过在栅极固定生物敏感元件，当吸附重金属离子Hg2+时，会引起栅极表面电荷分布的变化，从而导致沟道载流子浓度变化。测试源漏电流的变化量来标定溶液中Hg2+的浓度，从而达到定量检测重金属Hg2+的目的。本发明的优点在于器件灵敏度高，响应速度快，可实现随身携带和实时检测，对于食品安全、临床诊断上具有十分重要的意义，可以从根本上预防汞中毒并在汞中毒时快速诊断，减少由于诊断不及时造成的伤害。
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