公开(公告)号：CN105140333A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201510573693.8

申请日：2015-09-10

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 赵晓蒙 ,  张杨 ,  曾一平

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/105 ,  H01L31/035272 ,  H01L31/184

Abstract: 一种制作InSb红外探测器的材料结构及制备方法，其中所述制作InSb红外探测器的材料结构，其包括：一衬底；一复合缓冲层，其生长在衬底上；一n型InSb重掺杂层，其生长在缓冲层上；一InSb本征吸收层，其生长在n型InSb重掺杂层上；一p型InSb轻掺杂层，其生长在InSb本征吸收层上；一p型AlInSb势垒层，其生长在p型InSb轻掺杂层上；一p型InSb重掺杂层，其生长在p型AlInSb势垒层上。本发明是通过加入势垒层来阻挡电子的移动，降低了InSb红外探测器的在反偏电压下的暗电流和工作时的噪声电流，提高了InSb红外探测器的探测率和最高工作温度，为室温下工作的InSb红外探测器提供了基础。