一种基于Au掺杂In2O3纳米球的黄药气体气敏元件及其制备方法

    公开(公告)号:CN110412088B

    公开(公告)日:2020-12-25

    申请号:CN201910728452.4

    申请日:2019-08-08

    Applicant: 东北大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于Au掺杂In2O3纳米球的黄药气体气敏元件及其制备方法,属于金属氧化物半导体材料的气体传感器领域。本发明以硝酸铟为铟源,氯金酸为金源,采用水热法制备具有六方相晶体结构、直径为75~125nm的Au掺杂In2O3纳米球。将制备的Au掺杂In2O3纳米球分散在乙醇溶液中,制备成气敏料浆,然后将其均匀地涂覆在电极元件表面,制备成气敏元件。本发明所述的Au掺杂In2O3纳米球合成方法简单、成本低、无污染、结构稳定。本发明所述的气敏元件灵敏度高、具有良好的响应和恢复特性,并且具有良好的响应可逆性,重复性和稳定性,能够填补目前市场上该类气体定量检测的空白,对于保障选矿厂浮选车间工作人员的生命健康安全具有重要意义。

    一种基于闪锌矿制备ZnS-ZnO异质结纳米颗粒的NO2气敏元件

    公开(公告)号:CN109781796B

    公开(公告)日:2020-09-15

    申请号:CN201910169014.9

    申请日:2019-03-06

    Applicant: 东北大学

    Abstract: 一种基于闪锌矿制备ZnS‑ZnO异质结纳米颗粒的NO2气敏元件属于半导体金属氧化物气敏元件技术领域。一种ZnS‑ZnO异质结纳米颗粒的制备方法,将粒度为1~2μm的闪锌矿500~800℃焙烧2~8h得固体粉末;将固体粉末与Na2S·9H2O和NaOH按质量比2:3~12:1混合成悬浊液,NaOH的浓度为0.1~0.2mol/L,30~70℃搅拌10min后静置2~10h得沉淀产物,洗涤、干燥、300~500℃热处理4h。本发明成本低、流程简单、反应易于控制、可批量生产。通过该方法制备的气敏元件在工作温度250℃时对NO2气体灵敏度最大,响应和恢复时间短,可逆性好,具有良好发展前景。

    一种螺旋溜槽中流膜厚度及流态分布测试系统与方法

    公开(公告)号:CN110441548A

    公开(公告)日:2019-11-12

    申请号:CN201910754108.2

    申请日:2019-08-15

    Applicant: 东北大学

    Abstract: 本发明提供一种螺旋溜槽中流膜厚度及流态分布测试系统与方法,本发明系统,包括:用于为流体流动提供重力和离心力复合力场的螺旋溜槽分选装置、用于实现螺旋溜槽中流体的平稳输送与闭路循环、减少流量波动、提高测试精度的流体输送与循环装置和用于测量螺旋溜槽中流体质点的流速、流膜厚度、流态分布的流速测试装置;本发明方法,根据多普勒信号和流速的变化规律判断槽底及气液界面的位置,两者垂向高差即为流膜厚度;根据流膜厚度确定测速区间路径,并通过调节激光的入射角度,获取流体质点的三维速度,进而计算雷诺数并确定流态分布。本发明解决了传统流态测量中因流场易被干扰,空间分辨率低导致的测量精度低,误差大等问题。

    一种基于钙钛矿结构ZnSnO3纳米球的异丙醇气敏元件及其制备方法

    公开(公告)号:CN110412086A

    公开(公告)日:2019-11-05

    申请号:CN201910712687.4

    申请日:2019-08-02

    Applicant: 东北大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于钙钛矿结构ZnSnO3纳米球的异丙醇气敏元件及其制备方法,属于半导体金属氧化物气敏元件技术领域。所述气敏元件主要由电极元件和均匀涂覆在电极元件上的ZnSnO3纳米球组成,所述ZnSnO3纳米球直径为500±50nm,所述ZnSnO3纳米球为钙钛矿结构,所述气敏元件的异丙醇浓度检测范围为500ppb~500ppm。本发明操作流程简单、反应条件温和、易于控制、可批量生产。基于钙钛矿结构ZnSnO3纳米球的ppb级异丙醇气敏元件具有ppb级检测、响应恢复迅速、可逆性好、高选择性,在200℃工作温度条件下时获得对异丙醇气体的最大灵敏度,是具有良好发展前景的异丙醇气敏元件。

    一种Pt为催化剂制备SnO2纳米材料的方法和应用

    公开(公告)号:CN109911929A

    公开(公告)日:2019-06-21

    申请号:CN201910253135.1

    申请日:2019-03-29

    Applicant: 东北大学

    Abstract: 一种Pt为催化剂制备SnO2纳米材料的方法和应用,属于金属氧化物半导体材料的气体传感器领域。一种Pt为催化剂制备的SnO2纳米材料,所述SnO2纳米材料呈梳状结构,围绕主干表面密集生长有纳米线;所述纳米材料是由金红石四方相晶体结构的SnO2构成;主干直径为100~500nm,长度为100~500μm,纳米线的直径为80~200nm,长度为400nm~2μm。本发明H2S气体传感器在较低工作温度下获得对H2S气体最大的灵敏度,具有快速的响应和恢复速度,检测下限为500ppb,对H2S有优异的选择性。该发明克服了现有H2S气体传感器工作温度过高、响应恢复速度慢、选择性差等不足,有良好的应用前景。

