公开(公告)号：CN102891075A

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN201210251656.1

申请日：2012-07-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 柿本明修 ,  高木聪 ,  五十岚一将

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/02664 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明提供一种非晶硅膜的成膜方法及成膜装置。该非晶硅膜的成膜方法包括以下工序：加热基底，向加热了的基底供给氨基硅烷类气体，在基底表面上形成晶种层；加热基底，向加热了的基底表面的晶种层供给不含氨基的硅烷类气体，在晶种层上将非晶硅膜形成为层成长的厚度；对形成为层成长的厚度的非晶硅膜进行蚀刻，减小该非晶硅膜的膜厚。

公开(公告)号：CN102856183A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201210218962.5

申请日：2012-06-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 柿本明修 ,  高木聪 ,  长谷部一秀

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/283 ,  H01L21/02

CPC classification number: C23C16/24 ,  C23C16/045 ,  C23C16/45523 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/32055 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877

Abstract: 本发明涉及硅膜的形成方法及其形成装置。硅膜的形成方法具备第1成膜工序、蚀刻工序、掺杂工序以及第2成膜工序。第1成膜工序中，以填埋被处理体的槽的方式形成不掺杂杂质的非掺杂硅膜。蚀刻工序中，对在第1成膜工序中被形成的非掺杂硅膜进行蚀刻。掺杂工序中，对在蚀刻工序中被蚀刻的非掺杂硅膜掺杂杂质。第2成膜工序中，以填埋在掺杂工序中被掺杂的硅膜的方式形成掺杂有杂质的硅膜。

公开(公告)号：CN102691048A

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN201210073108.4

申请日：2012-03-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 柿本明修 ,  高木聪 ,  池内俊之 ,  小森克彦 ,  长谷部一秀

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/52 ,  C23C16/40 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/02164 ,  C23C16/045 ,  C23C16/45546 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32779 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67109

Abstract: 本发明提供一种成膜方法及成膜装置，该成膜方法包括：将多个基板呈多层状搭载于反应管的步骤，上述多个基板形成有包括凹部在内的图案；成膜步骤，通过向上述反应管供给含硅气体及含氧气体，在上述多个基板上形成氧化硅膜；蚀刻步骤，通过向上述反应管供给含氟气体及氨气，对在上述成膜步骤中形成的上述氧化硅膜进行蚀刻，该成膜方法交替地重复上述成膜步骤和上述蚀刻步骤。

公开(公告)号：CN102254807A

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN201110132231.4

申请日：2011-05-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 柿本明修 ,  高木聪 ,  有贺纯史 ,  木村法史 ,  长谷部一秀

IPC: H01L21/285

CPC classification number: H01L21/76876 ,  C23C16/045 ,  C23C16/24 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76877

Abstract: 本发明提供一种硅膜的形成方法及其形成装置。硅膜的形成方法具有第1成膜工序、蚀刻工序、第2成膜工序。在第1成膜工序中，以填埋被处理体的槽的方式形成硅膜。在蚀刻工序中，对在第1成膜工序中形成的硅膜进行蚀刻而扩大上述槽的开口部。在第2成膜工序中，以向在蚀刻工序中扩大了开口部的槽内填埋硅膜的方式进行成膜。由此，在表面形成有槽的被处理体的槽内形成硅膜。

公开(公告)号：CN101542695A

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200880000105.X

申请日：2008-02-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 柿本明修 ,  河野有美子

IPC: H01L21/316 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52

CPC classification number: C23C16/45553 ,  C23C16/40 ,  C23C16/404 ,  C23C16/405 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31691

Abstract: 当将基板配置在处理容器内，对基板进行加热，将Sr原料、Ti原料和氧化剂以气体状态导入上述处理容器内，使这些气体在被加热的基板上反应，在基板上形成SrTiO3膜时，使用Sr的胺化合物或Sr的亚胺化合物作为Sr原料。

公开(公告)号：CN100514576C

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：CN200680007627.3

申请日：2006-02-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高木俊夫 ,  金子裕是 ,  岩田辉夫 ,  竹山环 ,  柿本明修

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/31 ,  C23C16/455

CPC classification number: H01J37/32935 ,  C23C16/405 ,  C23C16/407 ,  C23C16/45544 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32568