    一种基于闪锌矿制备ZnS-ZnO异质结纳米颗粒的NO2气敏元件

    公开(公告)号:CN109781796A

    公开(公告)日:2019-05-21

    申请号:CN201910169014.9

    申请日:2019-03-06

    Applicant: 东北大学

    Abstract: 一种基于闪锌矿制备ZnS-ZnO异质结纳米颗粒的NO2气敏元件属于半导体金属氧化物气敏元件技术领域。一种ZnS-ZnO异质结纳米颗粒的制备方法,将粒度为1~2μm的闪锌矿500~800℃焙烧2~8h得固体粉末;将固体粉末与Na2S·9H2O和NaOH按质量比2:3~12:1混合成悬浊液,NaOH的浓度为0.1~0.2mol/L,30~70℃搅拌10min后静置2~10h得沉淀产物,洗涤、干燥、300~500℃热处理4h。本发明成本低、流程简单、反应易于控制、可批量生产。通过该方法制备的气敏元件在工作温度250℃时对NO2气体灵敏度最大,响应和恢复时间短,可逆性好,具有良好发展前景。

    一种基于p-n异质结结构NiO-In2O3复合纳米球的气体传感器

    公开(公告)号:CN109632893A

    公开(公告)日:2019-04-16

    申请号:CN201910026841.2

    申请日:2019-01-11

    Applicant: 东北大学

    CPC classification number: G01N27/127

    Abstract: 本发明一种基于p‑n异质结结构NiO‑In2O3复合纳米球的气体传感器及其制备方法,属于半导体金属氧化物的气体传感器领域。一种p‑n异质结结构NiO‑In2O3复合纳米球的制备方法,所述方法为将四水合三氯化铟、六水合硝酸镍、一水合柠檬酸和尿素按照摩尔比为1:0.1~0.2:2.5:15溶于乙二醇溶液中,磁力搅拌60min得混合溶液,所述混合溶液中四水合三氯化铟的浓度为1/30mol/L;将混合溶液置于160℃干燥箱中反应16h,洗涤干燥热处理得所述复合纳米球。本发明所述方法简单、成本低,制得的NO2传感器灵敏度高、选择性高、响应恢复性好。

    一种WO3纳米颗粒和其制备方法及其在传感器中的应用

    公开(公告)号:CN108946815A

    公开(公告)日:2018-12-07

    申请号:CN201810964780.X

    申请日:2018-08-23

    Applicant: 东北大学

    Abstract: 本发明属于半导体氧化物的气体传感器技术领域,具体涉及一种WO3纳米颗粒和其制备方法及其在传感器中的应用。将聚乙烯亚胺溶液和Na2WO4·2H2O溶液混合,再用HCl溶液调成pH值为0.8~1.4的混合溶液,经140~180℃恒温条件下反应4~36h后,洗涤、干燥,热处理4~8h,即得具有单斜晶体结构,直径为10~50nm的WO3纳米颗粒,涂敷于Al2O3陶瓷管和金电极表面,然后经老化处理制备成气体传感器。基于本发明方法制备NO2气体传感器,可以实现对亚ppm至ppb级NO2气体的高灵敏度、高选择性、低工作温度的快速响应。

    一种基于分级多孔WO3微米球的气体传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN105301062B

    公开(公告)日:2017-12-01

    申请号:CN201510714772.6

    申请日:2015-10-29

    Applicant: 东北大学

    Abstract: 本发明属于半导体氧化物的气体传感器技术领域,具体涉及一种基于分级多孔WO3微米球的气体传感器及其制备方法。本发明的基于分级多孔WO3微米球的气体传感器中气敏涂层的成分为分级多孔WO3微米球,分级多孔WO3微米球具有单一的六方相晶体结构,球体大小均匀且个体分散性好,直径在3~5µm之间,每个分级多孔WO3微米球由直径为纳米级的WO3纳米棒组装而成,具有大比表面积和孔隙率。其制备方法是在混合辅助剂条件下进行水热合成,得到分级多孔WO3微米球进行组装得到成品。本发明的基于分级多孔WO3微米球的气体传感器具有低工作温度、高灵敏度、低能耗、高选择性等优点。

    一种基于电极表面原位生长纳米ZnO的NO<base:Sub>2</base:Sub>传感器

    公开(公告)号:CN106970117A

    公开(公告)日:2017-07-21

    申请号:CN201710188649.4

    申请日:2017-03-27

    Applicant: 东北大学

    Abstract: 本发明涉及一种基于电极表面原位生长纳米ZnO的NO2传感器,属于一维半导体金属氧化物材料的气体传感器技术领域。一种基于电极表面原位生长纳米ZnO的NO2传感器,其特征在于:所述传感器是通过在电极元件上原位生长ZnO纳米线阵列所得,其中,所述ZnO纳米线直径为80~100nm,长度为600nm~1μm,ZnO纳米线的晶体结构为六方相纤锌矿晶体结构。本发明所述气体传感器在工作温度250℃时获得对NO2气体的最大灵敏度,响应和恢复时间短,可逆性和选择性好,是具有良好发展前景的NO2传感器。

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