Abstract: 本发明涉及一种基板处理方法，其是基板处理装置的基板处理方法，具特征在于，该基板处理装置具有：处理容器，其内部具有支承被处理基板并该被处理基板上供给第一处理气体或第二处理气体的第一空间和在该第一空间的周围形成的、与该第一空间连通的第二空间；排出所述第一空间的气体的第一排气单元；和排出所述第二空间的气体的第二排气单元。该基板处理方法具有：将所述第一处理气体供给所述第一空间的第一工序；从所述第一空间排出该第一处理气体的第二工序；将所述第二处理气体供给所述第一空间的第三工序；和从所述第一空间排出所述第二处理气体的第四工序。其中，所述第二空间的压力由供给到该第二空间的压力调整气体进行调整。

公开(公告)号：CN101356630A

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN200780001297.1

申请日：2007-04-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 柿本明修

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/44

CPC classification number: C23C16/4404

Abstract: 本发明提供一种处理装置，在能够抽真空的处理容器内对被处理体进行规定的处理，特别是进行HfO、HfSiO、ZrO、ZrSiO、PZT、BST等的high－k电介质膜的成膜，在暴露于处理容器内的处理气氛中的处理容器的构成部件的表面、例如在处理容器内壁面形成由SAM(Self assembled monolayer)构成的膜附着防止层。由此可以防止在构成部件的表面堆积难以通过干洗除去的无用膜，可以大幅度降低处理装置的清洗频率。

公开(公告)号：CN101138076A

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200680007627.3

申请日：2006-02-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高木俊夫 ,  金子裕是 ,  岩田辉夫 ,  竹山环 ,  柿本明修

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/31 ,  C23C16/455

CPC classification number: H01J37/32935 ,  C23C16/405 ,  C23C16/407 ,  C23C16/45544 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32568

Abstract: 本发明涉及一种基板处理方法，其是基板处理装置的基板处理方法，其特征在于，该基板处理装置具有：处理容器，其内部具有支承被处理基板并该被处理基板上供给第一处理气体或第二处理气体的第一空间和在该第一空间的周围形成的、与该第一空间连通的第二空间；排出所述第一空间的气体的第一排气单元；和排出所述第二空间的气体的第二排气单元。该基板处理方法具有：将所述第一处理气体供给所述第一空间的第一工序；从所述第一空间排出该第一处理气体的第二工序；将所述第二处理气体供给所述第一空间的第三工序；和从所述第一空间排出所述第二处理气体的第四工序。其中，所述第二空间的压力由供给到该第二空间的压力调整气体进行调整。

公开(公告)号：CN110284120B

公开(公告)日：2022-11-08

申请号：CN201910207469.5

申请日：2019-03-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 孙成德 ,  菱屋晋吾 ,  柿本明修

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/44 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种清洗方法和成膜装置。一种在进行成膜处理之后实施的针对成膜装置的清洗方法，在该成膜处理中，向成膜装置的处理容器内供给原料气体以及能够与原料气体发生反应并生成反应生成物的反应气体，来在基板上形成反应生成物的膜，所述清洗方法包括：在成膜处理中进行控制，使得处理容器内沉积的第一膜与原料气体供给部内沉积的第二膜为不同种类的膜，在成膜处理之后实施如下的清洗处理：从原料气体供给部向处理容器内供给第二膜与第一膜的蚀刻选择比大于1的清洗气体，并对原料气体供给部内沉积的第二膜进行蚀刻来将其去除，在清洗处理之后实施如下的表面控制处理：使所述处理容器内沉积的第一膜的表面状态接近清洗处理之前的状态。

公开(公告)号：CN103088311B

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201210418546.X

申请日：2012-10-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 冈田充弘 ,  柿本明修 ,  长谷部一秀

IPC: C23C16/24 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/0245 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/24 ,  C30B25/183 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明涉及一种晶种层的形成方法以及含硅薄膜的成膜方法，所述晶种层的形成方法在基底上形成晶种层，所述晶种层成为薄膜的晶种，其具备：使用氨基硅烷系气体，使氨基硅烷系气体中包含的至少硅吸附到基底上的工序；以及使用乙硅烷以上的高阶硅烷系气体，在吸附有氨基硅烷系气体中包含的至少硅的基底上沉积乙硅烷以上的高阶硅烷系气体中包含的至少硅的工序。